WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Эти величины говорят о значительном снижении дан1996. Т. 38. Вып. 8. С. 2493–2501.

ных материалов при переходе от объемных образцов [7] Гольцман Б.М., Леманов В.В., Дедык А.И. и др. // Письма к тонким пленкам (например, в объемных образцах в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 15. С. 46–52.

твердого раствора 0.9 PMN–0.1 PT = 30 000 [23]), что [8] Abe K., Komatsu Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 31.

указывает на наличие больших резервов для повышения Pt. 1. P. 2985–2988.

Cs конденсаторов за счет увеличения пленок при [9] Liang S., Chem C.S., Shi Z.Q. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994.

совершенствовании технологии их получения. Возможно Vol. 64. N 26. P. 3563–3565.

повышение Cs и за счет снижения d.

[10] Lee W.-J., Kim H.-G., Yoon S.-G. // J. Appl. Phys. 1996.

Vol. 80. N 10. P. 5891–5894.

[11] Baumert B.A., Chang L.-H., Matsuda A.T. et al. // Integrated Заключение Ferroelectrics. 1997. Vol. 17. N 1–4. P. 165.

[12] Hwang C.S., Park S.O., Cho H.-J. et al. // Appl. Phys. Lett.

1. Оценка удельной емкости Cs конденсаторов памяти 1995. Vol. 67. N 19. P. 2819–2821.

на основе сегнетоэлектриков с учетом их вольт-фарадной [13] Hwang C.S., Kang C.S., Cho H.-Ju. et al. // Integrated зависимости и токов утечки показывает, что значения Cs Ferroelectrics. 1996. Vol. 12. N 2–4. P. 199-213.

конденсаторов с пленками STO и BST отвечают требо- [14] Nagakari Sh., Kamigaki K., Nambu Sh. // Jpn. J. Appl. Phys.

ваниям для интегральных схем динамической памяти с 1996. Vol. 35. Pt. 1. N 9B. P. 4933–4935.

информационной емкостью 64 и 256 Mbit соответствен- [15] Udayakumar K.R., Chen J., Kumar V. et al. // Proc. 7th Intern.

Symp. Applic. Ferroel. Urbana–Champaign, 1990. P. 744–746.

но. Значения Cs конденсаторов с пленками PZT и PLZT [16] Francis L.F., Payne D.A. // Proc. 7th Intern. Simp. Applic.

близки к требованиям для информационной емкости Ferroel. Urbana–Champaign, 1990. P. 263–266.

1Gbit.

[17] Cho H.-J., Kang C.S., Hwang C.S. et al. // Jpn. J. Appl. Phys.

2. Конденсаторы с пленками релаксорных сегнетоэлек1997. Vol. 36. N 7A. P. L874–L876.

триков (PMN, PMN–PT, PST) в настоящее время по [18] Cha S.Y., Jang B.-T., Kwak D.-H. et al. // Integrated величине Cs уступают конденсаторам на основе BST, PZT Ferroelectrics. 1996. Vol. 17. N. 1–4. P. 187–195.

и PLZT, но имеются значительные резервы повышения [19] Paik D.-S., Shin H.-Y., Choi H.-W. et al. // Ferroelectrics.

их удельной емкости как за счет уменьшения толщины 1997. Vol. 200. N 1–4. 185–195.

пленки, так и за счет сокращения большого разрыва [20] Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Физика в значениях пленок и объемных материалов. Такие сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985. 396 с.

[21] Tantigate C., Lee J., Safari A. // Appl. Phys. Lett. 1995.

резервы есть также у конденсаторов на основе BST.

Vol. 66. N 13. P. 1611–1613.

3. Расчет показывает, что в конденсаторах с пленками, [22] Patel A., Shorrocks N., Whatmore R. // Ferroelectrics. 1992.

находящимися в парафазе (на примере BST), скорость Vol. 134. N 1–4. P. 343–348.

падения напряжения при разряде существенно возраста[23] Smirnova E.P., Rubinshtein O.V., Isupov V.A. // Ferroelectrics.

ет из-за сильной вольт-фарадной зависимости. В конден1993. Vol. 143. N 1–4. P. 263–270.

саторах с пленками, находящимися в сегнетофазе (PZT), при полях, близких к коэрцитивным, этот эффект должен проявляться в слабой степени.

Авторы выражают благодарность В.В. Леманову за полезные обсуждения.

Работа выполнена при финансовой поддержке Программы ”Физика твердотельных наноструктур” (проект № 97-2017).

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.