WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ЛСЭ плечо с низкоэнергетичной стороны сильной линии тивную активацию легирующих примесей, что привело поглощения при 2000 cm-1 заметно уменьшается. Срав- к увеличению проводимости на два порядка по величине нивая спектры колебательного поглощения для образцов без удаления водорода из оборванных связей. Это рабоa-Si–H с различной концентрацией легирующей примеси, та представляет принципиально новый селективный по находим, что интенсивность этого плеча коррелирует энергии и месту подход, что в перспективе приведет с концентрацией легирующей примеси, и приписыва- к изменению парадигмы в технологии наноразмерных ем этот резонанс P–H колебательной моде. Предвари- модификаций материалов.

тельные электрические измерения показали увеличение Работа была поддержана Office of Naval research, грант приблизительно на два порядка поверхностной проводи№ 00014-94-11023 и 00014-94-10995.

мости в пленках a-Si–H, легированных фосфором, что является дальнейшим доказательством связи этой моды с Авторы благодарны сотрудникам ЛСЭК центра за H-пассивированными донорами. Дополнительно следует их неустанные усилия и поддержку. G. Lpke также отметить, что ЛСЭ излучение не оказывает влияния на признателен за финансовую поддержку фонду Алексанинтенсивность Si–H пика при 2000 cm-1. Эти результаты дра фон Гумбольдта.

подтверждают, что мы смогли селективно активировать легирующие примеси без удаления водорода из разорванСписок литературы ных связей Si–H.

[1] Yao Y., Hargitai Z., Albert M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998.

81. 550.

Заключение [2] Yao Y., Ph D. Dissertation. Vanderbilt University, 1997.

[3] Landau L.D., Teller E. // Phys. Z. Sowjetunion. 1936. 10. 34.

Мы представили три новых фундаментальных селек[4] Mihaychuk J.G., Bloch J., van Driel H.M. // Opt. Lett. 1995.

тивных по энергии нелинейных эффекта: взаимодействие 20. 2063.

ионов с поверхностью, динамику носителей на гетерогра- [5] Bloch J., Mihaychuk J.G., van Driel H.M. // Phys. Rev. Lett.

1996. 77. 920.

нице Si/SiO2, и структурно-селективное изменение ма[6] Shamir N., Mihaychuk J.G., van Driel H.M. J. Vac. Scie.

териала. Мы обнаружили, что перенос энергии заметно Technol. A. 1997. 15. 2081.

больше для молекулярных ионов по сравнению с атомар[7] Wang W., Lpke G., Di Ventra M. et al. // Phys. Rev. Lett.

ными ионами. Полученные результаты могут найти при1998. 81. 4224.

менение в процессах роста, например, при молекулярно[8] Alay J.L. and Hirose M. // Appl. Phys. Lett. 1997. 81. 1606.

пучковой эпитаксии. Генерация второй оптической гар[9] Perfetti P., Quaresima C., Coluzza C. et al. // Phys. Rev.

моники, примененная для исследования Si/SiO2 гетеLett. 1986. 57. 2065.

рограницы, привела к более глубокому пониманию в [10] The Si–SiO2 System, edited by P. Balk (Elsevier, Amsterdam, наномасштабе динамики связанных электронов и дырок, 1988). lst ed.

включая процессы захвата и генерации в сверхтонком [11] Ueda A., McKinley J.T., Albridge R.G. et al. // Mat. Res. Soc.

слое оксида. И наконец, нам удалось произвести селек- Symp. Proc. 1993. 285. 215.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 80 З. Марка, К. Паркс Чейни, В. Ванг, Г. Люпке, Дж. Гиллиган, Я. Яо, Н.Х. Толк [12] McKinley J.T., Albridge R.G., Barnes A.V. et al. // Nucl. Inst.

and Meth. in Phys. Rev. A. 1994. 341. 156.

[13] McKinley J.T., Albridge R.G., Barnes A.U. et al. // J. Vac. Sci.

Technol. A. 1994. 12. 2323.

[14] Margaritondo G., Coluzza C., Staehli J.L. et al. // J. de Physique IV. Colluque C9. Supplement au J. de Physique III4.

1994.

[15] Ueda A., Albridge R.G., Barnes A.V. et al. // Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 1995. 100. 427.

[16] Talk N.H., Albridge R.G., Barnes A.V. et al. // Appl. Surf. Sci.

1996. 106. 205.

[17] Bergman K., Stavola Michael, Pearton S.J. and Lopata J. // Phys. Rev. B. 1988. 37. 2770.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.