WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

талл–полупроводник и границе металлический клаОчевидно, что с ростом размеров кластеров и при стер–полупроводник обусловлено состояниями, породостаточно больших РЭЯ уровень Ферми должен стрежденными антиструктурными дефектами GaAs интермиться к некоторому предельному значению, соответфейсных слоев. Эти состояния одновременно выстуствующему контакту металл–полупроводник с плоской пают и как щелевые металл-индуцированные состояграницей. Для тетраэдрических кластеров этому прения и как ”перенормированные” за счет взаимодейделу отвечает поверхность с бесконечными индексаствия состояния глубоких уровней одиночных дефекми Мюллера. Для хорошо изученных границ (001) тов GaAs. С этой точки зрения, модели Хейне [17] и (110) высоты барьеров Шоттки для GaAs довольно и Спайсера [18] являются не альтернативными, как близки [15,16], что, можно ожидать, имеет место и обычно полагают [14–16,19], а тесно связанными и для других ориентаций границы. Была изучена зависивзаимодополняющими.

мость энергии EF от толщины слоя металла в сверхрешетках (GaAs)n(Ga)n (001), n — число монослоев Работа выполнена в рамках программы ”Фуллерены и (n = 1,..., 6). Металлические слои рассматривались в атомные кластеры” и при поддержке Российского фонда структуре цинковой обманки и получались добавлением фундаментальных исследований.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 88 С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев Список литературы [1] М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998).

[2] J.-Y. Yi. Phys. Rev. B, 61, 7277 (2000); I. Vasiliev, S. Ogut, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 60, R8477 (1999); A. Rubio, J.A. Alonso, X. Blase, L.C. Balbas, S.G. Louie. Phys. Rev.

Lett., 77, 247 (1996); D. Nehete, V. Shah, D.G. Kanhere.

Phys. Rev. B, 53 2126 (1996); U. Rothlisberger, W. Andreoni, M. Parrinello. Phys. Rev. Lett., 72, 665 (1994); J.-Y. Yi, D.J. Oh, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 67, 1594 (1991).

[3] E. Koch. Phys. Rev. Lett., 76, 2678 (1996); W. Ekardt. Phys.

Rev. B, 31, 6360 (1985).

[4] Y. Wang, N. Herron. Phys. Rev. B, 42, 7253 (1990).

[5] P.E. Lippens, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 39, 10 935 (1989).

[6] A.M. Mazzone. Phys. Rev. B, 54, 5970 (1996).

[7] M.V. Ramakrishna, R.A. Friesner. Phys. Rev. Lett., 67, (1991).

[8] L.W. Wang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 11 417 (1996).

[9] С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30, 88 (1996); 32, (1998).

[10] C. Berthod, N. Binggeeli, A. Baldereschi. Phys. Rev. B, 57, 9757 (1998).

[11] C. Corbel, F. Pierre, K. Saarinen, P. Hautojarvi. Phys. Rev. B, 45, 3386 (1992).

[12] С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 39, (1996).

[13] P.R. Skeath, I. Lindau, P. Pianetta, P.W. Chye, C.Y. Su, W.E. Spicer. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., 17, (1979).

[14] J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30, 4874 (1984).

[15] Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990).

[16] F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20, 145 (1987).

[17] V. Heine. Phys. Rev., 138, 1689 (1965).

[18] W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch, C.Y. Su, L. Lindau. J.

Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979).

[19] P. Phatak, N. Newman, P. Dreszer, E.R. Weber. Phys. Rev., B, 51, 18 003 (1995).

Редактор В.В. Чалдышев Deep levels of clusters from gallium atoms in GaAs S.N. Grinyaev, V.A. Chaldyshev Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia

Abstract

Localized electronic states created by tetrahedral clusters from gallium atoms in band gap of GaAs are studied by methods of pseudopotential and large unit cell (8 8 8). It is shown that Fermi level (EF) reaches fast its limit value, which is close to Shottky barrier for plane metal–semiconductor interface, with growing cluster size. The band gap batween filled and empty quantum confinement levels is equal to 0.06 eV for the biggest cluster of 159 gallium atoms. The energy and ”tails” of metalinduced states near EF are mostly determined by external layers of antisite defects GaAs.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.