WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, выше представлены эксперименталь[7] Бохан П.А., Колбычев Г.В. // ЖТФ. 1981. Т. 51. Вып. 9.

ные исследования условий получения убегающих элекС. 1823–1831.

тронов при повышенном давлении в криптоне, ионе и [8] Tkachev A.N., Yakovlenko S.I. // Laser Physics. 2002. Vol. 12.

гелии, а также в азоте. В криптоне эти исследования N 7. P. 1022–1028.

проведены впервые. В неоне при атмосферном давлении [9] Ткачев А.Н., Яковленко С.И. // Кр. сообщ. по физ. ФИАН.

получен электронный пучок с плотностью тока пучка 2004. № 2. С. 43–51.

более 6 A/cm2. При улучшении разрешения системы ре[10] Козырев А.В., Королев Ю.Д. // ЖТФ. 1981. Т. 51. Вып. 10.

гистрации в гелии и азоте зафиксирована длительность С. 2210–2213.

тока пучка электронов на полувысоте 0.2ns.

На примере формирования пучка электронов в азоте продемонстрировано, что с появлением искровых каналов условия генерации пучка ухудшаются. Это связано как с уменьшением поперечного размера объемного разряда, так и с закорачиванием электродов искровым разрядом. Эти факты нельзя объяснить, полагая, что пучок электронов за фольгой формируется из электронов, эмиттируемых с конца прорастающего искрового канала [10].

Моделирование распространения быстрых электронов предшествующих электронной лавине показало, что для обеспечения быстрой предыонизации необходимо превысить некоторое значение напряжения, определяемое, в частности, расстоянием между электродами. При этом фронт импульса должен быть короче времени предыонизации. Это приводит к требованию субнаносекундной длительности нарастания напряжения при атмосферном давлении.

Таким образом, при изменении давления криптона от 70 до 760 Torr, неона от 150 до 760 Torr и гелия от 300 до 4560 Torr при подаче наносекундного импульса напряжения с субнаносекундным фронтом формируются пучки из убегающих электронов. Генерация пучка происходит в тот момент, когда плазма в разрядном промежутке приближается к аноду и начинает выполняться нелокальный критерий убегания электронов. При этом распространение разряда происходит за счет размножения фоновых электронов. Повышенная фоновая плотность электронов обеспечивается за счет предыонизации Журнал технической физики, 2005, том 75, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.