WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Резонансное комбинационное рассеяние света напряженными и срелаксированными Ge-квантовыми точками © А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, М.Ю. Ладанов, О.П. Пчеляков, Ш. Шульце, Д.Р.Т. Цан Институт физики полупроводников Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия Технический университет, Д-09107 Кемниц, Германия E-mail: milekhin@thermo.isp.nsc.ru Представлены результаты исследований фундаментальных колебаний в структурах Ge/Si c напряженными и срелаксированными квантовыми точками Ge, выполненных с помощью резонансного комбинационного рассеяния света. Самоорганизованные напряженные квантовые точки Ge/Si выращены в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si, ориентированных в направлении (001). Выращивание ультратонкого слоя оксида кремния до нанесения слоя Ge позволяло формировать срелаксированные квантовые точки Ge.

Резонансное комбинационное рассеяние света, селективное по размеру квантовых точек, позволило однозначно идетифицировать линию вблизи 300 cm-1, обусловленную оптическими фононами, локализованными в срелаксированных квантовых точках Ge. Изучено влияние эффектов локализации и механических напряжений на колебательный спектр структур с квантовыми точками Ge.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 02-02-17746) и ИНТАС(грант N 01-0444).

Трехмерная локализация носителей заряда в кванто- структур, содержащих напряженные и срелаксированные вых точках (КТ) и, как следствие, атомно-подобный КТ Ge, методом резонансного КРС.

электронный спектр таких структур определяют их Структуры с КТ Ge были выращены методом МЛЭ электронные и оптические свойства, существенно отли- слоев Ge и Si на подложках Si, ориентированных в чающиеся от объемных. Выполнено множество экспери- направлении (001), структуры Ge/Si с напряженными ментов, выявивших интересные свойства таких объек- КТ Ge — в ростовом режиме Странского–Крастанова.

тов, позволяющие применять их для создания устойств Температура роста слоя Si составляла 800 и 500C до микроэлектроники, оптоэлектроники с улучшенными ха- и после осаждения Ge соответственно. Слои КТ Ge рактеристиками. Наноструктуры Ge/Si и Ge/SiO2 вы- выращивались при температуре 300C. Контроль толзывают особый интерес в связи с их потенциальным щины и структуры полученных пленок осуществлялся приборным применением и вследствие их возможной по картине дифракции быстрых электронов на отражеинтеграции в современную кремниевую технологию. ние. Исследованные образцы состояли из десяти пар Существует ряд методов создания структур с КТ, однако слоев Ge и Si c номинальной толщиной dGe = 1.4nm наибольший прогресс был достигнут при реализации и dSi = 37 nm. Как было показано ранее [2], перемесамоорганизованного роста наноструктур в процессе шивание атомов Si и Ge для таких толщин слоев молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Этот подход незначительное.

базируется на ростовом режиме Странского–Крастанова, Структуры со срелаксированными КТ Ge были вырапри котором нанесение материала с параметром решет- щены при температуре подложки 600C на слое оксида ки, существенно отличающимся от параметра решетки кремния, предварительно сформированном на подложке на подложке, приводит к формированию массива на- Si непосредственно в ростовой камере при 500C и пряженных островков нанометрового размера. Недавно давлении кислорода 2 · 10-4 Pa. Были получены два самоорганизованный рост был использован для фор- образца с номинальной толщиной слоя Ge 1 и 2 nm. Для мирования срелаксированных КТ. Обнаружено, что для предотвращения окисления КТ на поверхности образца системы Ge/Si нанесение промежуточного слоя оксида наносился слой аморфного кремния толщиной 10 nm.

кремния нанометровой толщины перед эпитаксией слоя Эксперименты по КРС были выполнены в геометриях Ge приводит к образованию срелаксированных КТ Ge рассеяния z (x, x)z и z (x, y)z, где x, y, z направлены размером менее 7 nm [1]. Недавно было показано, что вдоль кристаллографических осей [100], [010], [001].

спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС), В качестве источников возбуждения использовались лаявляясь неразрушающим, экспрессным методом, позвозеры Ar+, Kr+ и He–Ne, имеющие линии генерации ляет получить информацию о структурных параметрах в диапазоне 676.4–457.9 nm (1.83–2.71 eV). Рассеянный КТ (дисперсии размеров и состава КТ, встроенных свет регистрировался в геометрии обратного рассеяния механических напряжениях).

с помощью тройного монохроматора Dilor 800-XY, снабВ настоящей работе представлены результаты ис- женного CCD-камерой для многоканального детектироследования колебательного спектра самоорганизованных вания. Спектральное разрешение составляло 1.5 cm-1.

Резонансное комбинационное рассеяние света... Результаты и обсуждение Структурные параметры КТ Ge были получены с помощью экспериментов по просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения поперечного среза.

На рис. 1 приведены изображения образцов с атомарным разрешением, содержащих напряженные и срелаксированные КТ. Согласно данным электронной микроскопии, КТ Ge/Si являются типичными „hut“-кластерами, размер основания и высота которых составляют соответственно 15 и 1.5–2 nm. Плотность КТ соответствует 3 · 1011 cm-2, а однородность — 20%. КТ Ge, выращенные на поверхности оксида кремния, имеют форму, близкую к полусфере с размером основания 4–6 nm и высотой 3–4 nm. Плотность КТ составляет величину порядка 2 · 1012 cm-2. На основании экспериментов по электронной микроскопии установлено, что помимо КТ Ge формируются островки Ge больших размеров (100–200 nm) плотностью 7.3 · 107 cm-2.

Спектры срелаксированных и напряженных КТ Ge показаны на рис. 2. Интенсивный пик, наблюдаемый на частоте 297 сm-1 в спектре структур со срелаксированными КТ, соответствует КРС оптическими фононами, локализованными в КТ. В спектре КРС структур Ge/Si наблюдается линия КРС на частоте 315 cm-1, соответствующей частоте LO-фонона в псевдоморфных КТ Ge [3]. Особенности вблизи 400 и 520 cm-1 обусловРис. 2. Спектры КРС структур с КТ Ge, выращенных на лены соответственно колебательными модами Ge–Si и тонком слое оксида кремния (a) и на слое Si (b).

фононами Si вследствие рассеяния света подложкой.

Как уже обсуждалось ранее в литературе [4], в спектрах КРС монокристаллического кремния, ориентированного в направлении (001), наблюдается максимум тации спектров КРС наноструктур Ge/Si, содержащих вблизи 300 cm-1 вследствие КРС второго порядка попесрелаксированные КТ Ge. С другой стороны, необхоречными акустическими фононами X и/или точек зоны димо различать влияние механических напряжений в Бриллюэна, что может привести к ошибочной интерпреструктурах с напряженными КТ Ge и эффекта локализации фононов на частоту линии КРС фононами Ge.

Локализация фононов вызывает низкочастотный сдвиг положения линии оптического фонона Ge относительно его объемного значения, в то время как механические напряжения в КТ приводят к высокочастотному сдвигу.

Одним из возможных путей разделения вкладов в КРС КТ Ge и подложкой Si, определения механических напряжений в КТ и роли эффекта локализации является анализ спектров резонансного КРС.

На рис. 3 представлены спектры КРС, измеренные при различной энергии возбуждения в геометрии рассеяния z (x, y)z. Из рисунка видно, что положение линии Ge-фонона КТ cдвигается в область низких частот при увеличении энергии возбуждения лазера, а сама линия уширяется. Такой сдвиг не может быть объяснен изменением напряженного состояния в КТ различного размера, поскольку величина механических напряжений не зависит от размера КТ [5]. Вклад механических Рис. 1. Изображения поперечного среза, полученные менапряжений может быть полностью исключен в экспетодом просвечивающей электронной микроскопии высокого риментах по КРС в резонансных условиях структур со разрешения. a — слой напряженных КТ Ge/Si, b — слой срелаксированных КТ Ge. срелаксированными КТ.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 96 А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, М.Ю. Ладанов, О.П. Пчеляков, Ш. Шульце, Д.Р.Т. Цан Рис. 4. Зависимости интенсивности КРС и частоты оптических фононов Ge от энергии возбуждения для структур с КТ Ge с номинальной толщиной слоя Ge 1 nm (квадраты) и 2 nm (треугольники), выращенных на тонком слое оксида кремния, в геометрии рассеяния z (x, y)z (a) и для структур Ge/Si в геометрии z (x, y)z (светлые символы) и z (x, x)z (темные символы) (b).

На рис. 4 представлены зависимости интенсивности КРС и частоты LO-фонона в КТ Ge от энергии возбуждения, полученные на основе данных рис. 3. Зависимости интенсивности и частотного положения линии КРС от энергии возбуждения позволяют сделать однозначный вывод о природе пика КРС. Частотное положение линии оптических фононов (315 cm-1), локализованных в „hut“-кластерах в нерезонансных условиях (1.83 eV), соответствует псевдоморфному состоянию Ge, в то время как частота оптических фононов в срелаксированных КТ Ge (300 cm-1) совпадает с частотой оптических фононов в объемном Ge. Положение линии оптических фононов, локализованных в КТ Ge, сдвигается в область низких частот при увеличении энергии возбуждения от 2.5 до 2.7 eV. Этот сдвиг составляет 4–5 и 10 cm-1 для Рис. 3. Спектры КРС срелаксированных (a) и напряженструктур с напряженными и срелаксированными КТ Ge ных (b) структур с КТ Ge (номинальная толщина слоя соответственно и указывает на наличие распределения Ge 1 nm), измеренные в геометрии рассеяния z (x, y)z при КТ по размерам.

различной энергии возбуждения. Частотное положение линии оптических фононов объемного Ge показано вертикальной Зависимость интенсивности КРС от энергии возбулинией.

ждения обнаруживает максимум вблизи 2.2–2.4 eV. БольФизика твердого тела, 2004, том 46, вып. Резонансное комбинационное рассеяние света... шое уширение резонансного пика (0.4 eV) может быть Средний размер срелаксированных КТ Ge, участвуобъяснено вкладом нескольких резонансов. Максимум ющих в процессе КРС, оценивался в предположении, интенсивности для срелаксированных КТ при 2.35 eV что КТ имеют сферическую форму. Использована фе(при номинальной толщине Ge 1 nm) соответствует E0 номенологическая модель [8], позволяющая рассчитать резонансу в КТ Ge. Энергия E0 резонанса в объемном спектр КРС сферическими КТ разного размера в области германии составляет 0.9 eV, в то время как в КТ оптических фононов. Из сравнения частотного положеGe она достигает значения 2.5 eV вследствие эффекта ния и полуширины линии КРС оптическими фононами в локализации [6]. При большей номинальной толщине рассчитанных и экспериментальных спектрах определен слоя Ge (2nm) положение максимума сдвигается в средний размер КТ. Средний размер КТ, вносящих преобласть высоких энергий (2.42 eV), что указывает на имущественный вклад в спектры КРС, записанные при формирование КТ Ge меньшего размера. Особенность, энергии возбуждения 2.18, 2.41, 2.47, 2.54, 2.63 и 2.66 eV, наблюдаемая при 2.2 eV, по всей видимости, обусловлена составляет 7.5, 5.4, 3, 2.2 и 2 nm соответственно.

переходом E1 в срелаксированных КТ. Таким образом, методом МЛЭ выращены структуры В напряженных КТ Ge максимум зависимости близок с напряженными и срелаксированными КТ Ge. Форма к резонансу при 2.34 eV, наблюдаемому в [7], и обуслов- и размер КТ определены с помощью экспериментов лен переходом E1. Вследствие двуосного напряжения по высокоразрешающей электронной микроскопии и сжатия энергия перехода E1 увеличивается на 0.16 eV спектроскопии КРС. Резонансное КРС (избирательное по сравнению с его объемным значением (2.23 eV). по размеру КТ) позволяет однозначно идентифицировать Вклады в резонансный профиль КРС могут вносить линии КРС, обусловленные оптическими фононами Ge, также резонансы E0 в смачивающем слое Ge (2.0–2.2 eV) и изучить влияние эффекта локализации и механических и в КТ Ge (2.4–2.6 eV), что приводит к уширению напряжений на колебательный спектр структур с КТ.

особенности.

Интенсивность КРС для КТ малого размера, в котоСписок литературы рых электронные состояния имеют большую энергию, возрастает при достижении энергией возбуждения лазе[1] A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B 62, ра значения резонанса E0. Поскольку КТ распределены (2000).

по размерам, в нерезонансных условиях наиболее веро[2] A.G. Milekhin, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S. Schulze, ятно, что именно точки большого размера, для которых D.R.T. Zahn. Eur. Phys. J. B 16, 355 (2002).

эффект локализации пренебрежимо мал, вносят наи- [3] A. Milekhin, S. Schulze, D.R.T. Zahn, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov. Appl. Surf. Sci. 175–176, 629 (2001).

больший вклад в процесс КРС. При увеличении энергии [4] A.V. Kolobov. J. Appl. Phys. 87, 2926 (2000).

возбуждения (выше 2.3 eV) точки малого размера ока[5] A.V. Nenashev, A.V. Dvurechensky. JETP 91, 497 (2000).

зываются вовлеченными в процесс КРС. В этих точках [6] A.B. Talochkin, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, S.A. Teys. JETP оказывается существенным и эффект локализации опLett. 70, 288 (1999).

тических фононов, который проявляется в уменьшении [7] C.H. Kwok, P.Y. Yu, C.H. Tung, Y.H. Zhang, M.F. Li, C.S. Peng, частоты оптических фононов, наблюдаемых в спектрах J.M. Zhou. Phys. Rev. B 59, 4980 (1999).

КРС. Для срелаксированных КТ этот сдвиг превышает [8] I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Solid State Commun. 58, соответствующее значение, характерное для структур (1986).

с напряженными КТ, что свидетельствует о меньшем размере срелаксированных КТ.

Используя значения частот оптических фононов, можно определить средний размер КТ Ge, участвующих в процессе КРС. Как показано в работе [6], оптические фононы Ge упруго отражаются на гетерогранице Ge/Si граней и основания пирамидальной КТ, образуя резонатор. Известное дисперсионное соотношение для оптических фононов Ge позволяет получить волновой вектор локализованных в таком резонаторе фононов q =(0.25 ± 0.05)/a. Для первой оптической моды, локализованной в КТ Ge, выполняется соотношение 2h cos = /q, где h и — соответственно высота КТ и угол между основанием и гранью пирамиды. Высота КТ, определенная из этого соотношения, составляет 0.9 ± 0.2 nm. Таким образом, КТ Ge, принимающая участие в КРС при 2.71 eV, имеет высоту 0.7 nm и размер основания 9 nm.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.