WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Сильное положительное МС в параллельном поле наблюдалось в одиночных слоях в ряде работ (напри- Редактор Т.А. Полянская мер, [8,9]), где в качестве возможного ответственного механизма предложены эффекты спиновой поляризации Spin effects in the magnetoresistance of электронного газа. В наших экспериментах при опуn-InxGa1-xAs / GaAs double quantum well, стошении верхней спиновой подзоны в поле B > Bs induced by the parallel magnetic field мы по сути также имеем спиновую поляризацию. Отметим, однако, что в упомянутых работах наблюдался M.V. Yakunin, G.A. Alshanskii, Yu.G. Arapov, металлический ход сопротивления и предполагалось, V.N. Neverov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, † что спиновая поляризация приводит и к подавлению B.N. Zvonkov, E.A. Uskova, A. de Visser, † механизмов, ответственных за этот металлический ход.

L. Ponomarenko В наших же образцах сопротивление монотонно растет Institute of Metal Physics, с понижением температуры во всем исследованном Ural Branch of Russian Academy of Sciences, интервале до T 0.3 K. С другой стороны, в работе [9] 620219 Ekaterinburg, Russia положительное МС наблюдалось и при малых концен Physicotechnical Institute, трациях в области диэлектрического состояния. Так что N.I. Lobachevsky Nizhnii Novgorod State University, причины роста сопротивления с увеличением B пока не 603950 Nizhny Novgorod, Russia ясны.

† Van der Waals–Zeeman Institute, Сравнение рис. 5, c и 5, d позволяет понять, почему зависимости Bs(|g|) (рис. 4) насыщаются: после полного University of Amsterdam, The Netherlands опустошения верхней спиновой подзоны уровень Ферми оказывается жестко зафиксирован в пределах нижней

Abstract

For double quantum wells (DQW) created in the подзоны.

n-Inx Ga1-x As / GaAs (x 0.18) heterosystem, peculiarities in Оценки уширения уровней из величин подвижности the parallel magnetic field induced magnetoresistance caused by дают dE 1 мэВ. Несколько большие величины dE, passing of the tunnel gap edges through the Fermi level are которые понадобились в расчетах для согласования revealed and investigated. Shown is that spin splitting of the с экспериментом, можно оправдать тем, что уширеelectron energy should be considered in calculations of magnetic ние уровней определяется квантовым временем жизни field positions of these peculiarities. Only in DQW made of nэлектронов (зависящим от всех процессов рассеяния), GaAs / AlxGa1-x As heterosystem this kind of peculiarities have которое может быть в несколько раз меньше определяеbeen observed so far, where the spin effects could be ignored, in мого из подвижности транспортного времени жизни. На contrast to our observations for InxGa1-x As / GaAs DQW.

рис. 6, b, d показано, какую структуру МС можно было бы ожидать при меньшем размытии уровней.

Работа выполнена при поддержке РФФИ, проекты № 02-02-16401 и № 04-02-614, и программы РАН „Физика твердотельных наноструктур“.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.