WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

или 1 + C = R3 f. (П.4) 2(1 - 2) 3(1 - ) = f, (П.16) 1 - Во втором равенстве учтено, что изменение объема V 2E связано с параметром несоответствия f соотношением p = f. (П.17) 3(1 - ) V = 4R3 f. (П.5) Итак, давление внутри сжатой квантовой ямы и квантовой точки описывается одним и тем же выражениПоле перемещений (П.1) и (П.2) определяет следующие ем (П.17) или (П.12).

компоненты тензора деформаций (заданные в сферической системе координат):

Список литературы 2(1 - 2) (1) (1) (1) rr = = = - f, (П.6) 3(1 - ) [1] I.V. Kudryashov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, E.Yu. Kotel’nikov, A.K. Kryganovskii, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 2(1+) R3 1 + R(2) 0 0 201/202, 1158 (1999).

rr = - f, = = f. (П.7) 3(1-) r3 3(1-) r3 [2] Landolt-Bornstein. New Series, III (Berlin, Springer) v. 22a.

[3] J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 14 (2), Очевидно, что дилатация = kk внутри квантовой (1976).

k [4] К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).

точки постоянна, [5] L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 2(1 - 2) (1996).

(1) = - f, (П.8) [6] Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982).

1 - ) [7] T. Benabbas, Y. Androussi, A. Lefebvre. J. Appl. Phys., 86 (4), а вне точки вообще отсутствует, 1945 (1999).

[8] В.Е. Бугров, О.В. Константинов. ФТП, 32 (10), (2) = 0. (П.9) (1998).

[9] Дж. Эшелби. Континуальная теория дислокаций (М., Поле упругих напряжений находим из (П.6), (П.7) и заИностр. лит., 1963).

кона Гука:

[10] К. Теодосиу. Упругие модели дефектов в кристаллах (М., Мир, 1985).

2E (1) (1) (1) rr = = = - f, (П.10) Редактор Л.В. Шаронова 3(1 - ) Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 86 В.П. Евтихиев, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев, А.Е. Романов Light emission by a semiconductor structure with a quantum well and a massed group of quantum dots V.P. Evtikhiev, O.V. Konstantinov, A.V. Matveentsev, A.E. Romanov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.