WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

распыления материала поверхности (значения коэффициентов распыления, тип распыления — физическое или Работа выполнена при частичной финансовой подхимическое, поатомное или кластерное, возможность держке по проекту № 467-97 Международного научноперепыления). технического центра.

3. По данным компьютерных расчетов углеродные материалы не имеют каких-либо принципиальных преимуществ перед другими материалами в смысле устойСписок литературы чивости к низкоэнергетичной ионной бомбардировке и потерь материала катодов за счет распыления. Экспе[1] Baker F.S., Osnorn A.R., Williams J. // Nature. 1972.

риментально установленный факт существенного возVol. 239. P. 96.

растания коэффициента распыления при переходе от [2] Lea C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1973. Vol. 6. P. 1105.

[3] Baker F.S., Osborn A.R., Williams J. // J. Phys. D: Appl.

плоского графита к углеродным волокнам указывает на Phys. 1973. Vol. 7. P. 2105.

связанное со значительным массопереносом на анод или [4] Углеродные волокна / Под ред. С. Симамурыю. М.: Мир, модулятор ограничение времени эксплуатации автоэмис1987.

сионных катодов из углеродных волокон по сравнению с [5] Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. // РиЭ. 1957. Т 2. № 3. С. 126.

катодами на основе графита с развитой поверхностью.

[6] Бондаренко Б.В., Макуха В.И., Шешин Е.П. // ЭлектронОднако время эксплуатации последних ограничено возная техника, сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. № 10. С. 44.

можным изменением рельефа и постепенным уничтоже[7] Суворов А.Л., Шешин Е.П., Протасенко В.В. и др. // нием (распылением) эмиссионных центров. Реализация ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 7. С. 156.

же для графита кластерного распыления с неизбежно[8] Суворов А.Л., Бобков А.Ф., Зайцев С.В. и др. Препринт стью приведет к возрастанию коэффициента распыления. ИТЭФ. № 25-98. М.: ИТЭФ, 1998.

[9] Kaftanov V.S., Suvorov A.L., Sheshin E.P. United States 4. Для создания плоских автоэмиссионных катодов с Patent N 5588893, December 31, 1996.

развитой поверхностью с успехом может быть исполь[10] Куликов Д.В., Суворов А.Л., Сурис Р.А. и др. // Письма в зовано радиационное воздействие. В случае применения ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 14. С. 89.

пластин из высокоориентированного пиролитического [11] Ebbesen T.W., Ajayan P.M. // Nature. 1992. Vol. 358. P. 220.

графита радиационные технологии позволяют получить [12] Елецкий А.В., Смирнов Б.М. // УФН. 1995. Т. 165. № 9.

как бессистемную, так и периодически развитую поС. 977.

верхности. Для оценки эффективности радиационного [13] Gulyaev Yu.V., Chermozatonskii L.A., Kosakovskaya Z.Ya.

воздействия целесообразно использовать сканирующую et al. // 7th Internat. Vacuum Microelectronics Conf.

туннельную микроскопию с расчетом фрактальных раз(IVMC’94). Grenoble, 1994. Revue ”Le Vide, les Couches мерностей формируемых поверхностей; как установлено, Minces”. Supplement au N 271. Mars–Avril. 1994. P. 322.

Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. Некоторые аспекты использования углеродных материалов в автоэлектронных эмиссионных катодах [14] Chernozatonskii L.A., Kosakovskaya Z.Ya., Gulaev Yu.V., Sinitsyn N.I. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. Vol. B14. N 3.

P. 2080.

[15] Попов М.О., Бобков А.Ф., Зайев С.В., Карпов А.В., Скороходов Е.Н., Суворов А.Л. // ПТЭ. 1999. В печати.

[16] Азарова М.Т. // Химические волокна. 1991. № 3. С. 5.

[17] Pierson H.O. Handbook of Carbon, Graphite, Diamond and Fullerenes. Properties, Processing and Applications / Park Ridge (New Jersey): Noyes Pull, 1992.

[18] Бондаренко Б.В., Селиверстов В.А., Шешин Е.П. // РиЭ.

1985. Т. 30. № 8. С. 1601.

[19] Шешин Е.П. Докт. дис. М., 1996.

[20] Суворов А.Л. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. М.: Энергоиздат, 1982.

[21] Суворов А.Л. Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов. М.: Энергоатомиздат, 1990.

[22] Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. Т. 1, 2. М.: Мир, 1984, 1986.

[23] Беккерман А.Д., Джемилев Н.Х., Ротштейн В.М. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 6. С. 52.

[24] Березняк П.А., Слезов В.В. // РиЭ. 1972. Т. 17. С. 354.

[25] Долин Д.Е., Сосунов А.А., Суворов А.Л., Шешин Е.П. // ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 12. С. 115.

[26] Guseva M.I., Suvorov A.L., Korshunov S.N., Lazarev N.E. // J. Nucl. Mater. 1999. Vol. 266–269. P. 222.

[27] Magonov S.S., Whangbo M.-H. Surface Analysis with STM and AFM. Experimental and Theoretical Aspects of Image Analysis. West Sussex: Willey–VCH, 1995.

[28] Talibuddin S., Runt J.P. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 9.

P. 5070.

[29] Cheblukov Yu.N., Fedotov A.S., Kozodaev M.A. et al. // Mater.

Sci. Eng. 1999. A270. P. 102–106.

[30] Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев: Наукова думка, 1981.

Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.