WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, эффективная ИК ФЛ (0.9-1.5эВ), [17] M. Ghanassi, M.C. Schanne-Klein, F. Hache, A.I. Ekimov, наблюдаемая в слоях GaN : As, выращенных методом D. Ricard, C. Flyatzanis. Appl. Phys. Lett., 62, 78 (1993).

МПЭ на сапфире, связана с излучательной рекомбинаРедактор Л.В. Шаронова цией в нанокристаллитах GaAs, самоорганизующихся в матрице GaN в процессе МПЭ. Интенсивность ИК ФЛ достигает максимума при температуре роста 780C, что обусловлено совместным действием нескольких зависящих от температуры процессов, влияющих на вероятность образования нанокристаллитов GaAs. Низкотемпературные спектры ФЛ содержат две основные широкие полосы излучения с максимумами при 1.и 1.43 эВ, которые относятся к рекомбинации между мелкими центрами и глубокими, обусловленными вакансионными комплексами Ga и As в нанокристаллитах GaAs. Низкотемпературные спектры ФЛ выявили также серию узких линий излучения, обусловленных излучательной рекомбинацией экситонов, связанных на атомах азота, а также их фононными репликами. Спектры возбуждения ФЛ содержат серию максимумов, которые соответствуют резонансному возбуждению свободных и связанных экситонов, а также возбуждению экситонов при одновременном испускании оптических фононов.

Энергии оптических фононов, принимающих участие в этих процессах, характерны для GaAs.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 86 А.В. Андрианов, С.В. Новиков, И.С. Журавлев, Т. Ли, Р. Чаа, С. Булл, И. Харрисон, Е.К. Ларкинс...

Efficient near-infrared photoluminescence from the layers of As doped gallium nitride A.V. Andrianov, S.V. Novikov, I.S. Zhuravlev, T. Li, R. Xia, S. Bull, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia School of Physics and Astronomy, School of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom,

Abstract

Photoluminescence in the 1.2-1.4 eV spectral range from the GaN : As layers grown on (0001) Al2O3 substrates has been discovered and studied. The photoluminescence is attributed to radiative recombination in GaAs nanocrystallites selforganized in the GaN matrix during the growth process. The photoluminescence intensity reaches a maximum under the growth temperature of 780C. That can be explained by a competition of several temperature processes, which influence the formation of the GaAs nanocrystallites. Sharp emission lines are seen on the high-energy edge of the photoluminescence band. These lines are caused by the emission of bound excitons in the GaAs nanocrystallites and phonon replicas of the bound exciton emission. The energies of the involved optical phonons are typical for GaAs. Photoluminescence excitation spectra demonstrate features, which correspond to the resonant formation of free and bound excitons as well as to the formation of excitons with simultaneous emission of optical phonons.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.