WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

xl ym Для определения электронной плотности nk заменим Вблизи поверхностей {100} вольфрамовых монокрипоатомное суммирование в формуле (2) расчетом сумсталлов наблюдается многослойная атомная релаксация марного вклада в электронную плотность атомных слоосцилляционного типа: расстояние между первым и ев, параллельных поверхности. С целью получения анавторым слоем уменьшается на 5.5%, между вторым и литического выражения для электронной плотности востретьим увеличивается на 2.3% и между третьим и четпользуемся методом, развитым в работах [18,19]. Обовертым снова уменьшается на 0.6% [17]. Анализ выразначим множество узлов в j-м атомном слое как {Xj}, а жения (6) показывает, что минимальные значения элекмножество векторов в обратном пространстве предстатронной плотности лежат на прямой линии, ориентировим как {Gj}. Вклад в электроннуюплотность в точке k ванной вдоль кристаллографического направления атомов, расположенных в j-й плоскости, может быть и проходящей через центры окта- и тетрапустот кристалпредставлен в виде лической решетки. Наиболее глубокий минимум электронной плотности наблюдается на расстоянии 0.233 nm njk = (G, z ) exp(iG · Tjk). (3) от поверхностного слоя. На рис. 4 приведено распредеAj Gc jk ление электронной плотности в плоскости {100}, расположенной на расстоянии 0.233 nm от поверхности. ЭлекЗдесь Aj — площадь примитивной элементарной ячейки тронная плотность нормирована на усредненную элекплоской решетки; z — расстояние между j-й решеткой тронную плотность в данном сечении. Минимум плотjk и точкой k; G — двумерный вектор обратной решетки;

ности находится в центре октаэдрической поры и, как Tjk — вектор смещения точки k относительно начала следует из соотношения (1), атому гелия, находящемуся координат, связанных с плоской решеткой; — двумер- в этом положении, должна соответствовать максимальный фурье-образ электроной плотности. ная энергия связи. Таким образом, приповерхностные Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. Эрозия поверхности автоэмиттеров под действием низкоэнергетичной ионной бомбардировки Список литературы [1] Дранова Ж.И., Михайловский И.М. // ФТТ. 1970. Т. 12.

Вып. 1. С. 132–137.

[2] Дранова Ж.И., Михайловский И.М. // ФТТ. 1971. Т. 31.

Вып. 5. С. 1108–1111.

[3] Cavaille J.Y., Drechsler M. // Rev. Phys. Appl. 1977. Vol. 12.

N 10. P. 1631–1640.

[4] Cavaille J.Y., Drechsler M. // Surf. Sci. 1978. Vol. 75. P. 342– 354.

[5] Фурсей Г.Н., Глазанов Д.В., Баскин Л.М. и др. // Вакуумная микроэлектроника. 1997. Т. 26. № 2. С. 89–96.

[6] Баскин Л.М., Владимиров Г.Г., Шредник В.Н. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1999. № 7. С. 67–71.

[7] Мазилова Т.И. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 2. С. 102–105.

[8] Knoblauch A., Miller Ch., Kalbizer S. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. 1998. Vol. B139. P. 20–27.

[9] Герасименко В.И., Дранова Ж.И., Михайловский И.М. // ФТТ. 1983. Т. 25. № 8. С. 2456–2461.

[10] Miller M.K., Cerezo A., Hetherington M.G., Smith G.D.W.

Atom Probe Field Ion Micriscopy. Oxford: Clarendon press, Рис. 4. Распределение электронной плотности в плоскос1996. 509 p.

ти {100} на расстоянии 0.233 nm от поверхности. Значение [11] Березняк П.А., Слезов В.В. // РиЭ. 1972. № 2. С. 354–358.

n = 1 соответствует среднему значению плотности в данном [12] Залужный А.Г., Сокурский Ю.Н., Тебус В.Н. Гелий в ресечении.

акторных материалах. М.: Энергоатомиздат. 1988. 224 с.

[13] Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. II / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986. 488 с.

[14] Кирсанов В.В., Суворов А.Л., Трушин Ю.В. Процессы слои {100} вольфрама являются ловушками для атомов образования радиационных дефектов в металлах. М.:

гелия. Для вычисления абсолютных значений энергии Энергоатомиздат, 1985. 272 с.

междоузельных атомов гелия в приповерхностных слоях [15] Герасименко В.И. // ФТТ. 1977. Т. 19. № 10. С. 2862–2868.

по формуле (1) необходим самосогласованнй расчет [16] Foiles M., Baskes M.I., Daw M.S. // Phys. Rev. 1986. Vol. B33.

N 12. P. 7983–7991.

релаксации в окрестности атома гелия. При достаточно [17] Foiles S.M. // Phys. Rev. 1993. Vol. 48. N 7. P. 4287–4298.

низких температурах следует ожидать возникновения [18] Sutton A.P. // Phil. Mag. A. 1991. Vol. 63. N 4. P. 793–818.

скоплений атомов гелия в приповерхностных слоях, [19] Герасименко В.И., Мазилова Т.И., Михайловский И.М. // приводящих к смещению групп поверхностных атомов ФММ. 2001. № 4.

вольфрама — наноблистерингу. В настоящей работе наноблистеринг поверхности автоэмиттеров наблюдался при низкоэнергетической бомбардировке при флюенсах порядка 1019 ions/m2, существенно меньших критических флюенсов блистерообразования в макрокристаллах при высокоэнергетичной бомбардировке ионами гелия [13].

Однако при низкоэнергетичной (допороговой) ионной бомбардировке в объеме микромишени не создаются точечные центры захвата атомов гелия — вакансии и собственные междоузельные атомы. В результате уже при небольших флюенсах значительная часть атомов гелия может оказаться захваченной в приповерхностном слое кристалла. При этом локальная концентрация атомов гелия в поверхностном слое может достигнуть уровня, соответствующего пределу насыщения в ОЦК металлах (0.6 атомов гелия на атом металла [13]), чем и могут объясняться низкие значения критических флюенсов наноблистеринга.

В заключение авторы выражают глубокую признательность В.И. Герасименко за обсуждение результатов работы.

Журнал технической физики, 2002, том 72, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.