WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 7 05;06;12 Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением © И.В. Грехов,1 Т.Т. Мнацаканов,2 С.Н. Юрков,2 А.Г. Тандоев,2 Л.С. Костина1 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, 111250 Москва, Россия e-mail: konst@mail.ioffe.ru (Поступило в Редакцию 11 ноября 2004 г.) Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии.

Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада.

Введение n+-эмиттер и p-базу n+ pn-транзистора, что приводит к резкому уменьшению его коэффициента усиления.

Основным прибором силовой полупроводниковой Суммарный коэффициент усиления n+ pn- и pnp+-транэлектроники в диапазоне преобразуемых мощностей от зисторов становится меньше единицы, и тиристорная сотен ватт до сотен киловатт в настоящее время являет- ячейка переходит в выключенное состояние. Структуся биполярно-полевой транзистор (Insulated Gate Bipolar ра элементарной ячейки MCT с интегрированным в Transistor (IGBT)). Кремниевый чип IGBT представляет p-базу p-канальным МОП транзистором показана на собой по сути силовую интегральную схему, состоящую рис. 1, b. При выключении дырочный ток Jh, поступаюиз нескольких сотен тысяч работающих параллельно щий в p-базу, протекает вправо под n+-областью, затем элементарных ячеек размером около 20 µm. Каждая влево через p-канал, сформированный под затвором, ячейка представляет собой высоковольтный биполярный и далее через вспомогательный p+-слой в катодный транзистор, в управляющую цепь которого включен контакт. Суммарное падение напряжения, создаваемое низковольтный быстродействующий полевой транзистор на этих участках, прикладывается к n+p-переходу в (MOSFET). Основными преимуществами IGBT перед прямом направлении, и поэтому ток, который может другими приборами в этом диапаоне мощностей являются чрезвычайно малые потери энергии в цепи управления при включении и выключении, а также высокое быстродействие. Однако остаточное напряжение во включенном состоянии в IGBT при равных условиях примерно вдвое больше, чем в обычном тиристоре.

Поэтому почти одновременно с появлением первых сообщений о создании IGBT [1–3] начались попытки разработки силовых интегральных приборов с полевым управлением на основе тиристорной структуры (MOSControlled Thyristor (MCT)) [4,5].

Эквивалентная схема элементарной ячейки простейшего варианта MCT показана на рис. 1, a. Для выключения тиристора (представленного, как обычно, состоящим из n+pn- и pnp+-транзисторов) параллельно n+p-эмиттеру включен интегральный p-канальный полевой МОП (металл-окисел-полупроводник) транзистор (p-MOSFET). p-канал, формируемый отрицательным наРис. 1. Структура элементарной ячейки МСТ: 1 — анод, пряжением на затворе транзистора, замыкает накоротко 2 —затвор, 3 —катод.

Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора... быть выключен в ячейке, должен создавать меньшее В данной работе приведен анализ физических пронапряжение, чем то, при котором начинается заметная цессов, протекающих в тиристорном чипе SGTO во инжекция электронов ( 0.8 V для кремния). Таким включенном состоянии и при выключении. Дается обобразом, предельный выключаемый ток в ячейке тем основание выбора конструкции прибора, исследовано больше, чем меньше суммарное сопротивление цепи, влияние параметров базовых слоев на вольт-амперную шунтирующей n+p-эмиттер; это означает, в частности, характеристику прибора во включенном состоянии, прочто характерный размер ячейки должен быть малым (как веден расчет величины предельного выключаемого тока правило, не более 30 µm). и динамического процесса спада тока при выключении.

Несмотря на большой объем исследований, проведен- На основании анализа результатов расчетов сформуный многими фирмами, ни один из вариантов MCT не лированы основные требования к электрофизическим был доведен до серийного производства. Во многом это характеристикам полупроводноковой структуры интесвязано с довольно сложной конструкцией элементарной грального тиристора и мощного полевого транзистора, ячейки: например, для изготовления ячейки, показанной используемого для его выключения.

на рис. 1, b, необходимо 12 последовательных фотолитографических операций, в то время как для стандартных Анализ физических процессов IGBT — восемь.

в интегральном тиристоре Относительно недавно [6–8] появились сообщения о несколько ином подходе к решению этой проблемы.

1) Конструкция прибора. Интегральный тирисБыло предложено не встраивать МОП транзистор в тор, рассматриваемый далее, состоит из большого числа микротиристорную ячейку, а использовать серийно выодновременно работающих микротиристоров с характерпускаемый низковольтный мощный МОП транзистор с ным размером 30 µm, размещенных на одном кремочень малым сопротивлением канала для одновременниевом чипе и изготавливаемых, в основном, по планого шунтирования эмиттерных переходов интегральнонарной микроэлектронной технологии. Коллекторный го тиристора, состоящего из нескольких сотен тысяч pn-переход у них общий и должен блокировать больмикротиристоров размером 20 µm, выполненных на шое (3-5kV) напряжение, поэтому для защиты от поодном чипе. Такое разделение „биполярной“ и „полевой“ верхностного пробоя по краевому контуру pn-перехода технологий позволяет резко упростить конструкцию эледолжны размещаться охранные кольца либо кольцементарной ячейки силового чипа.

вая область p-базы с пониженной концентрацией леВ поперечном сечении конструкция p+npn+-струкгирующей примеси. Конструктивные особенности этих туры такого прибора сильно отличается от конструкэлементов, увеличивающих ширину области объемного ции обычного мощного тиристора. Конечно, толщина и заряда (ООЗ) в месте выхода pn-перехода на поверхуровень легирования широкой N-базы примерно такие ность, хорошо известны. Мы полагаем в дальнейшем, же, как у обычного тиристора, и соответствуют уровчто в рассматриваемом приборе поверхностный пробой няю напряжений, блокируемых коллекторным перехоустраняется вторым методом, причем кольцевая область дом (3-5kV), однако толщина базового и эмиттерного слоев управляемого n+pn-транзистора примерно на по- с пониженной концентрацией создается путем предварядок меньше, а уровень легирования p-базы существен- рительной глубокой ( 100 µm) диффузии алюминия с поверхностной концентрацией 7 · 1016 cm-3 с поно выше. Коэффициент усиления такого транзистора очень высок ( 0.95), что позволяет снизить коэф- следующей сошлифовкой и полировкой диффузионного слоя до остаточной глубины 20 µm. Затем проводятся фициент усиления pnp+-транзистора, т. е. уменьшить короткие процессы диффузии бора и фосфора для создавремя жизни дырок в n-базе. Высокое быстродействие ния тонкобазового n+p+ pn-транзистора. На рис. 2, a, b n+pn-транзистора обеспечивает быстрый спад тока на приведены два варианта распределения концентрации начальном этапе процесса выключения; последующий этап более медленного спада тока до нуля также являет- легирующих примесей в n+p+pnn p+-структурах микротиристоров, отличающихся глубиной залегания эмится сравнительно коротким из-за малого времени жизни дырок в n-базе. Поэтому время выключения и коммута- терного n+ p+-перехода и шириной сильнолегированной части p+ p-базы. Толщина слаболегированной p-части ционные потери в таком приборе значительно меньше, чем, например, в обычном запираемом тиристоре (Gate (алюминиевый „хвост“) была выбрана так, чтобы она Turn-off Thyristor — (GTO)). Описанный прибор был полностью обеднялась при напряжении 300 V. При назван разработчиками „Super GTO (SGTO)“. Основные дальнейшем подъеме напряжения широкая кольцевая его преимущества перед IGBT: меньшее остаточное обедненная область, образующаяся вокруг краевого коннапряжение во включенном состоянии, более простая тура общей p+-базы микротиристорного чипа, предоттехнология изготовления, большая рабочая плотность вращает возможность поверхностного пробоя. Толщина тока (примерно вдвое), а перед GTO: значительно мень- n-базы в обеих структурах 310 µm, 100 · cm, толшая мощность, затрачиваемая для выключения прибора, щина n -слоя 32 µmи p+-эмиттера 8 µm; эти параметры большее быстродействие по включению и выключению, соответствуют стандартной структуре асимметричного меньшие коммутационные потери. тиристора с блокируемым напряжением 3kV.

6 Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 82 И.В. Грехов, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев, Л.С. Костина Расчет ВАХ при различных уровнях легирования p+-базы проводился путем численного решения фундаментальной системы уровнений, состоящей из уравнения Пуассона и уравнений непрерывности для электронов и дырок.

Для расчета использовалась квазиодномерная программа „Исследование“ [10], учитывающая полную совокупность физических эффектов, влияющих на перенос, генерацию и рекомбинацию носителей: рекомбинация через глубокие центры, эффекты сильного поля, эффекты высокого уровня инжекции (электронно-дырочное рассеяние, оже-рекомбинация), эффекты высокого уровня легирования (сужение ширины запрещенной зоны, снижение подвижности, коэффициентов диффузии и шокли-ридовского времени жизни, оже-рекомбинация).

На рис. 3 приведена расчетная зависимость остаточного напряжения U в тиристорной структуре, показанной на рис. 2, b, от уровня легирования p+-слоя при плотности тока j = 500 A/cm2. При расчете полагалось, что рекомбинация происходит через уровень, расположенный в центре запрещенной зоны, с типичным для кремниевых структур соотношением p0 = 3n(p0 — время жизни дырок в широкой слаболегированной базе тиристора). Величина Pgr выбиралась равной 1 · 1017 cm-3, а p0 — предельно высоким (p0 = 45 µs).

Из рис. 3 хорошо видно, что при поверхностной конРис. 2. Распределение концентрации легирующих примецентрации бора NSB > 2 · 1018 cm-3 начинается резкий сей в n+ p+ pnn p+-структуре микротиристора: конструктивный вариант a: глубина залегания эмиттерного n+ p+-перехода рост U, связанный с выходом структуры из режима x = 1.5 µm, толщина p+-слоя Wp+ = 1.5 µm; конструктивный насыщения вследствие уменьшения коэффициента певариант b: x = 2.5 µm, Wp+ = 2.5 µm.

редачи n+ p+pn-транзистора. Это накладывает жесткие ограничения на возможность снижения сопротивления растекания p+-базы путем увеличения легирования.

2) Влияние уровня легирования p+ - базы на вольт- амперную характеристику (ВАХ) во включенном состоянии. Для эффективного выключения тиристора с помощью внешнего полевого транзистора необходимо по возможности уменьшить сопротивление всей шунтирующей цепочки, значительную часть которого составляет сопротивление растекания базового p+-слоя под n+-эмиттером.

Для его уменьшения необходимо увеличивать уровень легирования p+-слоя и его толщину, но это приводит к уменьшению коэффициента передачи n+p+ pn-транзистора, т. е. к росту остаточного напряжения, особенно в области больших плотностей прямого тока, поскольку увеличение легирования сопровождается как снижением коэффициента инжекции n+p+-эмиттера, так и уменьшением шокли-ридовского времени жизни электронов [9] nn =, (1) 1 +(P/Pgr) что приводит к существенному уменьшению коэффициента переноса. В формуле (1) P — концентрация легирующей примеси в p+-слое; Pgr — константа, величина коРис. 3. Зависимость остаточного падения напряжения на торой зависит от параметров технологического процесса тиристоре (вариант b) от уровня легирования p+-слоя при и лежит в диапазоне от 7 · 1015 до 1 · 1017 cm-3 [8]. плотности тока j = 500 A/cm2.

Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора... что означает, как будет показано ниже, существенное улучшение динамических характеристик.

В целом, из результатов расчета следует, что параметры диффузионных слоев n+p+pn-транзистора, представленные на рис. 2, a, b и легко воспроизводимые в стандартных технологических процессах производства биполярных микротранзисторов, обеспечивают приемлемую прямую ВАХ интегрального тиристора.

3) Предельный выключаемый ток. Как уже отмечалось, при выключении тиристора с помощью шунтирования n+ p+-эмиттера полевым транзистором определяющую роль играет суммарное сопротивление шунтирующей цепи, состоящее из сопротивления растекания p+-слоя под эмиттером, сопротивления канала транзистора и сопротивления металлизации базовых и эмиттерных токоподводящих шин.

Конструкция элементарной ячейки (микротиристора) показана на рис. 5. Проведем оценку предельной плотности выключаемого тока Jm для двух топологий ячейки: „полосковой“ (т. е. при шунтировке прямоугольной ячейки с двух противоположных сторон) и „круглой“.

Значение Jm для топологии типа „квадрат“ лежит между этими двумя оценками.

Пусть Sa — активная площадь прибора (Sa = S1 · N, где S1 — площадь эмиттера микротиристора, N —их количество), Jm — максимальная плотность запираемого тока, Rm — сопротивление канала МОП транзистора вместе с сопротивлением металлизации эмиттерной и базовой разводки.

Для запирания тиристора включается внешний МОП транзистор, шунтирующий n+p+-эмиттерный переход.

Представляется очевидным, что запирание тиристора Рис. 4. Зависимость остаточного падения напряжения на тиристоре от времени жизни дырок в n-базе при j = 100 (пунктир) и 200 A/cm2 (сплошные кривые) для двух вариантов конструкции тиристора: 1, 1, 2, 2 —вариант (a); 3, 3, 4, 4 —вариант (b) при различных значениях величины Pgr : 1, 1, 3, 3 — Pgr = 7 · 1015; 2, 2, 4, 4 —1 · 1017 cm-3. Поверхностная концентрация примеси в p+-базе NSB = 1 · 1018 cm-3.

На рис. 4 приведены расчетные зависимости U от времени жизни дырок в n-базе p0 при меньших значениях плотности тока (100 и 200 A/cm2) и двух значениях Pgr для обоих вариантов конструкции n+p+ pnn p+-структуры. Из этих данных видно, в частности, насколько важно при изготовлении прибора иметь высокий уровень технологии, т. е. высокое значение Pgr: например, при приемлемом значении U = 2 V увеличение Pgr с 7 · 1015 Рис. 5. Схема фрагмента структуры для расчета основных до 1 · 1017 cm-3 позволяет почти втрое снизить p0, характеристик микротиристора.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.