WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

нения смещения захваченный в диэлектрике заряд не успевает рассасываться за время поддержания фиксированного потенциала. В диэлектрических слоях структуры возникают внутренние поля, создаваемые захваченными зарядами. При некоторой величине внешнего смещения внутреннее поле уравновешивает внешнее — в этом случае ток достигает минимума. При дальнейшем уменьшении отрицательного смещения начинает превалировать ток противоположного направления за счет разряда ловушек. Этот ток возрастает до максимального значения при нулевом потенциале, что и определяет образование ОДС. При переходе потенциала в область положительных значений ток, обусловленный внешним смещением, начинает расти и компенсировать ток разряда. В минимуме ОДС происходит выравнивание этих токов. Понижение максимума тока ОДС и сглаживание этой области (рис. 3) при увеличении временного шага изменения внешнего напряжения смещения объясняется снижением внутренних полей за счет падения концентраРис. 3. Вольт-амперная характеристика структуры Si/CaFции заряда на локализованных состояниях в диэлектрике, при временных шагах изменения внешнего напряжения сме так как большая часть этого заряда успевает рассосаться, щения tS, с: 1 —1, 2 —3, 3 — 10, 4 — 20. Параметры расчета:

N = 4, nk = 5 · 1024 м-3.

т. е. покинуть ловушки.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Зарядовые эффекты, контролирующие токовый гистерезис и отрицательное дифференциальное... резиса, при температуре 250 K по причине экспоненциального уменьшения вероятности захвата носителей заряда на локализованные состояния в диэлектрике и их накопления на этих состояниях. Уменьшение толщины диэлектрика также снижает эффект от накопления заряда в структуре.

4. Заключение Предложена модель транспорта носителей заряда в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 путем переноса по локализованным состояниям в диэлектрике, которая была использована для анализа механизма появления отрицательного дифференциального сопротивления, экспериментально наблюдаемого в таких структурах. Установлено, что возникновение встроенного поРис. 4. Вольт-амперная характеристика структуры Si/CaF2 при ля в диэлектрике в результате поляризации захваченного изменении числа периодов N: 1 —4, 2 — 10, 3 — 20; tS = 1с, локализованными состояниями заряда и последующий nk = 5 · 1024 м-3.

разряд этих состояний объясняют гистерезис вольт-амперных характеристик при смене полярности приложенного внешнего напряжения и приводят к появлению участка отрицательного дифференциального сопротивления на этих характеристиках. Показано, что при экспериментальной регистрации вольт-амперных характеристик эффект заряда–разряда локализованных состояний должен уменьшаться при увеличении временного интер вала измерения тока до 20 с и шага изменения приложенного напряжения до 0.6 В. Наиболее сильное влияние на появление отрицательного дифференциального сопротивления в исследуемых структурах оказывает плотность носителей заряда на контактах, плотность ловушечных центров и величина приложенного начального смещения.

Снижение температуры от комнатной до 250 K ведет к исчезновению участка отрицательного дифференциального сопротивления. При комнатной же температуре это происходит, если структура состоит более чем из 25 периодов.

Рис. 5. Вольт-амперная характеристика структуры Si/CaF2 при Работа выполнена в рамках Межвузовской программы величине начального смещения Vmax = -2 В и параметрах:

”Наноэлектроника” и проекта Т99-102 Фонда фундаменN = 4, tS = 1с. nk, 1024 м-3: 1 — 10, 2 —5, 3 —1.

тальных исследований Республики Беларусь.

Список литературы с ростом концентрации на контактах наблюдается увеличение области ОДС. Это справедливо при условии, [1] L.L. Chang, P.J. Stiles, L. Esaki. J. Appl. Phys., 38, что концентрация ловушек существенно превышает кон(1967).

центрацию на контактах. Однако рост ОДС ограничива[2] L. Esaki. Phys. Rev., 109, 63 (1958).

ется поляризацией диэлектрика, которая уменьшается с [3] S. Mnard, A.N. Kholod, M. Liniger, F. Bassani, V.E. Boriростом степени заполнения ловушек носителями заряда. senko, F. Arnaud d’Avitaya. Phys. St. Sol. (a), 181, 424 (2000).

[4] S. Mnard, M. Liniger, F. Bassani, F. Arnaud d’Avitaya, Если это условие не соблюдалось, то рост гистерезиса A.N. Kholod. In: Physics, Chemistry and Application of ВАХ и области ОДС не происходит.

Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko et al. (World Scientific, В проведенных расчетах также было оценено влияние Singapore, 1999) p. 365.

температуры на ВАХ периодической структуры Si/CaF2.

[5] Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. БориКак показали полученные результаты, при снижении темсенко. ФТП, 35 (1), 110 (2001).

пературы от 300 до 150 K ток экспоненциально убывает [6] E.H. Nicollian. J. Vac. Sci. Technol., 14, 1112 (1977).

в 105 раз. Область ОДС нивелируется при понижении [7] V. Ioannou-Sougleridis, T. Ouisse, A.G. Nassiopoulou, F. Basтемпературы до 280 K и исчезает, как и эффект гисте- sani, F. Arnaud d’Avitaya. J. Appl. Phys., 89 (1), 610 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 96 Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко [8] M.T. Cuberes, A. Bauer, H.J. Wen, M. Prietsch, G. Kaindl. J.

Vac. Sci. Technol. B, 12, 2646 (1994).

[9] V. Ioannou-Sougleridis, T. Tsakiri, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, S. Menard, F. Arnaud d’Avitaya. European Projects:

Silicon Modules for Integrated Light Engineering (Marseille, France, 2000) p. 133.

[10] В.Я. Кирпиченков. ЖЭТФ, 113, 1522 (1998).

[11] К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1984) т. 1, с. 350. [Пер. с англ.: K.C. Kao, W. Hwang. Electrical transport in solids (Oxford–N. Y.–Toronto–Sydney–Paris–Frankfurt, Pergamon Press) v. 1].

[12] J.M. Shannon, B.A. Morgan. J. Appl. Phys., 86, 1548 (1999).

[13] C. Svensson, I. Lundstrm. J. Appl. Phys., 44, 4657 (1973).

[14] В.Е. Борисенко, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод. Микроэлектроника, 27, 170 (1998).

Редактор Т.А. Полянская Charge effects controlling hysteresis of current and negative differential resistance in periodical nanosize Si/CaFstructures J.A. Berashevich, A.L. Danilyuk, A.N. Kholod, V.E. Borisenko Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, 220013 Minsk, Belarussia

Abstract

A kinetic model of thermoemission carrier transport in nanosize periodical structures Si/CaF2 via traps in dielectric is proposed. Computer simulation of the current–voltage characteristics of such structures has shown that the inside field arises in a dielectric due to polarization of the trapped charge. This results in current hysteresis and negative differential resistance region at the current–voltage characteristics when the bias polarity is changed. The nature of trap states in the dielectric affects significantly the appearance of the negative differential resistance.

At temperature below 250 K, the portion of negative differential resistance vanishes. At experimental registration of current–voltage characteristics the charge–discharge processes of the trap states should become gradually less efficient with an extension of the time interval of the current measurements at a constant voltage up to 20 s, as well as with applied voltage steps increase to 0.6 V.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.