WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

стереографической проекции. Интенсивность отражения Заметим, что, поскольку релаксация поверхности этого электронов изображена с помощью линейной шкалы материала невелика, атомная структура поверхностных серых оттенков, приведенной в правой части рисунка, слоев совпадает с объемной. Для наглядности сравнения причем наиболее интенсивная часть распределения па- указанная проекция представлена на рис. 2, c. Видно, казана белым цветом, а область наименьшего отражения что данные рисунков 2, b и c очень хорошо соответэлектронов — черным. Центр карты соответствует вы- ствуют друг другу. В частности, наиболее интенсивные лету электронов вдоль оси 100 кристалла (на рис. 2, b максимумы наблюдаемой картины совпадают с проекмаксимум фокусировки при = 0 не виден из-за циями направлений 110 и 111, вдоль которых оринормировки данных), а внешняя окружность отмечает ентированы самые плотноупакованные цепочки атомов край распределения при полярном угле эмиссии 60.

объемноцентрированного кристалла молибдена. Кроме Полученную двумерную карту можно теперь сопо- того, отчетливо видны области усиления интенсивности ставить со стандартной стереографической проекцией картины вдоль проекций плоскостей {100} и {110}, грани (100) кубического кристалла, которая показыва- в которых лежит много других, более редких цепоет взаимную ориентацию основных кристаллографиче- чек атомов, наиболее важные из которых показаны на ских направлений в монокристаллическом молибдене. рис. 2, c черными точками (их размер пропорционален 6 Журнал технической физики, 1998, том 68, № 84 И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, М.В. Гомоюнова, Н.С. Фараджев, А.Г. Банщиков плотности упаковки атомов). Минимумы же картины, на- Список литературы оборот, соответствуют направлениям вылета электронов, [1] Egelhoff W.F., Jr. // Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci. 1990. Vol. 16.

наиболее удаленным от указанных выше ориентаций.

N 3. P. 213–235.

Таким образом, картина, показанная на рис. 2 b, дей[2] Erbudak M., Hochstrasser M., Wetli E. // Modern Phys. Lett.

ствительно визуализует в реальном пространстве атом1994. Vol. B8. N 28. P. 1759–1769.

ное строение приповерхностной области монокристалла [3] Hochstrasser M.H., Erbudak M., Atrei A., Wetli E. // Phys.

молибдена.

Low.-Dim. Struct. 1995. Vol. 10/11. P. 325–337.

[4] Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. и др. // Толщина слоя, исследуемого с помощью описанного ФТТ. 1994. Т. 36. № 8. С. 2295–2301.

прибора, зависит от энергии падающих и регистриру[5] Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. // ЖЭТФ.

емых электронов. Чем выше энергия первичных элек1996. Т. 110. № 1(7). С. 311–321.

тронов и больше энергетические потери, испытывае[6] Faradzhev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. // Phys. Lowмые регистрируемыми электронами, тем больше глуби- Dim. Struct. 1997. Vol. 3/4. P. 93–112.

[7] Kono S. // Surf. Sci. 1993. Vol. 298. P. 362.

на анализа. Поэтому, варьируя напряжение задержки и [8] Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В., Пронин И.И. // Поверхнапряжение, ускоряющее первичные электроны, можно ность. 1997. № 6. С. 117–121.

контролировать зондируемую глубину. Самый тонкий приповерхностный слой анализируется в случае регистрации квазиупруго отраженных электронов [6]. Его толщина d cos i/(1 + cos i), где i —полярный угол падения первичного пучка; — средняя длина свободного пробега электронов до неупругого рассеяния, составляющая при энергии Ep = 2 keV примерно 20-30. Толщина слоя, ответственного за формирование кикучи-картины, показанной на рис. 2, b, составляет примерно 15.

Надежность данных, получаемых с помощью описанного прибора, подтверждается тем, что все особенности представленного распределения хорошо соответствуют кикучи-картине, полученной ранее для этого же образца с помощью узкоапертурного энергоанализатора. Это наглядно видно из сравнения данных рис. 2, b и c, на последнем из которых приведена кикучи-картина для Mo(100) из работы [8], также измеренная при Ep = 2 keV. Достоинством описанного прибора является возможность наблюдения важной области вблизи нормали к поверхности исследуемого образца, где на рис. 2, d имеется мертвая зона. Это позволяет однозначно определять симметрию картины даже в случае таких сложных объектов исследования, как системы с адсорбционными покрытиями. Поэтому прибор особенно удобен для изучения поверхностных процессов, сопровождающихся изменением симметрии поверхностных слоев, включая рекристаллизацию поверхности и фазовые переходы. При этом быстрая система регистрации, способная обеспечить получение данных со скоростью до 50 изображений в секунду, позволяет во многих случаях проследить за динамикой изучаемого процесса, а малый ток пучка первичных электронов (0.1 µA) сводит к минимуму искажающее влияние электронного облучения на исследуемые объекты.

Работа выполнена в рамках проекта № 96-02-Российского фонда фундаментальных исследований при поддержке Министерства науки РФ (Программа ”Поверхностные атомные структуры”, проект № 95-1.21).

Журнал технической физики, 1998, том 68, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.