WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

нетоэлектрических кристаллах более широкого класПодставляя также данные в формулу (42) работы [1] са [18–20], а не только в собственных сегнетоэлектриках и оценивая 0 как 0 1031 m-2s-1, получим для со 180 доменами. Для этого необходимо в зависимость времени установления стационарного потока t 10-10s Относительно зависимости скорости зародышеобразования от H в полях E 105 V · m-1. Подобным образом мы можем смотрите работу [1]. Там мы приняли, что H 1/1/3. В общем оценить величину потока I зарождающихся доменов по случае частота зародышеобразования, как можно видеть, зависит от формуле (38) работы [1]. Так, если переключающее толщины образца. В тонких пленках, которые, как правило, состоят поле равно, например, V 107 V · m-1, то для того из мелких блоков, вероятность зарождения доменов переполяризации же кристалла, находящегося при той же температуре будет существенно зависеть от размера блоков.

Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках изобарно-изотермического потенциала ввести дополнительные члены и учесть возникающие при этом компоненты упругой энергии. В дальнейшем мы предполагаем развить этот подход. Тем не менее общий вид уравнений, полученных нами, должен остаться прежним.

В заключение авторы выражают глубокую признательность А.Г. Амброку за помощь при численном решении уравнений (30) и (39).

Список литературы [1] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80 (2001).

[2] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998).

[3] S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Prog. in Surf. Sci. 56, 1, (1996).

[4] S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Chem. Phys. 107, (1997).

[5] А.А. Чернов. В кн.: Современная кристаллография. Т. 3.

Наука. М. (1980). С. 7.

[6] С.А. Кукушкин, Т.В. Сакало. ФТТ 34, 4, 1102 (1992).

[7] S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta metall mater. 41, 4, (1993).

[8] V.V. Slezov. Phys. Rev. 17, 1 (1995).

[9] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ЖЭТФ 113, 6, 2197 (1998).

[10] В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова. ФТТ 39, 2, (1997).

[11] Y. Ishibashi, Y. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn. 31, 506 (1971).

[12] А.Н. Колмогоров. Изв. АН СССР. Сер. мат. 3, 355 (1937).

[13] M. Avrami. J. Chem. Phys. 7, 1103 (1939).

[14] V.G. Dubrovskiy. Phys. Stat. Sol. (b) 171, 345 (1992).

[15] A.V. Osipov. Thin Solid Films. 261, 173 (1995).

[16] L.I. Dontzova, N.A. Tikhomirova, L.A. Shuvalov. Ferroelectrics 97, 87 (1989).

[17] Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Под ред.

Г.А. Смоленского и др. Наука, Л. (1974). 476 с.

[18] C.L. Wang, L. Zhang, W.L. Zhong, P.L. Zhang. Phys. Lett.

A254, 297 (1999).

[19] Н.Н. Крайник, Л.С. Камзина. ФТТ 37, 4, 999 (1995).

[20] В.В. Леманов, Е.П. Смирнова, Е.А. Тараканов. ФТТ 39, 4, 714 (1997).

Физика твердого тела, 2001, том 43, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.