WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Рис. 5. Кривая 1 — зависимость контактного магнитного [4] W.A. Harrison // 1961. Vol. 123. N 1. P. 85–89.

сопротивления JMR от толщины барьера d: зонные парамет[5] Montaigne F., Hehn M. and Schuhl A. // Phys. Rev. B. 2001.

ры ферромагнетика EF1 = 2.25 eV, m1 = 1.27m, EF2 = 0.35 eV, Vol. 64. P. 14402-1–14402-4.

m2 = 1.36m. Кривая 2 — зависимость доли туннельной [6] Свистунов В.М., Хачатуров А.И., Черняк О.И. и др. // проводимости 1out/1 зоны EF1 = 2.25 eV, обусловленной ФНТ. 1998. Т. 24. № 7. С. 661–667.

электронами, движущимися к границе перехода вне угла [7] Свистунов В.М., Хачатуров А.И., Белоголовский М.А.

m2 EF = arcsin, от толщины барьера. Высота барьера — и др. // ФНТ. 1996. Т. 22. № 6. С. 605–608.

m1 EF[8] Floyd R.B., Walmsley D.G. // J. Phys. C: Solid State Phys.

= 4eV.

1978. Vol. 11. N 22. P. 4601–4614.

[9] Davies A.H., MacLarren // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 9.

P. 5224–5226.

[10] Liu S.S., Guo G.Y. // JMMM. 2000. Vol. 209. P. 135–137.

на границу под углом >crit = arcsin kEF /EF. Для 2 [11] Хачатуров А.И. // ФНТ. 2005. Т. 31. № 1. С. 109–114.

принятых в нашей статье зонных параметров crit = 23.

Если при расчете зависимости JMR(d) (рис. 5, кривая 1) положить m1 = m = m2, а при расчете кривой величину out нормировать на проводимость обоих зон 11 + 22, то в результате получим одну кривую 3.

Выводы При туннелировании из зон с малыми значениями Ферми характер туннелирования зависит от барьерных параметров. При высоком и тонком барьере оно перестает носить сугубо анизотропный характер, и большая часть туннельного тока переносится электронами, движущимися к плоскости барьера под большими углами.

Роль в формировании туннельного магнитосопротивления играют лишь электроны, движущиеся под большими >crit углами к плоскости туннельного перехода. Любые факторы, приводящие к изменению роли этих электронов, должны приводить к соответствующим изменениям величины туннельного магнитного сопротивления. В рамках рассмотренной в данной статье модели именно это обстоятельство является причиной уменьшения JMR при возрастании барьерной толщины и его увеличения при росте высоты.

В заключение отметим, что хотя наши расчеты построены на использовании простых моделей, на наш взгляд, есть все основания надеяться, что они вполне адекватно отображают основные процессы, имеющие место при туннелировании в ферромагнитные материалы, поскольку вывод об определяющей роли электронов с ненулевыми значениями k в формировании JMR 6 Журнал технической физики, 2006, том 76, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.