WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках © А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Чжао Чжень, В.Н. Петров, Г.Э. Цырлин, Д. Бимберг†, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия † Institute fr Festkrperphysik, Berliner Technische Universitt, D-10623 Berlin, Germany (Получена 29 мая 1997 г. Принята к печати 3 июня 1997 г.) Были проведены исследования формирования квантовых точек InAs, выращенных методом молекулярнопучковой эпитаксии в режиме субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии на поверхностях GaAs(100) с различными углами и направлениями разориентации. Показано, что при осаждении 2 монослоев InAs увеличение угла разориентации выше 3 вдоль направлений [010], [011] и [011] приводит к формированию нескольких групп квантовых точек, различающихся как геометрическими размерами, так и электронной структурой.

Введение InAs на разориентированную поверхность GaAs. Возникновение и размеры таких КТ определяются величиной Большое значение в последнее время в физике полу- и направлением разориентации, а также количеством проводников придается структурам с квантовыми точка- осажденного InAs.

ми (КТ), т. е. объектам, имеющим ограничение по всем трем пространственным направлениям. Наиболее широЭксперимент ко используемым методом получения таких объектов является использование эффекта влияния спонтанной Ростовые эксперименты проводились на установке трансформации напряженного слоя (In,Ga)As на поверхмолекулярно-пучковой эпитаксии Riber-32 на вицинальности (Al,Ga)As на массив однородных островков [1–3].

ных подложках полуизолирующего GaAs(100) с разИспользование этих КТ в качестве активной области личными углами и направлениями разориентации. На инжекционного полупроводникового лазера позволило молибденовый держатель образца одновременно наклеисоздать лазеры с высокой температурной стабильностью, вались с помощью индия несколько образцов с различной низкой пороговой плотностью тока и получить генераразориентацией по углу и направлениям. Процессы роцию в непрерывном режиме при комнатной темпераста производились при постоянном вращении держателя туре мощностью порядка 1 Вт [4–6]. Для улучшения образца с целью уменьшения влияния неравномерности характеристик лазеров на КТ необходимо обеспечить молекулярных потоков и температурного поля нагреуменьшение дисперсии КТ по размерам, что приведет вателя держателя. После удаления окисного слоя в к сужению линии фотолюминесценции. Существует неростовой камере в потоке As выращивался буферный сколько способов управляемо влиять на размеры КТ — слой GaAs толщиной 300 нм при температуре подложки формирование равновесных КТ [7], мультиплицирование Ts = 630C. Эта температура в нашем случае соотКТ [8,9], осаждение КТ на разориентированные поверхветствует моменту перехода реконструкции поверхности ности [10–12].

(24) в (31) и выбиралась из соображений улучшения В данной работе мы исследовали оптические свойэлектрофизических и оптических параметров слоев [14].

ства КТ InAs, осажденных на поверхность GaAs(100), После буферного слоя выращивалась сверхрешетка, соразориентированную вдоль различных кристаллических стоящая из 5 пар слоев GaAs / Al0.3Ga0.7As (2нм/ 2нм) направлений. Разориентация поверхности приводит к с целью исключения возможности диффузии неравновесвозникновению террас, размеры которых зависят от ных носителей в полуизолирующую подложку с высокой угла разориентации. Появление таких террас влияет на концентрацией глубокоуровневых примесей (Cr). Далее энергетику поверхности, что может обеспечить лучшее выращивался слой GaAs толщиной 7 нм и температура ориентационное упорядочивание КТ [13]. Кроме того, образца в потоке As понижалась до Ts = 470C (момент степень и направление разориентации сильно влияют перехода поверхностной реконструкции (24) в (22)).

на латеральные размеры формирующихся КТ [10,11]. Активный слой выращивался в режиме субмонослойной Проведенные в данной работе исследования показывают миграционно-стимулированной эпитаксии [11], заключасуществование нескольких метастабильных групп КТ ющемся в цикличном осаждении In (при отсутствии различного размера, возникающих при осаждении слоя потока As), в количестве, необходимом для осаждения 96 А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов...

0.5 монослоя InAs, с дальнейшей выдержкой в течение 2 30 с в потоке As. Общая номинальная толщина InAs составляла 2 или 3 монослоя (4 или 6 циклов осаждения). После завершения процедуры роста активного слоя при той же температуре выращивался слой GaAs толщиной 7 нм. Далее устанавливалась Ts = 630C и выращивался слой GaAs толщиной 7 нм. После этого выращивалась сверхрешетка, состоящая из 5 пар слоев GaAs / Al0.3Ga0.7As (2нм/ 2нм), с целью исключения влияния поверхностной рекомбинации. При росте сверхрешеток после каждого слоя GaAs производилась выдержка поверхности образца в потоке As в течение 20 с.

Давление As в ростовой камере во всех экспериментах поддерживалось постоянным на уровне 4 · 10-6 Торр.

Значения ранее откалиброванных потоков Ga, Al и In устанавливались таким образом, чтобы скорости роста GaAs, AlGaAs и InAs равнялись 0.5, 0.68 и 0.1 монослоя в секунду соответственно. Измерения скоростей роста производились с помощью системы наблюдения осцилляций зеркального рефлекса дифракции быстрых электронов на отражение [15] при энергии первичного пучка 10 кэВ.

Фотолюминесценция (ФЛ) возбуждалась Ar+-лазером Рис. 2. Спектры фотолюминесценции для образца с 2 мои регистрировалась охлаждаемым фотоэлектронным нослоями InAs на подложках, разориентированного на 5 отумножителем. Исследования ФЛ проводились в гелиевом носительно направления [010] при различных интенсивностях возбуждающего света Iex.

температурном криостате замкнутого цикла.

Рис. 1. Спектры фотолюминесценции для структур с 2 моно- Рис. 3. Спектры фотолюминесценции для структур с 3 монослоями InAs на подложках, разориентированных на 5 вдоль слоями InAs на подложках, разориентированных на 5 вдоль кристаллографических направлений, указанных на рисунке. кристаллографических направлений, указанных на рисунке.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках Рис. 4. Спектры фотолюминесценции для структур с 2 монослоями InAs на подложках, разориентированных на 5 относительно направлений: a — [010], b — [011], c — [011]. Температура измерения спектров указана около кривых.

Результаты и обсуждение На рис. 1 приведены спектры ФЛ для структур, содержащих слой InAs толщиной 2 монослоя (МС), выращенных на точно ориентированной подложке (100) (образец 2-0) и на подложках, разориентированных на 5 вдоль различных кристаллографических направлений. Как видно из данного рисунка, спектры образцов, выращенных на подложках с разориентацией вдоль направлений [010], [011] и [011] (в дальнейшем образцы 2-5[010], 2-5[011], 2-5[011]), различны. Разориентация вдоль направлений [010] и [011] приводит к появлению 3 линий ФЛ, обозначенных на рис. 1 как QD1, QD2 и QD3. В спектре образца 2-5[011] в данных условиях наблюдается только одна линия QD, положение которой совпадает с полосой в спектре ФЛ образца 2-0. Уменьшение интенсивности возбуждающего света при T = 14 K (когда термический выброс носителей из локализованных состояний практически подавлен) не вызывает значительного изменения формы спектра образца 2-5[010] (рис. 2). Это свидетельствует о том, что линии QD1, QD2 и QD3 связаны с рекомбинацией через различные объекты.

Увеличение эффективной толщины осажденного InAs до 3 МС приводит к тому, что доминирующей в спектре ФЛ становится линия QD3 (рис. 3), положение которой (около 1.24 эВ) практически совпадает с положением линии QD3 в спектре образцов с 2 МС InAs. Мы полагаем, что полоса QD3 обусловлена рекомбинацией через равновесные для миграционно-стимулированной Рис. 5. Спектры возбуждения фотолюминесценции (верхние эпитаксии квантовые точки [7]. В то же время в спектре кривые) и спектры фотолюминесценции (нижние кривые) при структуры 3-0 (нижняя кривая на рис. 3), выращенной возбуждении светом с различной длиной волны для образца 2-5[010]. Энергии регистрации спектров возбуждения 1 и на точно ориентированной подложке, полоса QD3 слабо 2 совпадают с максимумами линий QD1 и QD2 соответственно.

выражена, а основной является коротковолновая линия 7 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 98 А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов...

Угол разори- Направление Положение линий в спектрах Длина террасы L, ентации, град. разориентации QD1, мэВ QD2, мэВ QD3, мэВ 3 60 [010] - 1.32 5 35 [010] 1375 ± 5 1300 ± 5 1220 ± [011] 1373 ± 5 1300 ± 10 1250 ± [011] 1355 ± 5 1325 ± 5 7 23 [010] 1376 ± 5 1292 ± 5 1261 ± QD, связанная с КТ меньшего размера. Таким образом, ФЛ. Такое поведение ФЛ типично для КТ и обусловлено разориентация приводит к увеличению вероятности фор- -образной плотностью энергетических состояний в КТ.

мирования равновесных КТ, что согласуется с данны- ФЛ появляется, когда энергия возбуждающего света ми, полученными с помощью сканирующей туннельной попадает в резонанс с возбужденными состояниями в КТ.

микроскопии [12]. На рис. 4 показаны спектры ФЛ Кроме того, это указывает на отсутствие переноса нерав для структур 2-5[010], 2-5[011] и 2-5[011], измеренные новесных носителей между КТ при низкой температуре.

при различной температуре (сдвиг каждой кривой в ко- Спектр возбуждения полосы QD2 содержит максимум, ротковолновую сторону определяется соответствующим который смещается при изменении энергии регистрации температурным изменением ширины запрещенной зоны таким образом, что энергетическое расстояние между поGaAs.). Как видно из этого рисунка, для образцов ложением этого максимума и энергией регистрации оста 2-5[010] и 2-5[011] в области низких температур в спек- ется постоянным. Оно составляет примерно 30 мэВ, что тре доминирует полоса QD1. Возрастание температуры соответствует энергии LO-фонона в InAs. Кроме того, до примерно 70 K приводит к падению интенсивности уменьшение энергии возбуждающего света до значений, этой полосы и основной в спектре становится полоса меньших ширины запрещенной зоны GaAs, приводит к QD2. Дальнейшее увеличение температуры приводит к тому, что преобладающей в спектре становится линия тому, что доминирующей становится линия QD3. Для QD2. Такое поведение ФЛ, по-видимому, обусловлено всех линий наблюдается длинноволновый сдвиг макси- фононным механизмом захвата носителей в КТ. Если мума с ростом температуры, что является типичным энергия связи электрона в КТ, с которыми связана полоса для ФЛ, обусловленной КТ. В спектре образца 2-5[011] QD2, меньше энергии LO-фонона в InAs, то это может при низких температурах также является доминирующей приводить к более медленному захвату носителей в такие линия QD1. Увеличение температуры до примерно 100 K КТ при возбуждении электронно-дырочных пар светом с приводит к преобладанию в спектре полосы QD2. По- энергией больше ширины запрещенной зоны GaAs. При лоса QD3 в спектре этой структуры отсутствует. Таким резонансном возбуждении электронно-дырочные пары образом, полученные результаты свидетельствуют о том, генерируются непосредстенно в возбужденные состоячто в данных условиях в образце 2-5[011] образования ния КТ, что и приводит к изменению интенсивности равновесных КТ не произошло. линий QD2.

Положения максимумов линий QD1, QD2 и QD3 для Для изучения влияния разориентации на ФЛ нами быисследованных структур приведены в таблице. Как вид- ли также исследованы структуры с различной величиной но, положение полос QD1, QD2 для образцов 2-5[010] и угла разориентации, т. е. с разной длиной террас. Для 2-5[011] совпадает. В то же время линия QD3 в спектре образца с 2 МС InAs и с разориентацией 3 (образец структуры 2-5[011] смещена в коротковолновую сторону 2-3[010]) в спектре наблюдается только одна линия, сдвина примерно 30 мэВ по сравнению с той же линией нутая в длинноволновую сторону на примерно 10 мэВ по в спектре структуры 2-5[010], что свидетельствует об отношению к полосе КТ в образце, выращенном на точно уменьшении размеров КТ, обусловливающих данную ли- ориентированной подложке (рис. 6). Увеличение степе нию, в образце 2-5[011]. Для образца 2-5[011] наблюдает- ни разориентации до 5 вдоль направлений [010] и [011], ся коротковолновое смещение линии QD2 и длинновол- как уже было показано выше, приводит к расщеплению новое смещение полосы QD1, что также свидетельствует линии ФЛ на 3 полосы. Дальнейшее увеличение степени об изменении размеров КТ при их формировании на разориентации до 7 (образец 2-7[010]) не вызывает поверхности GaAs данной ориентации. изменения спектрального положения линий QD1 и QD2, Для исследования природы возникновения линий QD1 (рис. 7). Таким образом, размеры КТ, с которыми и QD2 мы исследовали спектры возбуждения ФЛ и связаны эти полосы, по-видимому, практически не измеизменение формы спектра ФЛ с изменением энергии нились. В то же время наблюдается значительное смевозбуждающего света (рис. 5) для образца 2-5[010]. Как щение линии QD3 в область высоких энергий фотонов.

видно из спектра возбуждения линии QD2, при сильном Аналогичное коротковолновое смещение с увеличением приближении энергии возбуждения к энергии регистра- степени разориентации наблюдалось для линий ФЛ в ции происходит значительное падение интенсивности спектрах образцов с 2 МС InAs, разориентированных Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках Рис. 6. Спектры фотолюминесценции для структур с толщиной слоя InAs в единицах монослоя: a —2, b — 3. Температура измерения, направление и угол разориентации указаны на рисунках.

разориентации и длины террас L. Из этой таблицы видно, что, как только длина террасы становиться меньше 60, происходит расщепление линии ФЛ на 3 полосы для разориентации вдоль направления [010]. Это может быть связано с тем, что длина террасы становится меньше длины основания КТ. Увеличение степени разориентации приводит к значительному смещению полосы QDв коротковолновую область спектра, что связано, повидимому, с изменением геометрических размеров КТ, с которыми связана эта линия.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.