WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 01;02;11 Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода 2 © С.Ю. Давыдов,1 А.В. Павлык 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), 197376 Санкт-Петербург, Россия e-mail: sergei.davydov@mail.ioffe.ru (Поступило в Редакцию 17 сентября 2003 г.) В рамках простой модели рассчитано изменение работы выхода при адсорбции атомов Cs на поверхности (100) и K, Rb и Cs на поверхности (110) GaAs. Модель включает как диполь-дипольное взаимодействие адатомов, так и уширение их квазиуровней за счет обменных эффектов. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента.

Изучение взаимодействия атомов металла с поверх- ствуют три основных канала взаимодействия адатомов:

ностью полупроводника интересно прежде всего с точки диполь-дипольное отталкивание, вызывающее деполязрения формирования барьера Шоттки [1]. Установлено, ризацию адатома и приводящее к сдвигу его квазичто высота барьера определяется уже на начальной ста- уровня, и прямой и косвенный межадатомный обмен дии нанесения металлического покрытия [2]. Важно по- электронами, приводящие к расщеплению квазиуровня этому понять, как субмонослойная металлическая плен- и к формированию квазидвумерной поверхностной зоны.

ка влияет на электронные состояния полупроводниковой В работах [6,7] учитывались все эти каналы. Однако поверхности. По-видимому, простейшей интегральной если диполь-дипольное взаимодействие рассматривалось характеристикой такого влияния является изменение непосредственно, то размытие квазиуровней в зону моработы выхода адсорбционной системы. Натоящая делировалось, а именно мы полагали, что полуширина работа посвящена расчету при адсорбции атомов квазиуровня изолированного адатома переходит при 0 щелочных металлов (АМ) на поверхности арсенида увеличении степени покрытия в = (1 + ), где — галлия.

безразмерный параметр. В соответствии с моделью [6,7] Выбор именно этой адсорбционной системы не слув уширение уровня изолированного адатома вносят чаен. Во-первых, атомы первой группы, являясь типичвклад как туннельные, так и оже-процессы.

ными металлами, содержат на внешней оболочке лишь Следует подчеркнуть, что в рамках нашей модели один электрон, который как раз и „работает“ на адсорбструктура адсорбционной пленки игнорируется, играет цию. Во-вторых, электронная и кристаллографическая роль лишь двумерная плотность адатомов. Такое доструктура поверхности арсенида галлия изучена наибовольно грубое упрощение достаточно хорошо работает лее тщательно по сравнению с другими соединениями в случае адсорбции щелочных металлов, обладающих A3B5 [2].

(по крайней мере при малых покрытиях) большим заБольшинство расчетов для системы AM/GaAs основарядом. Вследствие этого основным каналом взаимодейны на том или ином варианте формализма функционала ствия щелочных адатомов является диполь-дипольное плотности [3], которые, как и все подходы ab initio, имеотталкивание, пропорциональное R-3 (Ra — расстояние a ют неоспоримые преимущества, но при расчете функции между соседними адатомами) и обладающее круговой ( ) (степень покрытия = N/NML, N — концентра(в плоскости поверхности) симметрией. В предложенной ция адатомов, NML — их концентрация в монослое) модели нас не интересует также вопрос, с каким неповстречают определенны трудности: нужно учитывать средственно атомом поверхности (Ga или As) связан конкретную геометрию адслоя, меняющуюся с ростом щелочной адатом, ибо нам достаточно того, что щелочскачкообразно вследствие структурных переходов. Приной металл отдает свой электрон в зону проводимости ходится, таким образом, рассчитывать значения субстрата.

лишь для нескольких характерных значений покрытий, Как показано в работах [9,10], заряд адатома Z опречто затрудняет сопоставление с данными эксперимента.

деляется выражением Существуют и модельные подходы к проблеме [1,4,5], 3/позволяющие параметрически описать функцию ( ).

2 - Z( ) 3/Z( ) = arctg, = 2e22NMLA. (1) В работах [6,7], посвященных соответственно опи ( ) санию адсорбции АМ на кремнии и рутиле, была предложена схема, позволяющая довольно просто рас- Здесь — энергия квазиуровня адатома относительно считать изменение работы выхода адсорбционной си- уровня Ферми подложки; — константа диполь-дистемы при увеличении. Как известно [8], суще- польного отталкивания адатомов; 2 — плечо поверхАдсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода ностного диполя, образованного адсорбированным атомом и его изображением в подложке (диэлектрической поправкой (0 - 1)/(0 + 1), где 0 — статическая диэлектрическая проницаемость, пренебрегаем); A 10 — безразмерный коэффициент, слабо зависящий от геометрии решетки адатомов. Изменение работы выхода определяется формулами [9,10] () =- Z, = 4e2NML. (2) Для определения параметров модели воспользуемся процедурой, предложенной в работах [6,7] и состоящей в следующем: из эксперимента берутся начальный наклон кривой () (т. е. d /d при 0) и значение изменения работы выхода адсорбционной системы при монослойном покрытии ML. Эти две характеристики выбраны для подгонки на том основании, что начальный наклон ( ) определяет величину дипольного момента Рис. 1. Адсорбция цезия на поверхности (100) арсенида изолированного адатома p0 = 2Ze, а близость значения галлия по данным работы [11]. Расчет: 1 — 300, 2 — 200 K;

+ ML к работе выхода соответствующего щелочного эксперимент: + — 300, — 200 K.

металла определяет, насколько уже первый монослой АМ формирует „объем“.

Рассмотрим адсорбцию атомов цезия на поверхности GaAs (100), воспользовавшись экспериментальными данными работ [11,12]. Примем NML = 4 · 1014 atoms/cm(см., например, [12–14]) и будем считать, что монослойной концентрации в работе [11] отвечает время экспозиции, равное 500 s. Далее, положим = 2, что несколько меньше полусуммы атомного и ионного радиусов (2.24 ) и отражает тот факт, что в субмонослойной пленке адатом находится преимущественно в ионном состоянии (см. ниже). Энергия квазиуровня определяется как = - I + e2/4, (3) где I — энергия ионизации щелочного атома, равная для цезия 3.89 eV [15], = 5 eV — работа выхода грани (100) арсенида галлия [11].

Отметим, что в настоящей модели полупроводник непосредственно характеризуется только значением раРис. 2. То же, что на рис. 1, но по данным работы [12].

боты выхода, которая, естественно, меняется в зависиПоверхность (001) +— экспериментальные точки.

мости от легирования. С точки зрения теории логичнее было бы принять за уровень отсчета энергию сродства полупроводника к электрону или энергию ионизации.

утверждается, что симметрия поверхности есть c(8 2), Такое описание удобно, однако, только для собственного то в [12] структура поверхности идентифицируется как полупроводника, тогда как для примесного пришлось бы (4 2). Результаты расчетов в сопоставлении с даннывводить соответствующую плотность примесных состоями экспериментов [11] и [12] представлены на рис. ний, как это делалось, например, в работе [16]. С одной и 2. В обоих случаях результаты расчетов вполне стороны, это усложняет модель, с другой стороны, в эксудовлетворительно согласуются с экспериментальными перименте измеряют именно. Поэтому мы оцениваем данными. Следует, однако, отметить два обстоятельства.

положение квазиуровня соотношением (3).

На рис. 1 расчетная кривая 1 монотонна, тогда как Полученные таким образом параметры модели прина эксперименте при T = 300 K наблюдается слабый ведены в табл. 1 (строка 1). В строке 2 содержатся минимум.1 Рис. 2 демонстрирует большой разброс эксоценочные значения, полученные по данным работы [12].

периментальных данных, причины которого неясны.

Расхождение экспериментальных результатов работ [11] и [12], заключается, по-видимому, в различии струк- Отметим, что предложенная модель способна описывать немонотур чистой поверхности арсенида галлия. Если в [11] тонный характер функции ( ) [6,7].

7 Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 100 С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык Таблица 1. Параметры модели для адсорбции цезия на поверхности (100) арсенида галлия Параметр, eV, eV, eV, eV I [11] 2.91 1.93 2.09 13.5 9.2.II [12] 2.91 1.26 2.84 13.5 9.Примечание. Для параметра верхнее число соответствует T = 300 K, нижнее — T = 200 K.

Таблица 2. Параметры модели для адсорбции щелочных металлов на поверхности (110) арсенида галлия по данным работы [14] Параметр, eV, eV, eV, eV K 2.74 2.83 0.52 19.1 12.Rb 2.75 2.35 0.64 17.0 11.Cs 2.81 2.40 0.15 17,4 12.Теперь обратимся к адсорбции калия, рубидия и цезия на поверхности (110) GaAs, экспериментально исследованной в работе [15]. Как и авторы работы [15], полагаем NML = 6.4, 5.3 и 4.8 · 1014 atoms/cm2 для K, Rb и Cs соответсвенно. Далее, масштабируя, полагаем = 1.65, 1.77 и 2 для того же ряда. Параметры модели представлены в табл. 2. Результаты расчета совместно с данными эксперимента иллюстрирует рис. 3.

Из рис. 3 видно, что в области промежуточных покрытий экспериментальные значения | ( )| заметно меньше расчетных. Следовательно, в этой области покрытий наша модель несколько переоценивает процессы деполяризации в субмонослое, хотя причины линейного хода экспериментальной зависимости ( ) не вполне понятны. В целом с учетом простоты модели результаты следует признать удовлетворительными.

Таким образом, с учетом [6,7] предложенная модeль способна адекватно описывать изменение работы выхода при адсорбции щелочных металлов на полупроводниковых подложках.

Список литературы [1] Бехштедт Ф., Эндерлейн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 488 с.

[2] Mnch W.// Rep. Prog. Phys. 1990. Vol. 53. N 3. P. 221.

[3] Bechstedt F., Scheffler M. // Surf. Sci. Rep. 1993. Vol. 18.

P. 145.

[4] Kato T., Ohtomi K., Nakayama M. // Surf. Sci. 1989. Vol. 209.

P. 131.

[5] Kampen T.U., Eyckler M., Mnch W. // Appl. Surf. Sci. 1998.

Vol. 123/124. P. 28.

[6] Давыдов С.Ю., Павлык А.В. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 7.

Рис. 3. Адсорбция калия (a), рубидия (b) и цезия (c) на С. 831.

поверхности (110) арсенида галлия по данным работы [14].

[7] Давыдов С.Ю., Носков И.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 11.

+ — эксперимент.

С. 137.

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода [8] Браун О.М., Медведев В.К. // УФН. 1978. Т. 157. Вып. 4.

С. 1234.

[9] Muscat J.P., Newns D.M. // J. Phys. 1974. Vol. 7 (15). P. 2630.

[10] Давыдов С.Ю. // ФТТ. 1977. Вып. 11. С. 3376.

[11] Kamaratos M., Bauer E. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. N 12.

P. 7564.

[12] Yamada K., Asanari J., Naitoh M., Nishigaki S. // Surf. Sci.

1998. Vol. 402–404. P. 683.

[13] Derrien J., D’Avitaya A. // Surf. Sci. 1977. Vol. 65. P. 668.

[14] Ortega J.E., Miranda R. // Appl. Surf. Sci. 1992. Vol. 211.

P. 211.

[15] Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.

1232 с.

[16] Давыдов С.Ю. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 10. С. 1236.

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.