WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Ebb = 0.25 эВ, что соответствует значению этого па[6] D.L. Batzner, R. Wendt, A. Romeo, H. Zogg, A.N. Tiwari.

раметра, определенного нами путем анализа темновой Thin Sol. Films, 361–362, 463 (2000).

ВАХ. Для CdS/CdTe/ITO Ebb = 2.20 эВ. При этом для [7] A.N. Tiwari, G. Khrypunov, F. Kurtzesau, D.L. Batzner, CdS/CdTe/Cu/Au Nb = 9.5 · 1020 м-3, а для CdS/CdTe/ITO A. Romeo, H. Zogg. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 12, Nb = 2.2 · 1021 м-3. Высокая концентрация носителей (2004).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Влияние тыльного контакта на электрические свойства пленочных солнечных элементов... [8] K.W. Mitchell, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 48 (10), 4365 (1977).

[9] T.L. Chu, S.S. Chu, S.T. Ang. J. Appl. Phys., 64 (3), (1988).

[10] M. Wimbor, A. Romeo, M. Igalson. Optoelectron. Rev., 8 (4), 375 (2000).

[11] R. Bube. Properties of Semiconductors Materials. Photovoltaic Materials (Imperial College Press, 1999) v. 1, p. 281.

[12] D. Bonnet, P. Meyers. J. Mater. Res., 13 (10), 2740 (1999).

[13] A. Niemegeers, M. Burgelman. J. Appl. Phys., 81 (6), (1997).

[14] Б.Л. Шарма, Р.Л. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Радио и связь, 1979).

[15] В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985).

[16] D.L. Batzer, A. Romeo, H. Zogg, R. Wendt, A.N. Tiwari. Thin Sol. Films, 381, 151 (2001).

Редактор Т.А. Полянская Influence of the back contact on electrical properties of the CdS/CdTe thin film solar cells G.S. Khrypunov National Technical University Kharkov Polytechnical Institute“, ” 61002 Kharkov, Ukraine

Abstract

Comparative investigations of dark current-voltage characterictics and capacitance-voltage characterictics of CdS/CdTe/Cu/Au and CdS/CdTe/ITO thin film solar cells respectively have been carried out. It has been for the first time that physical properties of the p+-CdTe/n+-ITO contact have been identified experimentally.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.