WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||
Изменение теплопроводящих быть обусловлено тем, что при соответствующих им свойств поликристаллической алмазной пленки вдоль частотах ( 300 Hz) длина термодиффузии в поликри- радиуса коррелирует также с изменением ее толщины и сталлической пленке уже меньше ее толщины, в то плотности, определявшейся по весу образцов с известнывремя как для монокристалла алмаза это условие еще не ми размерами (рис. 5). Ухудшение теплопроводности и выполняется. Подставляя в (7) l = 250 µm, = 300 Hz уменьшение плотности на краях алмазной пленки могут и табличные значения для алмаза = 3.5g · cm-3, быть объяснены появлением в ее структуре пор, котоЖурнал технической физики, 1999, том 69, вып. Определение теплопроводности алмазных поликристаллических пленок с помощью... Авторы благодарят А.А. Смолина и С.И. Воронину за подготовку образцов алмазных пленок для исследований.

Один из авторов хотел бы выразить искреннюю благодарность Международному фонду Мацумае (Япония) за предоставление стипендии, благодаря которой стало возможным проведение описанных исследований.

Список литературы [1] The Properties of Diamond / Ed. by J.E. Field. London:

Academic Press, 1990. 674 p.

[2] Spitsyn B.V. // Handbook of Crystal Growth. Vol. 3. Elsevier Science B.V., 1994. P. 403.

[3] Graebner J.E. // Diamond Films and Thchnology. 1993. Vol. 3.

P. 77.

[4] Visser E.P., Versteegen E.H., van Enckervort W.J.P. // J.

Appl. Phys. 1992. Vol. 71. P. 3238.

[5] Anthony T.R., Banholzer W.F., Fleisher J.F. et al. // Phys.

Rev. B. 1990. Vol. 4. P. 1104.

[6] Graebner J.E., Ralchenko V.G., Smolin A.A. et al. // Diamond and Related Materials. 1996. Vol. 5. P. 643.

[7] Wrner E., Wild C., Muller-Sebert W. et al. // Diamond and Related Materials. 1996. Vol. 5. P. 688.

[8] Graebner J.E., Mucha J.A., Seibles L., Kammlott G.W. // J.

Appl. Phys. 1992. Vol. 71. P. 3143.

[9] Fournier D., Plaman K. // Diamond and Related Materials.

Рис. 5. Коэффициент теплопроводности k (1) и плотность 1995. Vol. 4. P. 809.

(2) для различных участков одной и той же алмазной пленки [10] Rosencwaig A. Photoacoustics and Photoacoustic Spectв зависимости от расстояния, отсчитываемого вдоль радиуса от roscopy. New York: Wiley, 1980. 309 p.

ее центра.

[11] Rosencwaig A., Gersho A. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47.

P. 64.

[12] Bachmann P.K., Wiechert D.U. // Diamond and Related Materials. 1992. Vol. 1. P. 422.

рые в свою очередь обусловлены характером осаждения [13] Collins A.T. // Diamond and Related Materials. 1992. Vol. 1.

алмаза в этой зоне.

P. 457.

Наличие относительно большого количества примесей [14] Вавилов В.С., Гиппиус А.А., Зайцев А.М. и др. // ФТП.

кремния в исследованных пленках, по-видимому, являет1980. Т. 14. С. 1078.

ся следствием чрезвычайно высокой степени активации [15] Obraztsov A.N., Okushi H., Watanabe H., Pavlovsky I.Yu. // Diamond and Related Materials. 1997. Vol. 6. P. 1124.

газовой среды, которая необходима для увеличения ско[16] Образцов А.Н., Изуми Т., Окуши Х. и др. // Вестн.

рости роста пленки, но одновременно приводит к восстаМосковского ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1997.

новлению кремния из кварцевых деталей, находящихся в № 3. С. 45.

реакторе, его появлению в газовой фазе и последующему [17] Diamond: Electronic Properties and Applications / Ed. by внедрению в осаждаемую пленку [19]. Одновременно L.S. Pan, D.R. Kania. Kluwer Academic Publishers, 1995.

высокая степень активации ведет к вторичной нуклеации P. 370.

алмаза и, как следствие, к образованию дополнительных [18] Graebner J.E., Reiss M.E., Seibles L. et al. // Phys. Rev. B.

межкристаллитных границ, препятствующих распростра1994. Vol. 50. P. 3702.

нению тепла.

[19] Kiyota H., Okushi H., Ando T. et al. // Proc. 6th European Таким образом, показана принципиальная возмож- Conf. on Diamond, Diamond-like and Related Materials.

Barcelona, 1995. P. 8094.

ность использования фотоакустического эффекта для определения коэффициента теплопроводности алмазных материалов, в том числе алмазных поликристаллических пленок. При определенной доработке предложенный метод может быть использован для эксперссдиагностики этого принципиально важного параметра алмазных CVD пленок. Бесконтактный оптический характер проводимых измерений позволяет реализовать измерение пространственного распределения теплопроводящих свойств алмазных пленок с большой поверхностью.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.