WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

полимерных пленок. На рис. 3 представлены полученИз данных, приведенных в таблице, следует, что поные зависимости I = f (L-3). Пленки разной толщины вышение давления приводит к следующим изменениям получали последовательным поливом раствора полипараметров переноса заряда: уменьшается концентрация мера одной концентрации на одну и ту же подложравновесных носителей, что, по-видимому, связано с ку. С учетом различных погрешностей, возникающих изменением положения квазиуровня Ферми. Смещение на разных стадиях данного эксперимента, полученные значения напряжения U1 в сторону уменьшения с увекривые удовлетворительно аппроксимируются линейной личением давления подтверждает наше предположение зависимостью. По-видимому, результаты измерения зао том, что основную роль начинают играть глубокие висимости величины тока от толщины полимерного обловушечные состояния, причем их концентрация растет.

разца подтверждают правомерность использования инНаблюдается рост подвижности носителей заряда, что жекционной модели для интерпретации вольт-амперных скорее всего можно объяснить увеличением концентрахарактеристик.

ции ловушек и уменьшением степени их заполнения.

В таблице представлены значения напряжений U1, Анализ полученных результатов позволяет сделать Ult f и основных параметров модели: µ — подвижности следующие предварительные выводы. Увеличение давлеэлектронов, n0 — концентрации термически генерируния приводит к изменению условий инжекции носителей емых равновесных электронов, pt,0 — концентрации заряда в полимерную пленку. Возможно, этот процесс ловушечных уровней, не занятых электронами, величина происходит в результате разрушения соответствующих которых пропорциональна их общей концентрации Nt;

поверхностных электронных состояний [6], что приводит в зависимости от величины приложенного одноосного к повышению уровня инжекции. Величина инжектированного заряда также повышается с увеличением приложенного к образцу электрического поля, в результате удельная проводимость в высокопроводящем состоянии возрастает (рис. 1). Избыточный инжектированный в объем полимера заряд в результате взаимодействия с макромолекулой полидифениленфталида может создавать глубокие ловушечные состояния по механизму, описанному в [31]. Также в работе [32] показано, что аналогичное взаимодействие инжектированного заряда с макромолекулой полимера приводит к увеличению поляризуемости фрагмента макромолекулы. В результате возникает неустойчивое состояние полимера с большей диэлектрической проницаемостью, которое через некоторое время релаксирует с последующим переходом электрона на более глубокие ловушки. По-видимому, существует некоторый критический уровень инжекции, выше которого в результате указанных выше процессов Рис. 3. Зависимость силы тока от толщины полимерных образцов. в запрещенной зоне вблизи квазиуровня Ферми может Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 108 А.А. Бунаков, А.Н. Лачинов, Р.Б. Салихов быть образована узкая зона ловушечных состояний, пе- [27] Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. // Synthetic Metals. 1991.

Vol. 44. P. 99–102.

ренос по которой приводит к значительному увеличению [28] Скалдин О.А., Жеребов А.Ю., Делев В.В. и др. // Письма подвижности носителей зарядов и переходу полимерной в ЖЭТФ. 1990. Т. 51. Вып. 3. С. 141–145.

пленки в высокопроводящее состояние.

[29] Ламперт М., Марк П. // Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с.

Авторы выражают благодарность за помощь в прове[30] Duke C.B., Fabish T.J. // Phys. Rev. Lett. 1976. Vol. 37. N 16.

дении эксперимента Е.Е. Чурлиной.

P. 1075.

[31] Лачинов А.Н., Загуренко Т.Г., Корнилов В.М. и др. // ФТТ.

2000. Т. 42. Вып. 10. С. 1882–1888.

Список литературы [1] Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. // ЖЭТФ.

1992. Т. 102. С. 187–193.

[2] Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. // Письма в ЖЭТФ. 1990. Т. 52. В. 2. С. 742–745.

[3] Lachinov A.N., Zherebov A.Yu., Zolotukhin M.G. // Synthetic Metals. 1993. Vol. 59. P. 377–386.

[4] Ionov A.N., Lachinov A.N., Rivkin M.M. et al. // Solid State Communs. 1992. Vol. 82. N 8. P. 609–611.

[5] Zykov B.G., Baydin V.N., Bayburina Z.Sh. et al. // J. Electron Spectroscopy and Rel. Phenomena. 1992. Vol. 61. P. 123–129.

[6] Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А. и др. // ДАН СССР. Сер. Физ. Хим. 1981. С. 1386–1390.

[7] Гутман Ф., Лайонс Л. // Органические полупроводники.

М.: Мир, 1970. 696 с.

[8] Архангородский В.М., Гук Е.Г., Ельяшевич А.М. и др. // ДАН СССР. 1989. Т. 309. № 3. С. 603–606.

[9] Ельяшевич А.М., Ионов А.Н., Ривкин М.М. и др. // ФТТ.

1992. Т. 34. № 11. С. 3457–3464.

[10] Григоров Л.Н., Дорофеева Т.В., Краев А.В. и др. // ВМС. А. 1996. Т. 38. № 12. С. 2011–2018.

[11] Смирнова С.Г., Григоров Л.Н., Галашина Н.М. и др. // ДАН СССР. 1985. Т. 283. № 14. С. 176–181.

[12] Григоров Л.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 17. Вып. 10.

С. 45–50.

[13] Elyashevich A.M., Kiselev A.A., Liapzev A.V. et al. // Phys.

Lett. A. Vol. 156. N 1, 2. P. 111–113.

[14] Eagles D.M. // Physica C. 1994. Vol. 225. P. 222–234.

[15] Parmenter R.H. // Phys. Rev. 1959. Vol. 116. N 6. P. 1390– 1399.

[16] Элиашберг Г.М. // ЖЭТФ. 1960. Т. 38. № 3. С. 966–976.

[17] Попов Б.П., Цэндин К.Д. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 24.

№7. С. 45–49.

[18] Пономарев О.А., Шиховцева Е.С. // ЖЭТФ. 1995. Т. 107.

№2. С. 637–648.

[19] Салазкин С.Н., Рафиков С.Р., Толстиков Г.А. и др. // ДАН СССР. 1982. Т. 262. № 2. С. 355–359.

[20] Краев А.В., Смирнова С.Г., Григоров Л.Н. // ВМС. А. 1993.

Т. 35. № 8. С. 1308–1314.

[21] Ельяшевич А.М., Ионов А.Н., Тучкевич В.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 14. С. 8–12.

[22] Tagmouti S., Oueriagli A., Outzourhit A. et al. // Synthetic Metals. 1997. Vol. 88. N 2. P. 109–115.

[23] Somani P., Marimuthu R., Mandale A.B. // Polymer. 2001.

Vol. 42. N 7. P. 2991–3001.

[24] Somani P., Amalnerkar D., Radhakrishnan S. // Synthetic Metals. 1998. Vol. 110. N 3. P. 181–187.

[25] Rasmusson J.R., Kugler Th., Erlandsson R. et al. // Synthetic Metals. 1996. Vol. 76. P. 195–200.

[26] Лачинов А.Н., Золотухин М.Г., Жеребов А.Ю. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 44. С. 6–10.

Журнал технической физики, 2003, том 73, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.