WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Пространственное распределение выходящего в вакуум потока электронов, очевидно, определяется распределением амплитуды стоячих электронных волн в рассматриваемой потенциальной яме — резонаторе, в особенности характеристиками этого распределения у границы с пониженным потенциальным барьером. Вид распределения должен дискретным образом меняться с изменением геометрических размеров микрообразования из-за изменения моды колебаний в резонаторе, что и объясняет отмеченный выше размерный эффект.

Приведенная сугубо качественная модель формирования описанных выше упорядоченных эмиссионных картин требует, конечно, теоретической проработки, но эта модель представляется нам привлекательной, так как устраняет некоторые недостатки волноводной теории [3,5] и позволяет понять особенности автоэмиссии микрообразований на поверхности полевого эмиттера.

Заключение Подытоживая, укажем важнейшие результаты данной работы. Впервые обнаружены и исследованы микрообразования из молекул фуллерена C60 на поверхности острийного полевого эмиттера, формирующие эмиссионные изображения с упорядоченной структурой. Определены основные характеристики выявленных микрообразований, в том числе определены их размеры и закономерности их преобразования, которые возможны под действием электрического поля и ионной бомбардировки.

Предложена ”резонаторная” модель, качественно объясняющая механизм формирования и перестройки упорядоченных структур в эмиссионном изображении микрообразований на поверхности полевого эмиттера.

Список литературы [1] Mller E.W. // Zs. Naturforsch. 1955. Vol. 27. P. 290.

[2] Melmed A.J., Mller E.W. // J. Chem. Phys. 1958. Vol. 29.

N 5. P. 1937.

[3] Комар А.П., Комар А.А. // ЖТФ. 1961. Т. 31. Вып. 2. С. 231.

[4] Шишкин В.А. Канд. дис. М.: Институт электрохимии АН СССР, 1962.

[5] Комар А.П., Савченко В.П. // ДАН СССР. 1964. Т. 158.

№ 6. C. 1310–1313.

[6] Савченко В.П. Канд. дис. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, 1966.

[7] Tumareva T.A., Sominskii G.G. // J. Commun. Technol. and Electron. 2000. Vol. 45. Suppl. 1. P. S110–S114.

8 Журнал технической физики, 2002, том 72, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.