WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, было показано, что увеличение степени разориентации приводит к изменению размеров получаемых КТ. Наиболее сильное влияние оказывает разориентация вдоль направлений [010] и [011]. При осаждении 2 МС InAs на поверхность GaAs, разориентированную вдоль этих направлений, образуются группы КТ разного размера. Однако выбором угла и направления разориентации можно контролировать формирование КТ одинакового размера. Поскольку КТ, образующиеся при осаждении 2 МС InAs, перспективны для применения в инжекционных лазерах [4], полученные результаты свидетельствуют о возможности сужения спектра усиления таких лазеров.

Рис. 7. Спектры фотолюминесценции для образца с 2 моноВ заключение авторы благодарят Д.Н. Демидова и слоями InAs, разориентированного на 7 вдоль направления Н.П. Корнееву за помощь в проведении экспериментов [010]. Температура измерения спектров указана около кривых.

по выращиванию структур.

Данная работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований вдоль направления [011], и для обрацов с 3 МС InAs, (гранты 95-02-05084-а, 96-02-17824 и 95-618), фонда разориентированных вдоль направлений [011] и [010].

В таблице приведены положения максимумов линий INTAS (грант 94-1028), Volkswagen Foundation и научной QD1, QD2 и QD3 для структур с различной степенью программы ”Физика твердотельных наноструктур”.

7 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 100 А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов...

Список литературы Formation of InAs quantum dots in a GaAs matrix by growth on vicinal substrates [1] L. Goldstein, F. Glass, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, A.F. Tsatsul’nikov, B.V. Volovik, N.N. Ledentsov, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985).

[2] P.M. Petroff, S.P. Den Baars. Superlat. Microstr., 15, 15 (1994). M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, [3] M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, V.M. Ustinov, Zhao Zhen, V.N. Petrov, G.E. Cirlin, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994).

D. Bimberg†, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov [4] Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Усти- Russian Academy of Science, нов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 194021 St. Petersburg, Russia 30, 351 (1996).

Institute for Analytical Instrumentation, [5] Ж.И. Алферов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев, Russian Academy of Sciences, И.В. Кочнев, В.В. Комин, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, 198103 St. Peterburg, Russia А.В. Лунев, М.В. Максимов, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, † Institute fr Festkrperphysik, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, Berliner Technische Universitt, 357 (1996).

D-10623 Berlin, Germany [6] Ю.М. Шерняков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Зайцев, А.Р. Ковш, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, Н.Н. Леденцов,

Abstract

Formation of InAs quantum dots obtained by a subМ.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, Чжао Чжэнь, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма ЖТФ, 23, monolayer migration enhanced molecular-beam epitaxy on misori51 (1997).

ented GaAs(100) surfaces have been studied. Dependence of the [7] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, formation on the angle and degree of the misorientation have been R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, investigated. Increasing the misorientation degree above 3 for A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S. Zaitsev, P.S. Kop’ev, structures with 2 monolayers InAs leads to splitting the QD array Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele. Invited to several groups of the QDs which are different both in size in paper for Conf. ”Modulated Semiconductor Structures” and in electronic structure.

(MSS-7).

[8] Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995).

[9] А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков. П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1682 (1996).

[10] А. Sasaki. Thin Sol. Films, 267, 24 (1995).

[11] Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995).

[12] G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polykov, V.N. Demidov, N.P. Korneeva, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.G. Dubrovskii, G.M. Guryanov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg.

Proc. Int. Symp. ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Peterburg, Russia, 1996) p. 375.

[13] G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, M. Grundmann, D. Bimberg.

Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995).

[14] В.В. Губанов, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 19, (1993).

[15] Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко. Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67, № 8, 111 (1997).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.