WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Краткое содержание и выводы В работе предложен механизм разрушения графитовых островков на металле и определена энергия связи краевых атомов углерода с графитовым островком, ответственная за процесс их термического разрушения Рис. 2. Уменьшение относительной площади, занимаемой грана разных подложках — Ni(111), Re(10-10), Ir(111), фитовыми островками на (111)Ir при изотермическом отжиге Pt(111). Наиболее термостабильными оказались графипри различных температурах T, K: 1 — 1940, 2 — 1840, товые островки на некарбидообразующем иридии — 3 — 1715. Начальное состояние во всех случаях S/Stot = 0.энергия связи краевого атома углерода с островком в этом случае достигает величины 4.5eV (Td > 1600 K).

Показаны уникальные возможности нетрадиционного температуру до T < 1600 K, то площадь островков метода анализа поверхности, содержащей графитовые восстановится до прежних размеров S = S0 — весь островки — метод диссоциации молекул CsCl. Этот углеродный „газ“ снова перейдет в графитовые островпростой метод, чувствительный только к графитовой ки. Чтобы пренебречь обратным потоком углерода из фазе поверхностного углерода, позволяет „следить“ за фазы хемосорбированного „газа“, обрабатывались толькинетикой роста и разрушения графитовых островков ко самые начальные участки зависимостей S/S0 = f (t).

при любых температурах выше 850 K, что не под силу Результаты опытов также представлены в таблице.

многим традиционным методам диагностики поверхности, видимо, может быть использован и для изучения свойств других валентно-насыщенных пленок.

Обсуждение Из данных таблицы видно, что в отличие от объемного графита, для которого отрыв краевого атома углерода в слое 6eV (Td > 2300 K) [1], в случае графитовых островков, адсорбированных на металлических поверхностях, энергия отрыва может быть значительно меньше. Разумно предположить, что валентно-активные края графитовых островков образуют сильную хемосорбционную связь с атомами металлической подложки, что ослабляет C-C связи краевого атома углерода с соседями и в свою очередь сильно уменьшает температуру разрушения графитовых островков на металле (см.

таблицу; рис. 3, a). Эксперимент показывает, что легче всего разрушить графитовые островки на поверхности никеля: это хорошо коррелирует с тем фактом, что из всех изученных подложек никель — единственный карбидообразующий металл. Наиболее термостойкими оказались графитовые островки на иридии, иридий не образует карбидов, практически не растворяет углерод Рис. 3. Схема термического разрушения двумерных графив своем объеме и, видимо, в наименьшей степени товых островков. a — на поверхности иридия, Esep — энерспособен к образованию химических связей C-Me.

гия активации отрыва контактирующего с металлом краевого Интересно отметить, что если, например, на (111)Ir атома углерода; b — на многослойной графитовой пленке образовать пленку графита толщиной в несколько атомили на монокристалле графита, Esep – энергия активации ных слоев путем напыления атомарным потоком при отрыва краевого атома от графитового слоя. 1 —графитовый T 1700 K [2] (рис. 3, b), то температура разрушения островок, 2 — краевой атом углерода в графитовой сетке, 3 — графитового слоя и соответственно удаления углерода иридиевая подложка.

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. Термическое разрушение двумерных графитовых островков на тугоплавких металлах (Ir, Re, Ni, Pt) Работа выполнена при поддержке Государственной программы РФ „Физика твердотельных наноструктур“ (проект 8Г158).

Список литературы [1] Tontegode A.Ya. // Progress in Surface Sciencs. 1991. Vol. 38.

P. 201–376.

[2] Gall N.R., Rut’kov E.V., Tontegode A.Ya. // International Journal Modern Phys. B. 1997. Vol. 11. N 16. P. 1865–1911.

[3] Макаренко И.В., Титков А.Н., Вакар В., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. // ФТТ. 1998. Т. 40 (8).

С. 1570–1578.

[4] Макаренко И.В., Титков А.Н., Вакар В., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. // Поверхность. 1999. № 7.

С. 39–51.

[5] Eizenberg M., Blakely J.M. // Surf. Sci. 1979. Vol. 82. P. 228– 237.

[6] Zi-Pu Hu, Ogletree D.F., Van-Hove M.A., Somorjai G.A. // Surf. Sci. 1987. Vol. 180. P. 433–440.

[7] Rossei R., De Crescenzi M., Sette F., Quaresima C., Savoia A., Perfetti P. // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 28. P. 1161– 1167.

[8] Aizawa T., Souda R.R., Otani S., Ishizawa Y., Oshima C. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 42. P. 1469–1474.

[9] Aizawa T., Hwang Y., Hayami W., Souda R., Otani S. // Surf.

Sci. 1990. Vol. 260. P. 311–328.

[10] Kholin N.A., Rut’kov E.V., Tontegode A.Ya. // Surf. Sci. 1984.

Vol. 139. P. 155–168.

[11] Агеев В.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Холин Н.А. // ФТТ. 1981. Т. 23б. Вып. 8. C. 2248–2259.

[12] Rut’kov E.V., Tontegode A.Ya., Usufov M.M. // Phys. Rev. Lett.

1995. Vol. 74. P. 758–764.

[13] Gall N.R., Rut’kov E.V., Tontegode A.Ya., Kuznetsov P.B., Gall R.N. // J. Chemical Vapor Deposition. 1997. Vol. 6. N 1.

P. 72–76.

[14] Zandberg E.Ya., Ionov N.I. Surface Ionization. Israel Program for Scientific Translations. Jerusalem, 1971. 376 p.

[15] Gall N.R., Mikhailov S.N., Rut’kov E.V., Tontegode A.Ya. // Surf. Sci. 1987. Vol. 191. P. 185–203.

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.