WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

плотности тока от времени для катода с полусфери[5] Шубин А.Ф., Юрике Я.Я. // Изв. вузов. Физика. 1975. № 6.

ческими эмиттерами, расширяющимися со скоростью С. 134–136.

2 · 106 cm/s при различных расстояниях между эмитте[6] Djogo G., Gross J.D. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. Vol. 25.

рами. Сопоставление подобных зависимостей с экспеN 4. P. 617–624.

риментально измеренными осциллограммами тока дает [7] Месяц Г.А., Литвинов Е.А. // Изв. вузов. Физика. 1972. № 8.

возможность оценки состояния эмиссионной поверхноС. 158–160.

сти на катоде. [8] Iory H.R., Trivelpiece A.W. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40.

N 10. P. 3924–3926.

[9] Беломытцев С.Ф., Коровин С.Д., Месяц Г.А. // Письма в Заключение ЖТФ. 1980. Т. 6. Вып. 18. С. 1089–1092.

Проведенное теорическое рассмотрение продемонстрировало существенное влияние микроструктуры эмиссионной поверхности на величину тока в сильноточном планарном диоде.

Если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, то зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону ”трех вторых” до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью.

По-видимому, именно дискретность эмиссионной поверхности и расширение катодной плазмы приводят к уменьшению импеданса сильноточных планарных диодов во времени. Описанные катодные явления определяют минимальную длительность формируемого токового импульса.

Следует, однако, отметить, что для корректного применения полученных результатов к реальным диодам нужна дополнительная информация о состоянии эмиссионной поверхности на катоде. Приведенные выше зависимости получены в предположении о неизменности числа эмиссионных центров во времени и их эквидистантном расположении. Вместе с тем не вызывает сомнений, что появление эмиссионных центров на катоде происходит не одновременно. Распределение микроострий по поверхности катода и их размер не являются однородными. Объемный заряд вновь появившегося эмиссионного центра снижает напряженность электрического поля в его окрестности [9], увеличивая время задержки взрыва находящихся в этой зоне микроострий. Учет влияния неодновременности рождения эмиссионных центров на форму тока в сильноточном диоде является задачей будущих исследований.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.