WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

ную рекомбинацию. Результаты расчета плотности тоПлотность тока короткого замыкания и коэффици- ка короткого замыкания показывают, что еe величина ент полезного действия исследуемых диодных струк- при полном солнечном излучении АМ1.5 приближатур оказались намного меньшими найденных выше ется к предельно возможному значению 43.7 мА/смих максимально возможных значений. Причиной этого при концентрации нескомпенсированных акцепторов являются слишком большое удельное сопротивление Na - Nd = 1017-1018 см-3 и времени жизни неосновподложки (вплоть до 100 Ом · см), намного меньшие ных носителей (электронов) в нейтральном слое времена жизни носителей заряда (2 · 10-9 с), низкая по n = 10-7-10-6 с. При устранении потерь на отражение сравнению с оптимальной концентрация нескомпенсирофронтальной поверхностью предельно возможный коэфванных акцепторов (1014-1015 см-3). Следует подчеркфициент полезного действия фотовольтаической струкнуть, что задача достижения максимально возможных туры на основе Cd0.8Hg0.2Te может достигать 25-28%.

фотоэлектрических параметров диодных структур на Работа выполнена при финансовой поддержке гооснове Cd0.8Hg0.2Te в настоящей работа не ставилась.

Целью работы было исследование эффективности пре- сударственного фонда фундаментальных исследований образования энергии в солнечных элементах на основе Министерства образования и науки Украины (договор Cd0.8Hg0.2Te, и мы не коснулись важных технологиче- № Ф10/20-2005).

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te в солнечных элементах Список литературы Potentialities of the application of Cd0.8Hg0.2Te alloy in solar cells [1] L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, V.M. Sklyarchuk.

Abstacts XXXIV Int. School on the Physics of Semicon- L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, S.Yu. Paranchych, ducting Compounds (Jaszowiec, Poland, June 4-10 2005) V.M. Sklyarchuk p. 61.

Chernivtsi National University, [2] L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, O.L. Maslyanchuk, 58012 Chernivtsi, Ukraine S.Yu. Paranchych, V.M. Sklyarchuk. Semicond. Phys. Quant.

Electron. Optoelectron., 6, 227 (2003).

[3] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир,

Abstract

Photosensitive in the 0.3-1.1. µm range CdxHg1-xTe1984).

based (x 0.8) surface-barrier diodes fabricated by Ar ion etching [4] A.E. Rakhshani. Semicond. Sci. Technol., 17, 924 (2002).

(bombardment) of the p-type crystal surface are investigated.

[5] A.E. Rakhshani. Phys. Status Solidi, 192, 179 (2002).

Using the measured absorption and reflection curves as well as the [6] Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках diode structure parameters obtained from the electrical characteris(М., Мир, 1973).

tics, the photoelectric quantum yield spectra are calculated. Results [7] G.L. Hahsen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, of calculations of the Cd0.8Hg0.2Te diode photoelectric parameters 7099 (1982).

are presented in comparison with those for solar cells based on [8] P.M. Amirtharaj. Handbook of Optical Constants of Solids, CdTe and Si. For AM1.5 solar radiation conditions, the opened. by D. Palik (San Diego, Academic Press, 1991) v. 2.

circuit voltage and the short-circuit current density as well as the [9] Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников maximum photoelectric efficiency of the diodes are found.

(М., Наука, 1977).

[10] H.R. Philipp, E.A. Taft. Phys. Rev., 8, 13 (1962).

[11] T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. Appl.

Phys., 32, 3496 (1993).

[12] Standard Tables for Reference Solar Spectral Irradiance at Air Mass 1.5. International Organization for Standardization (ISO). www.iso.ch.

[13] D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977).

[14] G. Bahir, E. Finkman. J. Vac. Sci. Technol., A7, 248 (1989).

[15] P. Brogowski, H. Mucha, J. Piotrowski. Phys. Status Solidi A, 114, K37 (1989).

[16] P. Haнdek, E. Belas, J. Franc, V. Koubele. Semicond. Sci.

Technol., 8, 2069 (1993).

[17] E. Belas, P. Hoschl, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, K. Lischka, H. Sitter, A. Toth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1695 (1993).

[18] А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987).

[19] C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957).

[20] Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Заxарчук В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37 (2), 238 (2003).

[21] L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 82, (2004).

[22] Л.А. Косяченко, А.В. Марков, Е.Л. Маслянчук, И.М. Раренко, В.М. Склярчук. ФТП, 37 (12), 1420 (2003).

[23] П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975).

[24] К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).

[25] M. Lavagna, J.P. Pique, Y. Marfaing. Sol. St. Electron., 20, (1977).

[26] L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, K.S. Ulyanitsky. Semicond. Sci. Technol., 14, 373 (1999).

[27] E. Mori, K.K. Mishra. J. Electrochem. Soc., 137, 100 (1990).

[28] Sun Weiguo, L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko. J. Vac. Sci.

Technol., A15, 2202 (1997).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.