WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

достаточно, чтобы протравить GaAs на глубину более 2 микрон. Реактивное ионное травление GaAs про- Для упрощения технологии получения полупроводниковых фотоных кристаллов представляется перспективводилось в следующем режиме: соотношение газовых ным использование полимеров с более высокой по сравкомпонентов Cl2:BCl3:Ar=1:4:16 sccm, давление газовой смеси в реакторе 0.8 Pa и напряжение автосмещения, нению с ПММА стойкостью к сухому травлению, что равное 100 V. Средняя скорость травления полупровод- позволило бы осуществлять травление непосредственника в таком режиме была 70 nm/min. но через маску, полученную наноимпринтом. Весьма 6 Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 84 Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, С.И. Нестеров, М.В. Максимов, С.А. Гуревич, J. Seekamp...

интересной с точки зрения достижения максимального точного размера элемента полупроводниковой структуры является возможность контролируемым образом уменьшать размеры элемента маски путем травления в кислородной плазме.

Заключение Показано, что метод наноимпринта позволяет непосредственно получать фотонные кристаллы на основе полимерных соединений, а также он является быстрым и эффективным литографическим методом создания масок, предназначенных для травления полупроводниковых структур. Таким образом, наноимпринт представляется весьма перспективным и дешевым литографическим методом для промышленного изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем с высоким (до 10 nm) разрешением. Ожидается, что наноимпринт может стать основным методом непосредственного изготовления активно разрабытываемых в настоящее время микро- и оптоэлектронных приборов на основе органических и полимерных соединений.

Работа была поддержана программой Отделения физических наук РАН „Новые материалы и структуры“ и программой фундаментальных исследований Президиума РАН „Низкоразмерные квантовые структуры“.

Авторы выражают благодарность В.М. Бусову и С.И. Трошкову за исследование образцов методом растровой электронной микроскопии.

Список литературы [1] Kosaka H., Kawashima T., Tomita A. et al. // J. Lightwave Technology. 1999. Vol. 17. P. 2032–2038.

[2] Kosaka H., Kawashima T., Tomita A. et al. // Appl. Phys. Lett.

1999. Vol. 74. P. 1212–1214.

[3] Bayindir M., Ozbay E., Temelkuran B. et al. // Phys. Rev. 2001.

Vol. B, 63. P. 81107–1–4(R).

[4] Chutinan A., Mochizuki M., Imada M. et al. // Apl. Phys. Lett.

2001. Vol. 79. P. 2690–2692.

[5] Rennon S., Klopf F., Reithmaier J.P. et al. // Electronics Letters.

2001. Vol. 37. P. 690–691.

[6] Maximov M.V., Ramushina E.M., Skopina V.I. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2002. Vol. 17. P. L69–L71.

[7] Sotomayor Torres C.M., Zankovych S., Seekamp J. et al. // Materials Science and Engineering. 2003. Vol. 23. P. 23–31.

[8] Shul R.J., Pearton S.J. Handbook of Advanced Plasma Processing Techniques. Berlin: Springer, 2000.

Журнал технической физики, 2005, том 75, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.