WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Рис. 5. Дважды повернутый Y -срез LGS. Оси кристалла (X, Y ) и оси координатной системы x1, x3 связаны углами Эйлера и.

= 79.5 КЭМС = 0.27%, ТКЧ(1) = -0.24 · 10-6/C и ТКЧ(2) = -576 · 10-9/C2. Таким образом, в LGN и LGT пока не найдены ориентации с таким же оптимальным сочетанием параметров, как в LGS.

Технология и стоимость производства элементов LGS Подобие лангасита кварцу (основа обоих кристаллов —оксид кремния), достаточно высокая твердость по Моосу (6.6), отсутствие пироэлектрических свойств и фазовых или структурных переходов вплоть до температуры плавления (1470C) позволяют при изготовлении устройств из LGS сохранять все этапы технологическоРис. 6. Зависимость скорости волны Релея VR и КЭМСK2 от угла в подложке (0, 140, ) LGS. го процесса изготовления кварцевых элементов, кроме Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. Монокристаллы семейства лангасита — необычное сочетание свойств для применений... травления. Это позволяет изготавливать элементы LGS природы наведенной электрической поляризации под размеров до 2 cm для устройств на объемных волнах, действием приложенного механического напряжения, в близкие по стоимости к кварцевым элементам. работе [32] показана роль лантана, катиона с большим Широкое применение цифровых методов обработ- радиусом, определяющего значительный пьезоэффект ки радиочастотного сигнала выдвигает требование по лангаситоподобных соединений. Однако связь между расширению полосы пропускания полезного сигнала в особенностью структуры кристаллов и существованием усилителях промежуточной частоты. При изготовлении температурных коэффициентов упругих модулей разнокварцевых широкополосных фильтров необходимо при- го знака пока не установлена.

менять дополнительные расширительные индуктивные элементы, что приводит к значительному увеличению Заключение габаритно-весовых характеристик фильтров. Применение лангаситовых резонаторов или монолитных фильЛангасит и изоморфные ему кристаллы — первые тров на объемных волнах не требует дополнительных отечественные соединения, превосходящие высокостаэлементов, поэтому LGS-устойства на ОАВ по стоимобильный и высокодобротный кристалличекий кварц — сти незначительно отличаются от устройств на кварце.

основу современной акустоэлектроники. Большой вклад Стоимость больших, до 10 cm в диаметре, подложек в созданеие и исследования этой уникальной групLGS для изготовления по групповой технологии фильпы кристаллов внесли В.Б. Милль, М.Ф. Дубовик, тров на ПАВ пока выше, чем кварцевых. В последние И.М. Сильвестрова, Ю.В. Писаревский, Г.Д. Мансфельд и годы в России и США для снижения стоимости кридругие ученые. В последние 20 лет получение, исследосталлов семейства LGS начата разработка кристаллов вание и применение кристаллов семейства лангасита — CNGS и CTGS, подобных по свойствам LGS, но содернаиболее динамично развивающееся направление в акужащих меньшее количество дорогого галлия, необходистоэлектронике.

мого полупроводниковой промышленности. Огромный Монокристаллы семейства лангасита обладают рединтерес во всем мире к кристаллам семейства LGS ким сочетанием удивительных и полезных свойств для можно объяснить тем, что впервые за всю историю практического использования в акустоэлектронике. Таакустоэлектроники у кристаллического кварца появился кие же стабильные, как кварц, но более сильные пьереальный конкурент.

зоэлектрики с низкой скоростью сдвиговых объемных и поверхностных волн и редкой для кристаллов выТенденции сокой акустической добротностью, не имеющие сегнетоэлектрических или структурных фазовых переходов В последние годы развиваются следующие направлевплоть до темпетатуры плавления, кристаллы семейства ния в разработке LGS и изоморфных ему материалов:

лангасита несомненно будут основой акустоэлектронной — получение свободных от макродефектов монокрикомпонентной базы XXI века.

сталлов LGS диаметром 7.5-10 cm [26] для изготовления устройств на поверхностных волнах с частотой до 2 GHz по групповой технологии; Список литературы — получение кристаллических ориентированных пле[1] Андреев И.А., Дубовик М.Ф. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10.

нок LGS, LGN и LGT толщиной до 8 µm методом жидВып. 8. С. 487–491.

кофазной эпитаксии на подложках шпинели [27,28] для [2] Андреев И.А. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 9. С. 1–3.

создания тонкопленочных СВЧ-резонаторов и фильтров [3] Каминский А.А., Миль Б.В., Сильвестрова И.М. и др. // на объемных волнах в диапазоне частот 2-10 GHz;

Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. Т. 47. № 10. С. 1903–1908.

— получение монокристаллов с упорядоченной [4] Сильвестрова И.М., Писаревский Ю.В., Сенющенструктурой Ca3NbGa3Si2O14 и Ca3TaGa3Si2O14 [29] — ков П.А. и др. // ФТТ. 1986. Т. 28. № 9. С. 2875–2878.

сложных оксидных соединений с малым содержани[5] Ilyaev A.B., Dubovik M.F., Umarov L.A. et al. // Phys. Stat.

ем галлия, имеющих нулевой ТКЧ первого порядSol. (a). 1986. Vol. 98. P. k109–k114.

ка, максимальную акустическую добротность (Q · f = [6] Kosinski J.A., Pastore R.A., Bigler E. et al. // Proc. IEEE Int.

Freq. Contr. Symp. 2001. P. 278–286.

= 5 · 1013 Hz), высокий коэффициент электромеханиче[7] Андреев И.А., Дубовик М.Ф. // Тез. докл. XIV Всесоюзн.

ской связи ПАВ до 0.4-0.5% и повторяемость параконф. по акустоэлектронике и физической акустике тверметров;

дого тела. Ч. 2. Кишинев, 1989. С. 67.

— уточнение структуры и установление кристалло[8] Дубовик М.Ф., Андреев И.А., Коршикова Т.И. А.с.

химических закономерностей между строением и свой№ 1506951. 1989. № 45. С. 177.

ствами соединений семейства лангасита. Общий подход [9] Smythe R.C. // Proc. IEEE Int. Freq. Contr. Symp. 1998.

первоначально сформулировал Уатмор [30] дя поиска ноP. 761–764.

вых „полярных“ материалов, способных заменить кварц [10] Johnson W.L., Kim S.A., Uda S. // Proc. IEEE Int. Freq. Contr.

и ниобат лития в устройствах ОАВ и ПАВ. На основе Symp. 2003. P. 646–649.

классического подхода [31] к объяснению структурной [11] Андреев И.А., Дубовик М.Ф. А.С. № 1230317. 1985.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 86 И.А. Андреев [12] Андреев И.А., Дубовик М.Ф., Рассветаев В.Л. А.с.

№ 258111. 1987.

[13] Андреев И.А., Дубовик М.Ф., Рассветаев В.Л. А.с.

№ 258101. 1987.

[14] Андреев И.А., Дубовик М.Ф. А.с. № 1373278. 1987.

[15] Андреев И.А., Дубовик М.Ф. А.с. № 1382368. 1987.

[16] Бронникова Е.Г., Ларионов И.М., Исаев В.А. и др. // Электронная техника. Сер. 5. Радиодетали и радиокомпоненты.

1986. № 2. С. 83–84.

[17] Сахаров С.А., Ларионов И.М., Медведев Ф.В. и др. // Зарубежная радиоэлектроника. 1994. № 9/10. С. 12–18.

[18] Андреев И.А., Дубовик М.Ф. // А.с. № 1222170. 01.12.1985.

Приоритет 07.03.1984.

[19] Блистанов А.А., Бондаренко В.С., Переломов А.А. // Тез. докл. 11-й Всесоюз. конф. „Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов“. М.: НИИТЭХИМ, 1984. С. 419.

[20] Гайвянис Р.Ю. // Радиоэлектроника. 1990. Т. 26. № 1.

С. 117–127.

[21] Науменко Н.Ф. // Тез. докл. Всесоюз. конф. „Акустоэлектронные устройства обработки информации“. Черкассы, 1990. С. 18–19.

[22] Bungo A., Jian C., Yamaguchi K. et al. // Jap. J. Appl. Phys.

1999. Vol. 38. P. 3239–3243.

[23] Двоешерстов М.Ю., Петров С.Г., Чередник В.И. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 3. С. 76–77.

[24] Двоешерстов М.Ю., Петров С.Г., Чередник В.И. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 4. С. 89–94.

[25] Двоешерстов М.Ю., Петров С.Г., Чередник В.И. и др. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 8. С. 103–108.

[26] Uda S., Wang S.Q., Konishi N. et al. // J. Cryst. Growth. 2002.

Vol. 237–239. P. 707–713.

[27] Klemenz C.J. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 237–239. P. 714– 719.

[28] Zhang H., Sigh N.B., Berghmans A. et al. // J. Cryst. Growth.

2002. Vol. 234. P. 660–665.

[29] Jen S., Teng B., Chou M. et al. // Proc. IEEE Freg. Contr.

Symp. 2002. P. 307–310.

[30] Whatmore R.W. // J. Cryst. Growth. 1980. Vol. 48. P. 530– 547.

[31] Abrahams S.C. // Acta Cryst. 1994. Vol. A50. P. 658–663.

[32] Белоконева Е.Л., Стефанович С.Ю., Писаревский Ю.В.

и др. // Журнал неорганической химии. 2000. Т. 45. № 11.

С. 1786–1796.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.