WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах InAs / GaAs ¶ + + © Г.Г. Тарасов, З.Я. Жученко, М.П. Лисица, Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, + G.J. Salamo, T. Warming, D. Bimberg, H. Kissel• Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина + Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, 72701 Arkansas, USA Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt Berlin, 10623 Berlin, Deutschland • Ferdinand-Braun-Institut fr Hchstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Deutschland (Получена 11 апреля 2005 г. Принята к печати 26 апреля 2005 г.) Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs = 1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs = 2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs = 50 монослоев. В такой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам.

PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc 1. Введение механической связи порядка нескольких десятков мэВ, что по порядку величины сравнимо с величиной неоднородного уширения спектров [5].

Две близко расположенные квантовые точки (КТ) с Понимание особенностей квантово-механического перекрывающимися волновыми функциями носителей связывания КТ в квантовые молекулы может быть заряда, локализованных в КТ, образуют так называемую „искусственную молекулу“, которая может рассматри- достигнуто путем исследования двухслойных структур ваться, например, как квантовый бит (qubit) в опти- InAs / GaAs, состоящих из КТ разных размеров в первом (seed) и последующем (втором) слоях, разделенных ческих компьютерах [1–3]. В подобных образованиях спейсером GaAs варьируемой толщины [12–14]. Такая связь осуществляется благодаря туннелированию элекструктура позволяет независимым образом контролитронов и дырок между смежными КТ, разделенными ровать плотность и распределение по размерам КТ во тонким барьером [4,5]. В реальных системах проблевтором слое.

мой является создание условий резонансного квантовоВ данной работе представлены результаты системамеханического туннелирования ввиду неизбежной неодтического исследования условий возникновения асимнородности КТ по размерам, по составу, по распреметричных квантовых молекул, т. е. квантовых молекул, делению напряжений, возникающей при молекулярносостоящих из двух разных по размерам КТ, в слабо пучковой эпитаксии (МПЭ). Например, самоорганизокоррелированных системах КТ, реализуемых при дованные КТ, полученные в результате выращивания сильстаточно толстых спейсерах GaAs. Каналы переноса нонапряженных эпитаксиальных слоев (In,Ga)As на подэнергии от малых КТ, расположенных в первом слое, к ложку GaAs(100), типично характеризуются неоднородбольшим КТ второго слоя в асимметричных квантовых ностью по размерам 10% [6–9]. Новые возможности молекулах не достаточно хорошо изучены в настоящее для создания связанных квантовых структур открывает время [12,15]. Для однозначной идентификации этих эффект вертикального выстраивания наноостровков, отканалов следует надежно идентифицировать состояния крытый в многослойных системах [10,11]. Вертикальное квантовых молекул среди сложного набора дискретных выстраивание обусловлено полями упругих напряжесостояний, видимых в спектрах фотолюминесценции ний, создаваемыми КТ нижележащих слоев. Увеличе(ФЛ) или в спектрах возбуждения ФЛ слабо коррелиние размеров КТ в вышележащем слое и уменьшение рованных двухслойных систем КТ InAs / GaAs. С этой эффективной критической толщины 2D-3D перехода целью вводится дополнительное ограничение носителей связываются с накоплением в этом слое упругой энербарьерами AlGaAs, которые предотвращают диффузию гии. Новые достижения в области технологии роста носителей из области КТ в подложку GaAs и в накрывакоррелированных КТ позволяют получать квантовые ющую поверхность структуры (cap layer) и способствумолекулы в структуре InAs / GaAs с энергиями квантовоют эффективному оптическому заселению состояний КТ.

¶ E-mail: tarasov@isp.kiev.ua Кроме того, при такой геометрии структуры можно Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах... ожидать, что количество оптически возбужденных носителей будет примерно одинаковым как над областью КТ, так и под ней.

2. Образцы и методика экспериментальных исследований Образцы были выращены методом МПЭ в камере, сочлененной со сканирующим туннельным микроскопом (СТМ), работающим при ультравысоком вакууме. Они представляли собой слабо коррелированные структуры, состоящие из последовательности слоев от поверхности к подложке:

20 нм GaAs (cap), Рис. 1. Энергетическая схема состояний квантовых точек в 28 нм Al0.3Ga0.7As, двухслойных структурах InAs / GaAs.

57 нм GaAs, 2.4 монослоя (МС) InAs (слой больших КТ), спейсер GaAs — 50 МС, 1.8 МС InAs (слой малых КТ), малых КТ (первый слой) изображены жирными гори57 нм GaAs, зонтальными линиями. Штриховыми линиями изобра28 нм Al0.3Ga0.7As на подложке GaAs(001). жены процессы вертикального переноса заряда межСтруктурные исследования были выполнены в ре- ду туннельно-связанными КТ. Процессы надбарьерного жиме plan-view на СТМ и с помощью просвечива- оптического возбуждения изображены вертикальными ющей электронной микроскопии (ПЭМ). Сигнал ФЛ стрелками, направленными вверх. Излучательные перевозбуждался различными источниками: Ar+, Ti-сапфир ходы между основными состояниями КТ изображены или He-Ne-лазерами в зависимости от исследуемой стрелками, направленными вниз. На рис. 2, a показаны области спектра. Спектры возбуждения ФЛ измерялись спектры ФЛ для структуры, изображенной на рис. 1, в гелиевом криостате с помощью вольфрамовой лампы, при трех различных энергиях кванта возбуждающего свет которой диспергировался 0.27-метровым двойным света: 2.41 эВ — выше барьера AlGaAs, 1.55 эВ — выше решеточным монохроматором, служившим в качестве барьера GaAs и 1.355 эВ — ниже края поглощения смаперестраиваемого маломощного (< 0.02 Вт / см2) источчивающего слоя. Спектры, представленные на рис. 2, a, ника возбуждения ФЛ, сигнал которого затем регистридемонстрируют сильную зависимость от энергии кванта ровался с помощью охлаждаемого германиевого диода возбуждения. В спектре ФЛ, возбуждаемом в области на выходе 0.30-метрового монохроматора. ПЭМ-анализ 2.41 эВ (выше барьера AlGaAs), отчетливо видны две подтверждает слабую (50%) вертикальную корреляцию полосы, приписываемые, соответственно, излучению масмежных слоев КТ в исследуемых структурах. Статилых КТ (SQDs) первого слоя в области 1.253 эВ и стическая обработка СТМ-изображений дает следуюизлучению больших КТ (LQDs) второго слоя в области щие средние размеры КТ в первом слое: высота — 1.106 эВ. При возбуждении в области энергий, мень(4 ± 1.5) нм, размер основания — (20 ± 3) нм, плотших энергии барьера AlGaAs (рис. 2, a, Eexc = 1.55 эВ и ность — 4.5 · 1010 см-2. Плотность КТ во втором слое Eexc = 1.355 эВ), форма спектра ФЛ существенно измеоказывается порядка 2 · 1010 см-2. КТ второго слоя преняется, что отражает особенности релаксации носителей восходят вдвое по объему КТ первого слоя, что обукак в барьере GaAs, так и в смачивающем слое InAs. Тасловлено как большим количеством нанесенного InAs кой вывод следует из анализа спектров возбуждения ФЛ.

во втором слое, так и полями упругих напряжений, На рис. 2, b представлены такие спектры, записанные создаваемых КТ первого слоя [13,14].

при спектральных положениях монитора, отвечающих максимумам полос ФЛ, возбуждаемой в области 2.41 эВ (см. рис. 2, a). Интенсивное поглощение, наблюдаемое 3. Результаты экспериментов в области энергий, больших энергии излучения малых и их обсуждение КТ, доказывает существование протяженных хвостов плотности состояний смачивающего слоя InAs и возПри исследовании спектра подбарьерных состояний в бужденных состояний КТ как первого, так и второго наших структурах с КТ следует принимать во внимание наличие двух разных барьеров, GaAs и AlGaAs, огра- слоев. Сигнал ФЛ, записанный в области Edet = 1.106 эВ, ничивающих движение носителей. Схематически энерге- соответствующей максимуму ФЛ больших КТ (второй тическая диаграмма дискретных состояний в двухслой- слой), оказывается достаточно интенсивным при возбуной структуре InAs / GaAs показана на рис. 1. Уров- ждении в спектральной области излучения малых КТ ни основных состояний больших КТ (второй слой) и (первый слой). Это свидетельствует об эффективном 6 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 84 Г.Г. Тарасов, З.Я. Жученко, М.П. Лисица, Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, G.J. Salamo, T. Warming...

переносе энергии из этой области в область энергий, отвечающих переходам между основными состояниями больших КТ. Такой перенос может быть либо внутриточечным, если носитель в результате поглощения кванта света окажется в возбужденном состоянии большой КТ и впоследствии безызлучательно релаксирует в основное состояние этой же точки, либо межточечным, если носитель возбуждается в основном состоянии малой КТ и затем переносится в основное состояние большой КТ, связанной со смежной малой КТ туннельным образом. Такой процесс возможен и свидетельствует о вертикальном спаривании КТ смежных слоев, в результате которого образуются новые квантово-механические образования, которые мы называем асимметричными квантовыми молекулами. Для того чтобы уточнить детали межслоевого связывания КТ, мы в последующем исследовали зависимость спектра ФЛ от длины волны возбуждающего света при подбарьерном возбуждении.

Широкая низкоэнергетическая полоса, проявляющаяся в спектре ФЛ КТ (рис. 2, a) в области 0.96 эВ при возбуждении в области переходов КТ первого слоя (Eexc = 1.355 эВ), по-видимому, связана с дефектными центрами, которые неизбежно присутствуют в образцах, выращенных методом МПЭ. Дополнительная полоса в спектре ФЛ КТ, появляющаяся в области энергий 1.36 эВ при подбарьерном (AlGaAs) возбуждении (Eexc = 1.55 эВ), оказывается очень интенсивной и может быть приписана локализованным состояниям, возниРис. 2. a — нормированные спектры фотолюминесценции, кающим в смачивающем слое InAs из-за флуктуаций его измеренные при T = 7 K и различных энергиях кванта возбутолщины. Широкая неразрешенная полоса, наблюдаемая ждения Eexc: 2.41 эВ — выше барьера AlGaAs, 1.55 эВ — выше в спектре ФЛ в области 1.46-1.49 эВ при возбуждении барьера GaAs и 1.35 эВ — ниже края поглощения смачиваюв области энергий Eexc = 1.55 эВ, обусловлена реком- щего слоя InAs. Максимумы фотолюминесценции, отвечающие бинацией электронов и тяжелых и легких дырок в излучению больших и малых КТ, отмечены стрелками в спектре, измеренном при возбуждении Eexc = 2.41 эВ. b — смачивающем слое InAs.

два спектра возбуждения фотолюминесценции, записанные в Сравнивая три спектра ФЛ (рис. 2, a), возбуждаемой положениях монитора, отвечающих максимумам фотолюмина различных длинах волн, мы приходим к выводу о несценции больших и малых КТ и отмеченных стрелками.

наличии сильных зависимостей процессов релаксации и эффективности ФЛ от энергии возбуждающего кванта.

Принимая во внимание результаты ПЭМ-анализа, следует ожидать одновременного проявления в спектрах При приближении Eexc к энергии, отвечающей краю ФЛ как вертикально связанных КТ (асимметричных поглощения GaAs, полосы ФЛ, связанные с переходами квантовых молекул), так и КТ, не коррелированных в смачивающем слое и малыми КТ, значительно усиливамежслоевым взаимодействием. Чтобы определить плотются, что свидетельствует об увеличении эффективности ность состояний в энергетической щели GaAs, была захвата оптически возбужденных носителей из барьера просканирована широкая область энергий возбуждения GaAs в смачивающий слой и в область КТ. Дальнейшее ФЛ и особенно тщательно были изучены спектры резоуменьшение энергии возбуждения от 1.473 эВ (свободнансной ФЛ, возбуждаемой непосредственно в области ные состояния в смачивающем слое) до максимума оптических переходов КТ. На рис. 3, a приведены спекполосы ФЛ в области 1.355 эВ (локализованные состотры ФЛ при сканировании области энергий возбуждения яния в смачивающем слое) приводит к практически от 1.658 до 1.476 эВ с шагом 15 мэВ. Из рисунка полному исчезновению вклада смачивающего слоя в видно, что спектральные особенности, обозначенные как сигнал ФЛ (рис. 3, b) и к значительному уменьшению A, B, C и D, пропорционально сдвигаются в область интегральной интенсивности ФЛ КТ. В этом случае меньших энергий при уменьшении Eexc. Эти особенности заполнение состояний КТ осуществляется через хвосты приписываются последовательно оптическим переходам в больших КТ (A), в малых КТ (B), переходам меж- плотности состояний смачивающего слоя InAs и через ду локализованными состояниями (C) и электронно- возбужденные состояния КТ посредством фононной редырочной рекомбинации (D) в смачивающем слое InAs. лаксации. Отсутствие детектируемой фононной структуФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах... ми КТ (рис. 4). Наблюдается типичная фононная модуляция формы полосы ФЛ малых КТ продольными оптическими (LO) фононами. Острые пики соответствуют фононным репликам 3LO и 2LO. Экспериментально установлено, что реплики отвечают энергиям 329 мэВ и 231 мэВ и, таким образом, обусловлены LO фононами InAs. Амплитуда полосы 3LO больше амплитуды реплики 2LO, а ее огибающая при сканировании спектральной области излучения малых КТ воспроизводит форму полосы ФЛ малых КТ, записанную при возбуждении ФЛ в области энергий 2.41 эВ и показанную на рис. 2, a.

С точки зрения разделения вкладов коррелированных и некоррелированных КТ важно исследовать изменение формы полосы ФЛ больших КТ при сканировании энергии возбуждения в области оптических переходов малых КТ. В этом случае, помимо фононной структуры спектра ФЛ малых КТ, происходит значительное изменение формы полосы ФЛ больших КТ, что демонстрирует рис. 4. Тонкие вертикальные линии показывают энергии возбуждения в пределах полосы ФЛ КТ первого слоя.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.