WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия, легированного мышьяком © А.В. Андрианов¶, С.В. Новиков, И.С. Журавлев, Т. Ли, Р. Чаа, С. Булл, И. Харрисон, Е.К. Ларкинс, К.Т. Фоксон Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Физический факультет и Факультет электрической инженерии Университета г. Ноттингем, NG7 2 RD, Великобритания (Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.) Обнаружена и исследована фотолюминесценция в диапазоне 1.2-1.4 эВ в слоях GaN : As, выращенных на подложках (0001) Al2O3. Фотолюминесценция обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs, самоорганизующихся в матрице GaN в процессе роста. Интенсивность фотолюминесценции максимальна при температуре роста 780C, что объясняется конкуренцией нескольких зависящих от температуры процессов, влияющих на вероятность образования нанокристаллитов. На высокоэнергетическом крае полосы излучения наблюдаются линии, обусловленные рекомбинацией связанных экситонов в нанокристаллитах GaAs и фононными репликами связанных экситонов. Энергии соответствующих оптических фононов характерны для GaAs. В спектрах возбуждения фотолюминесценции наблюдаются особенности, относящиеся к резонансному возбуждению свободных и связанных экситонов, а также к возбуждению экситонов с одновременным испусканием оптических фононов.

В последнее время появился значительный интерес са МПЭ детально описаны в работе [5]. В процессе к системе материалов GaAsN [1]. Это обусловлено роста на эпитаксиальных слоях изучалась дифракция сочетанием в этих материалах уникальных физических электронов высокой энергии (RHEED), а полученные свойств и возможности создания на их основе светоиз- слои были охарактеризованы с помощью атомно-силучающих приборов телекоммуникационного диапазона ловой микроскопии (AFM) и рентгеновской дифракнового поколения (длины волн 1.3-1.55 мкм) [1,2]. Надо ции (XRD). XRD-измерения показали, что полученные отметить, что легированный азотом GaAs в прошлом слои представляют собой ориентированный в плоскости интенсивно изучался (см., например, [3,4]). Вмеcте с тем (0001) GaN, в котором присутствуют ориентированные легированный мышьяком GaN привлек к себе интерес в плоскости (111) кристаллиты GaAs. Интенсивность только недавно. В работах [5,6] было показано, что рентгеновского пика GaAs показывает, что объемная GaN : As, выращенный методом молекулярно-пучковой доля кристаллитов GaAs составляет 0.03% в слуэпитаксии (МПЭ), дает эффективную фотолюминесчае материала, полученного при температуре подложценцию (ФЛ/PL) в голубой области спектра (2.6 эВ), ки Tgr 800C. Анализ формы кривых рентгеновской за которую ответственны оптические переходы с учадифракции с использованием соотношений Шерера [9] стием двухзарядных доноров (As++). В работах [7,8] позволил оценить характерные размеры кристаллитов сообщалось также о наблюдении в этом материале GaAs. Средний размер кристаллита составляет 22 нм инфракрасной (ИК) фотолюминесценции (1.2-1.4эВ).

в направлении роста и 200 нм в направлении вдоль Инфракрасная ФЛ в GaN : As, выращенном методом подложки, что действительно позволяет говорить о наМПЭ, обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs в матрице GaN.

нокристаллитах GaAs, образующихся в матрице GaN Измерялась как стационарная, так и время-разрев процессе роста. Нанокристаллиты GaAs, внедренные шенная ФЛ в интервале температур T = 6-300 K.

в широкозонную матрицу GaN, могут оказаться интеВ качестве источников фотовозбуждения использоваресными для применений в фотонике, если процесс лись: непрерывный Ar+-лазер с ультрафиолетовой линиих формирования будет контролируемым. В настояей 304 нм, а также с видимыми линиями 488 и 514.5 нм;

щей работе приводятся результаты исследования менепрерывный титан/сапфировый лазер с длинами волн ханизмов излучательной рекомбинации, ответственной излучения 700-850 нм; импульсный азотный лазер с за ИК ФЛ в GaN : As. Приведены также результаты длиной волны излучения 337 нм и длительностью имисследований влияния условий роста слоев GaN : As пульса 6 нс при частоте повторения импульсов 500 Гц.

на ИК ФЛ.

Для записи спектров использовался дифракционный моИсследования проводились на слоях GaN : As, вынохроматор с обратной линейной дисперсией 16 /мм.

ращенных методом плазменной МПЭ на подложках На рис. 1 показаны типичные спектры ИК ФЛ, наблюс ориентацией сапфира (0001). Толщина слоев нитдаемые в слоях GaN : As в случае возбуждения светом с рида галлия составляла 1.0-2.5 мкм. Условия процесэнергией кванта больше ширины запрещенной зоны (Eg) ¶ E-mail: alex.andrianov@mail.ioffe.ru GaN (линия 304 нм Ar+-лазера). Можно видеть, что Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия... при 10.5 K) и B ( 1.20 эВ при 10.5 K) соответственно (см. рис. 1). Анализ температурных зависимостей спектрального положения максимумов и интенсивности излучения полос A и B (см. [8]) позволяет отнести обе полосы излучения к рекомбинации через донорно-акцепторные (ДА) пары. В акте рекомбинации участвуют мелкий донор и глубокий акцептор, обусловленный вакансиями Ga (полоса B) или мелкий акцептор и глубокий донор, связанный с вакансиями As (полоса A).

Аналогичные каналы ДА-рекомбинации с участием мелких центров и глубоких центров, обусловленных вакансиями Ga и As, наблюдались в объемном GaAs [10,11] и, по-видимому, имеют место в нанокристаллитах GaAs, сформированных в матрице GaN.

На рис. 2 показаны характерные кривые затухания ИК Рис. 1. Характерные спектры ИК ФЛ GaN : As в интервале ФЛ, наблюдаемой в слоях GaN : As, при возбуждении температур 10.5-300 K. Возбуждение: линия 304 нм Ar+-ласветом импульсного азотного лазера. Важно отметить, зера, интенсивность Jex 1Вт/см2. Спектры ФЛ скорректирочто при низкой температуре (78 K) в кинетике заваны с учетом спектральной характеристики измерительной тухания полос A и B имеется медленная, микросесистемы. Пунктирная линия — уровень нулевого сигнала ФЛ.

На вставке — спектр ФЛ в видимой и ультрафиолетовой кундная, компонента. Строго говоря, в этом случае областях спектра.

при 300 K в спектре наблюдается полоса излучения с максимумом при 1.4 эВ и шириной 0.15 эВ. Наблюдаемая ИК ФЛ обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs, присутствие которых в слоях GaN : As подтверждается данными XRD-измерений. Интересно, что в случае возбуждения эпитаксиальных слоев светом в энергией кванта меньше Eg GaN (например, при использовании линии 488 или 514.5 нм Ar+-лазера) при комнатной температуре ИК ФЛ практически отсутствует.

Инфракрасная ФЛ, наблюдаемая в случае ультрафиолетового фотовозбуждения, оказалась довольно интенсивной: интенсивность при 300 K составляет 6-7% от интенсивности голубой ФЛ (см. вставку к рис. 1), исследованной в работах [5,6], которая высока. Высокая эффективность ИК ФЛ при малой объемной доле нанокристаллитов GaAs свидетельствует об эффективном захвате неравновесных электронно-дырочных пар, генерируемых ультрафиолетовым фотовозбуждением в матрице GaN, в нанокристаллиты GaAs. Большое различие запрещенных зон GaN и GaAs ( 2эВ), безусловно, играет важную роль в этом процессе. Таким образом, нанокристаллиты GaAs в GaN : As ведут себя в рекомбинационных процессах подобно захороненным гетероструктурам или квантовым точкам в широкозонной матрице.

Как видно из рис. 1, с понижением температуры Рис. 2. Кривые затухания ИК ФЛ GaN : As. Возбуждение:

интенсивность ФЛ растет, а ее максимум несколько N2-лазер, интенсивность Jex 103 Вт/см2. a — T = 78 K, десмещается в сторону высоких энергий. При этом потектирование в A- и B-полосах излучения; b — T = 300 K, деявляется новая полоса излучения с максимумом при тектирование ФЛ при 1.40 эВ. Точки — эксперимент, сплошные 1.20 эВ, которая становится доминирующей в спектре кривые — аппроксимация двумя экспонентами (характерные при T < 150 K. Две полосы, наблюдаемые в спектре времена 1 и 2 указаны). Пунктирной линией показана форма при низких температурах, обозначены как A ( 1.43 эВ лазерного импульса.

6 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 84 А.В. Андрианов, С.В. Новиков, И.С. Журавлев, Т. Ли, Р. Чаа, С. Булл, И. Харрисон, Е.К. Ларкинс...

при 1.487 эВ может быть обусловлена рекомбинацией экситонов, связанных на парах NN в нанокристаллитах GaAs, а максимум при 1.451 эВ есть LO-фононное повторение линии Z.

При низких температурах ИК ФЛ в GaN : As удается наблюдать и при возбуждении светом титан/сапфирового лазера. Сигнал ФЛ — слабый, но высокая чувствительность аппаратуры позволила измерить спектры возбуждения ФЛ (см. рис. 4). В спектрах возбуждения ФЛ как в A-, так и в B-полосе видна серия максимумов при энергиях 1.506, 1.524, 1.542, 1.558 и 1.573 эВ. Пики при 1.506 и 1.524 эВ обусловлены резонансным фотовозбуждением связанных (X2) и свободных экситонов соответственно в нанокристаллитах GaAs. Особенности при 1.542, 1.558 и 1.573 эВ обусловлены возбуждением Рис. 3. Высокоэнергетический край A-полосы низкотемперасвязанных и свободных экситонов при одновременном турной ФЛ. Возбуждение: линия 304 нм Ar+-лазера, интенсивность Jex 1Вт/см2. T = 6K.

кинетика ФЛ не экспоненциальна, но для оценки характерного временного масштаба кривую затухания мож но описать удовлетворительно суммой двух экспонент (см. рис. 2, a). Медленное затухание ФЛ в полосах A и B свидетельствует в пользу ДА-механизма рекомбинации. При T = 300 K ФЛ — быстрая (см. рис. 2, b), что соответствует рекомбинации свободных дырок с электронами, связанными на комплексах вакансий As, которая становится доминирующей в этой области температур.

При низких температурах на высокоэнергетическом крае A-полосы ФЛ обнаружена серия узких линий излучения (ширина от 5 до 18 мэВ), накладывающихся на плавный фон полосы A. Серия узких линий пропаРис. 4. Низкотемпературные спектры возбуждения ИК ФЛ в дает при T > 80 K (см. рис. 3). Положение отдельных GaN : As. Энергии детектирования ФЛ указаны около кривых.

линий, указанное стрелками на рис. 3, было определено путем аппроксимации линий гауссовыми кривыми после вычитания плавного фона. Можно видеть линии с максимумами при 1.516, 1.505, 1.487, 1.469, 1.и 1.436 эВ. Линии с максимумами при 1.516 и 1.505 эВ, обозначенных X1 и X2 соответственно (см. рис. 3), обусловлены рекомбинацией экситонов, связанных на атомах азота, являющегося основной примесью в данных нанокристаллитах GaAs.

Необходимо отметить, что серии узких линий, обусловленных излучением связанных экситонов и их фононными повторениями, наблюдались различными группами авторов [3,12,13] в объемном GaAs : N при концентрации азота (1017-1018) см-3. Сдвиг линий X1 и X2 в сторону высоких энергий на величину (8-9) мэВ по сравнению с положением линий связанных экситонов, характерных для объемного материала, может быть связан с эффектами размерного квантования, а также с проявлением деформации нанокристаллитов GaAs.

Рис. 5. Зависимость интегральной интенсивности ИК ФЛ Максимум ФЛ при 1.469 и 1.436 эВ (см. рис. 3) есть (0.9-1.5эВ) от температуры подложки в процессе молекуфононные реплики линии X1 с энергиями оптических лярно-пучковой эпитаксии. T = 78 K. Пунктирная кривая — фононов (LO, TO), типичными для GaAs [14]. Линия Z „путеводитель“ для глаза.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия... испускании оптических фононов с энергиями, типичны- Список литературы ми для GaAs. Подобное непрямое возбуждение эксито[1] J.W. Ager III, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17, нов с одновременным испусканием оптических фононов 741 (2002).

было детально изучено на примере полупроводников [2] I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet AIIBVI [15].

J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001).

На рис. 5 показана зависимость интегральной ин[3] R. Schwabe, W. Seifert, F. Bugge, R. Bimdemann, тенсивности ИК ФЛ (0.9-1.5эВ) в GaN : As от темV.F. Agekyan, S.V. Pogarev. Sol. St. Commun., 55, 167 (1985).

пературы подложки в процессе МПЭ. Видно, что при [4] S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jap. J. Appl. Phys., 32, Pt 1, Tgr 780C интенсивность ИК ФЛ максимальна. Этот 4413 (1993).

максимум в интенсивности ИК ФЛ объясняется совмест- [5] A.J. Winser, S.V. Novikov, C.S. Davis, T.S. Cheng, C.T. Foxon, I. Harrison. Appl. Phys. Lett., 77, 2506 (2000).

ным действием нескольких зависящих от температуры [6] B. Gill, A. Morel, T. Taliercio, P. Lefebvre, C.T. Foxon, процессов, влияющих на вероятность образования наI. Harrison, A.J. Winser, S.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 79, нокристаллитов GaAs в матрице GaN. Один из таких 69 (2001).

процессов — это обратное испарение атомов As и Ga [7] A.V. Andrianov, S.V. Novikov, R. Xia, T. Li, S. Bull, A.J. Winс поверхности кристалла при высоких температурах, а ser, C.R. Staddon, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon. Proc.

второй — образование твердого раствора GaN1-xAsx 26th Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Edinburgh, Scotland, при низких температурах роста.

UK, 2002) D19.

Исследование зависимости интегральной интенсив- [8] A.V. Andrianov, S.V. Novikov, T. Li, R. Xia, S. Bull, A.J. Winser, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon. Phys. Status ности ИК ФЛ (IPL) от интенсивности фотовозбуждеSolidi B, 238, 204 (2003).

ния (Jex) выявило для обеих полос характерную за[9] T.H. De Keijser, E.J. Mittemeijer, H.C.F. Rozendaal. J. Appl.

висимость вида IPL J2/3. Такую зависимость от инex Crystallogr., 16, 309 (1983).

тенсивности накачки можно объяснить тем, что время [10] E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968).

жизни неравновесных носителей в нанокристаллитах [11] R.L. Willardson, A.C. Beer. In: Semiconductors and SemiGaAs в значительной степени контролируется ожеmetals (N. Y.-London, Academic Press, 1972) v. 8.

рекомбинацией, а наблюдаемый сигнал ФЛ обусловлен [12] T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 67, 688 (1995).

бимолекулярной (например, ДА) излучательной реком- [13] T. Shima, Y. Mikita, S. Kimura, T. Iida, H. Sanpei, M. Yamaguchi, K. Kudo, K. Tanaka, N. Kobayashi, A. Sandhu, бинацией. Надо заметить, что, как было показано теореY. Hoshino. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127/128, тически и экспериментально [16,17], оже-рекомбинация (1997).

становится основным каналом безызлучательной ре[14] J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982).

комбинации в наноструктурах вследствие ослабления [15] E. Gross, S. Permogorov, V. Travnikov, A. Selkin. J. Phys.

ограничений, связанных с законом сохранения импульса, Chem. Sol., 31, 2595 (1970).

для оже-процессов в наноструктурах.

[16] V.A. Kharchenko, M. Rosen. J. Luminesc., 70, 158 (1996).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.