WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Сравнительный анализ спектров ФЛ исходных и имплантированных образцов показал, что имплантация с последующим отжигом образцов всех исследуемых ориентаций не вносит значительных нарушений в структуру кристаллической решетки GaAs. Об этом свидетельствует наличие во всех спектрах экситонной полосы, которая, как известно, очень чувствительна к структурному совершенству кристаллической решетки. Это коррелирует с результатами, полученными методом КРС. Хотя сле дует отметить, что присутствие полос с h 1.45 и = 1.49 eV в спектрах исходных образцов свидетельствует о наличии фоновых примесей в исходном полуизолирующем GaAs. Как отмечалось выше, данные полосы обусловлены излучательной рекомбинацией с участием SiAs и углерода соответственно. Поведение этих полос в спектрах образцов всех ориентаций после имплантации и отжига существенно не изменилось. На наш взгляд, это обусловлено тем, что при имплантации кремний Рис. 4. То же, что на рис. 3, но образцы имплантированы занимает преимущественно узлы галлиевой подрешетки ионами Si+ с последующим фотонным отжигом.

6 Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 82 С.В. Васильковский, М.П. Духновский, Р.В. Конакова, Ю.А. Тхорик Выводы [15] Дражан А.В. // УФЖ. 1985. Т. 30. № 3. С. 453–455.

[16] Hiramoto T., Mochizuki Y., Ikoma T. // Jap. J. Appl. Phys.

1986. Vol. 25. N 10. P. L830–L832.

Таким образом, приведенные выше эксперименталь[17] Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Линые данные по КРС и ФЛ свидетельствуют о сущетовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников.

ственном различии процессов дефектообразования при Киев: Наукова думка, 1987. 608 с.

имплантации Si в арсенид галлия различной кристал[18] Клотыньш Э.Э. // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн.

лографической ориентации с последующим импульсным наук. 1989. № 4. С. 3–8.

фотонным отжигом, что, очевидно, обусловлено разли[19] Быковская В.А., Бычков А.Г., Зуев В.А. и др. // Поверхчием механизмов образования в процессе имплантации ность. 1985. № 10. С. 48–55.

первичных треков разупорядочения и встраивания ле[20] Pastrnak J., Oswald J., Gregora I. et al. // Phys. Stat. Sol.

гирующей примеси при отжиге. Кроме того, показано, (a). 1989. Vol. 11. P. 345–359.

что степень электрической активации примеси при одинаковых условиях имплантации и отжига максимальна при использовании ориентации (100) и (311). Для этих ориентаций в спектрах КРС имплантированных и отожженных образцов наблюдались наибольшее уширение пика на частоте LO-фонона и его высокочастотная асимметрия. В спектрах ФЛ кроме экситонного пика, свидетельствующего о незначительных нарушениях кристаллической структуры образцов, наблюдалась полоса h 1.27 eV, обусловленная излучательными перехода= ми с участием Si.

В заключение авторы приносят благодарность за полезные замечания и обсуждение результатов работы Г.Г. Тарасову и Г.А. Крысову.

Список литературы [1] Ионная имплантация и лучевая технология / Под ред.

Дж.С. Вильямса, Дж.М. Поута. Киев: Наукова думка, 1988.

369 с.

[2] Uppal P.N., Ahearn J.S., Little J.W. // J. Vac. Sci. B. 1988.

Vol. 6. N 2. P. 597–598.

[3] Гордиенко Е.В., Духновский М.П., Лысенкова Н.Г. идр. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986.

Вып. 6(390). С. 66–69.

[4] Otsuki T. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. N 3. P. 928–932.

[5] Pearsall T.P., Nachory R.E., Chelikowsky J.R. // Phys. Rev.

Lett. 1977. Vol. 39. N 5. P. 295–298.

[6] Kamon K., Shimazu M., Kimura K. et al. // J. Crystal Crow.

1987. Vol. 84. P. 126–132.

[7] Uppal P.N., Ahearn J.S., Muser D.P. // J. Vac. Sci. Technol.

B. 1988. Vol. 5. N 3. P. 759–760.

[8] Burns G., Dacol F.H., Wie C.R. // Sol. St. Commun. 1988.

Vol. 62. N 7. P. 449–454.

[9] Wang W.I., Mendez E.E., Kuan T.S. et al. // Appl. Phys. Lett.

1985. Vol. 47. N 8. P. 826–828.

[10] Cargouri M., Prevot B., Schab C. // J. Appl. Phys. 1987.

Vol. 62. N 9. P. 3902–3911.

[11] Бурлаков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Издво БГУ, 1980. 374 с.

[12] Марадудин А.А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М.: Мир, 1968. 432 с.

[13] Wagner J., Ramsteiner M. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62.

N 5. P. 2148–2150.

[14] Maciaszek M., Rogers D.W., Bult R.P. et al. // Can. J. Phys.

1989. Vol. 67. P. 384–388.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.