WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В результате этого система переключается в верхнее состояние (рис. 4, сплошная линия) за несколько безразмерных единиц времени, что будет соответствовать фемтосекундному диапазону. Если данный полупроводник (в частности, алмаз) включен в параллельную Рис. 4. Распределения концентрации свободных электронов электрическую цепь (к основной системе питания), то реализуемые для коэффициента поглощения 1 и параметиз-за падения сопротивления полупроводника на мноров D = 10-2, = 0, µ = 0, = 103, n0 = 0.01 и = 0.1, гие порядки происходит, по сути, размыкание внешней q0 = 0.005 в момент времени t = 100 (пунктирная линия), электрической цепи. В результате этого произойдет = 1, q0 = 0.01 в момент времени t = 105 (сплошная линия).

отключение от электросети требуемых приборов.

Таким образом, в данной работе предложен новый тип абсорбционной ОБ — полевая ОБ, механизм реализации ции абсорбционной ОБ (тепловой, электронной) рост которой основывается на сдвиге энергетических уровней диффузии электронов (или теплопроводности) всегда атомов под действием высокоинтенсивного лазерного приводил к увеличению интенсивности переключения излучения. На основе компьютерного моделирования системы в верхнее состояние [1]. В случае же полепоказано, что для полевой ОБ увеличение диффузии свовой ОБ подобная зависимость отсутствует. Так, для бодных электронов не изменяет интенсивностей переD = 10-2, 10-3 и 10-4 переключения системы происключения системы из одного состояния в другое, а лишь ходят при одних и тех же входных интенсивностях:

ускоряет процесс установления стационарного распреqmax = 0.0038 в верхнее состояние и qmax = 0.деления. Еще одной особенностью полевой ОБ является в нижнее состояние (рис. 2, b, d, e, сплошная линия). При возможность нахождения системы полупроводник–оптиэтом, как известно, с уменьшением диффузии электроческое излучение в верхнем состоянии практически до нов растет время достижения стационарного состояния окончания действия светового импульса, что существенсистемы. Оно также увеличивается при приближении но повышает ее надежность.

интенсивности падающего излучения к значению интенсивности переключения системы. Из-за этого при малой Работа выполнена при частичной финансовой поддиффузии электронов компьютерные расчеты необходидержке Российского фонда фундаментальных исследовамо проводить на больших временных интервалах. Так, ний (грант 05-01-507).

для D = 10-2 переключение в верхнее состояние осуществляется при 550 t 600 (с момента изменения интенсивности входного импульса), для D = 10-3 — Список литературы 1250 t 1350, а для D = 10-4 — 9250 t 9500.

Дальнейшее уменьшение диффузии приводит к тому, что [1] Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом временной интервал, на котором проводятся вычислес помощью света / Пер. с англ. М.: Мир. 1988. 520 с.

ния, приходится существенно увеличивать.

[2] Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в Еще одно приложение изложенных выше результатов распределенных нелинейных системах. М.: Наука. 1997.

может состоять в построении оптического выключателя 334 с.

для систем с большими токами, время срабатывания [3] Интернет сайт фирмы Lenslet. // www.lenslet.com.

[4] Markowicz P.P., Tiryaki H., Pudavar H. et. al. // Phys. Rev.

которого будет составлять фемтосекунды. Это имеет Lett. 2004. Vol. 92. P. 083903.

большое значение для проблемы отключения от элек[5] Yanik M.F., Fan S., Soljacic M., Joannopoulos J.D. // Optics тросети, например, систем компьютеров при попадании Letters. 2003. Vol. 28. P. 2506–2508.

вблизи их расположения молнии или любой другой [6] Алиев Г.Н., Голубев В.Г., Дукин А.А. и др. // ФТТ. 2002.

высокоинтенсивной вспышки электромагнитного излуТ. 44. № 12. С. 2125–2132.

чения (рис. 4). Пусть сначала на полупроводник воздей[7] Лысак Т.М., Трофимов В.А. // ЖВМ и МФ. 2001. Т. 41.

ствует оптическое излучение низкой интенсивности. Оно № 8. С. 1275–1278.

задано лишь для более наглядной иллюстации происхо[8] Лысак Т.М., Трофимов В.А. // ЖТФ. 2001. № 11. Т. 71.

дящих процессов и, вообще говоря, на практике может С. 53–58.

отсутствовать. В этом случае коэффициент поглощения [9] Делоне Н.Б., Крайнов В.П. Нелинейная ионизация атомов среды слабо зависит от светоиндуцированного электри- лазерным излучением. М.: Физматлит. 2001. 320 с.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. О возможности оптической бистабильности на основе зависимости коэффициента поглощения... [10] Варенцова С.А., Трофимов В.А. Влияние сильного светового поля на сдвиг спектра водородоподобного атома // Численные методы в математической физике. Сб. тр.

факультета ВМиК МГУ / Под ред. Д.П. Костомарова, В.И. Дмитриева. М.: Изд-во факультета ВМиК МГУ. 1998.

С. 67–75.

[11] Варенцова С.А., Логинова М.М., Трофимов В.А. // Вест.

моск. унив. Сер. вычис. матем. и кибернетика. 2003.

№1. С. 20.

[12] Смит Р. Полупроводники / Пер. с англ. М.: Мир.

1982. 560 с.

[13] Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника / Пер. с англ. М.: Мир. 1976. 431 с.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.