WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si ¶ © Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.М. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, 603950 Нижний Новгород, Россия + Laser Zentrum Hannover e. V., 30419 Hannover, Germany (Получена 27 декабря 2004 г. Принята к печати 18 апреля 2005 г.) Методами фотолюминесценции и рамановского рассеяния исследовано влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов бора и последующих стационарных термических или лазерных импульсных (20 нс) отжигов на свойства нанокристаллов Si в SiO2. Имплантация B гасила фотолюминесценцию, обусловленную размерным квантованием. Сопоставление с действием других ионов показало, что рост массы частиц увеличивает затраты упругих потерь на гашение ФЛ. Это объясняется связыванием генерируемых дефектов в комплексы, не являющиеся центрами безызлучательной рекомбинации. Исследования подтвердили существование ускорения кристаллизации нанопреципитатов при введении примеси, а также выявили особенности, связанные с малыми размерами атомов бора. Отмечана эффективность лазерных отжигов для постимплантационного восстановления фотолюминесценции, обусловленная возможностью кратковременного плавления нанокристаллов. Несмотря на свидетельства попадания бора внутрь нанокристаллов, признаки появления свободных дырок отсутствовали. Причиной считается заглубление примесных уровней в нанокристаллах.

PACS: 81.07.-h, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 61.46.+w, 61.72.Ww 1. Введение В работах [2–6] предпринимались попытки легирования нк-Si в процессе их синтеза путем распыления Si совместно с SiO2 + P2O5 или SiO2 + B2O5 и Кремниевые наноструктуры привлекают в настоящее последующего отжига. Результаты оказались противовремя исключительно большое внимание исследоватеречивыми, поскольку для одних и тех же расчетных лей. Причинами являются главенствующее место Si в уровней легирования (в экспериментах реально эти микроэлектронике, стремительное сокращение размеров уровни не контролировались) получалось как усиление приборных элементов и проявление новых физических фотолюминесценции (ФЛ), так и ослабление. В недавней свойств Si вследствие квантово-размерных ограничений.

работе [7] сделан вывод, что совместное легирование В частности, обнаружение способности нанокристаллов бором и фосфором дает лучший результат, чем каждая кремния (нк-Si) излучать интенсивный свет открываиз примесей по отдельности. В перечисленных работах ет перспективу использования кремния не только в предполагалось попадание примеси в нк-Si в процессе их электронных схемах, но и в оптоэлектронике. Столь синтеза.

высокая значимость кремниевых наноструктур делает весьма актуальным разработку и исследование методов Важнее было бы изучить возможности легирования их создания и модификации. Одним из основных методов уже сформированных наноструктур, в особенности мемодификации полупроводников является легирование, тодом ионной имплантации. Благодаря своей чистоте, причем для Si из примесей чаще всего используют бор универсальности и контролируемости этот метод яви фосфор. ляется основным в кремниевой микроэлектронике. До сих пор ионное легирование нк-Si изучалось только Вопрос о последствиях легирования квантово-размерприменительно к форсфору [8–10]. Согласно [8], импланных структур достаточно сложен и до настоящего времетация ионов P в нк-Si, синтезированные при 1000C, ни однозначно не решен. Введение дополнительных носпособствует усилению ФЛ. В работах [9,10] было устасителей заряда могло бы способствовать излучательной новлено, что в случае синтеза при 1100C легирование рекомбинации компонентов возбужденных пар. Однако не усиливает ФЛ, но и катастрофического падения ее единичному носителю в нанокристалле Si соответствует интенсивности вследствие рекомбинации Оже также не концентрация более 1019 см-3, и, согласно расчетам [1], наблюдается вплоть до концентраций фосфора более люминесценция в нк-Si должна подавляться из-за ре1020 см-3. Авторы [10] получили ряд свидетельств, что комбинации Оже, когда энергия возбужденной пары не имплантированные атомы P действительно оказываются высвечивается в виде фотона, а передается третьему хотя бы частично внутри нк-Si, однако наблюдавшиеся носителю.

эффекты связывались не с изменением электронной ¶ E-mail: kachurin@isp.nsc.ru подсистемы, а с атомными процессами.

76 Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.М. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker Цель данной работы — изучить в широком интервале доз особенности имплантации квантово-размерных кристаллов Si ионами B — основной акцепторной примесью. При этом пост-имплантационные отжиги было решено проводить не только стационарно в печи, но и с помощью мощных наносекундных лазерных импульсов.

Подобные импульсы позволяют мгновенно нагревать поверхность выше точки плавления Si, производить закалку за счет высоких скоростей охлаждения и обеспечивают растворение примесей во много раз выше равновесных значений [11]. Согласно данным, полученным в работе [12], в наночастицах сами равновесные растворимости примесей могут быть выше, чем в объемном материале.

2. Эксперимент Синтез нк-Si производился путем имплантации 1017 см-2 ионов Si с энергией 140 кэВ в слои термического окисла Si толщиной 0.6 мкм и последующих отжигов. Отжиги проводились в атмосфере азота в течение 2 ч при температуре 1100C. Затем в слои имплантировали ионы B с энергией 70 кэВ в интервале доз 1013-1016 см-2. Выбор энергии ионов B объясняется желанием обеспечить близость средних проективных пробегов для ионов B и Si ( 220 нм).

Рис. 1. Спектры фотолюминесценции исходных нанокристалПосле имплантации бора образцы вновь отжигались лов Si (1) и после имплантации ионов B дозами, 1013 см-2:

либо изохронно (по 30 мин) в атмосфере азота при 2 —1, 3 —3.

температурах 600-1100 C, либо мощными импульсами эксимерного лазера LPX 325i на KrF. На длине волны 248 нм лазер обеспечивал импульсы с энергией до 800 мДж при длительности 20 нс. Стабильность энервозбужденных носителей в квантово-размерных кригии от импульса к импульсу была не хуже ±3%. Перед сталлах Si. Формирование нанокристаллов Si в аналооблучаемыми образцами устанавливался микролинзовый гичных условиях синтеза было подтверждено прямыгомогенизатор, обеспечивавший однородность облучеми электронно-микроскопическими наблюдениями [10].

ния поверхности не хуже ±5% на площади 4 4мм2.

Внедрение ионов B при дозе 1013 см-2 привело к резкоОбразцы облучались в комнатных условиях, причем для му падению интенсивности ФЛ со смещением максимуобеспечения лучшей однородности на каждый образец ма в коротковолновую сторону (кривая 2). Если же дозу давалось по 10 импульсов при частоте следования 1 Гц.

увеличить до 3 · 1013 см-2, то ФЛ гасится полностью, Для установки необходимой энергии импульса часть также как и после более высоких доз (кривая 3).

излучения отщеплялась поворотом отражающей стекРезультаты влияния пост-имплантационного отжига лянной пластины. В экспериментах по лазерному отжигу при различных дозах ионов B на спектры ФЛ приведены были использованы также несколько образцов, импланна рис. 2. Отметим, что после имплантации малой дозы тированных ионами P с энергией 150 кэВ. Свойства (3 · 1013 см-2) и отжига при 1000C в течение 30 мин образцов контролировались по спектрам ФЛ, возбуждаеинтенсивность ФЛ (кривая 2) оказывается даже нескольмой при 20C излучением азотного лазера с = 337 нм, ко выше, чем в исходных кристаллах, сформированных и по спектрам рамановского рассеяния (аргоновый лазер отжигом при 1100C в течение 2 ч (кривая 1). Прирост = 514.5нм).

интенсивности заметнее в длинноволновой части спектра. Второй эффект заключается в том, что при высоких уровнях легирования имеется область величины доз, 3. Результаты исследований где с ростом концентрации примеси отжиг приводит к На рис. 1 показаны спектры ФЛ образцов, изме- увеличению интенсивности ФЛ (см. кривые 3 и 4 на ренные непосредственно после синтеза нк-Si и по- рис. 2). Правда, дальнейший рост дозы от 3 · 1015 см-до 1016 см-2 ослабляет ФЛ.

сле имплантации различных доз ионов B. Исходные нк-Si давали интенсивный пик ФЛ вблизи 790 нм (кри- Общий ход восстановления ФЛ образцов (после ее вая 1), который обычно связывают с рекомбинацией гашения, см. рис. 1) в результате пост-имплантационных Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si ФЛ с небольшим длинноволновым ее смещением. Затем были проведены эксперименты по лазерному отжигу нк-Si, имплантированных ионами B.

Результаты исследований методом рамановского рассеяния показаны на рис. 4. Внизу приведен спектр рассеяния слоев, содержащих нелегированные нк-Si, сформированные отжигом при 1100C в течение 2 ч.

Интенсивная линия 520 см-1 обусловлена рассеянием излучения монокристаллической кремниевой подложкой. Полоса в области 515 см-1 есть результат рассеяния кремниевыми нанокристаллами (для наглядности штриховой линией внизу приведена гауссина, соответствующая этой полосе). После имплантации 1016 см-ионов B рассеяние от нк-Si исчезает и появляется широкая полоса с центром вблизи 480 см-1, характерная для аморфного кремния (кривая 2). Сигнал о появлении нк-Si (с исчезновением рассеяния аморфным Si) регистрируется вновь после облучения импульсами лазера с энергией 300 мДж / см2. Он оказывается слабее, чем от исходных, неимплантированных кристаллов, и сильно размыт (кривая 3). Примерно таким же получается спектр и после термического отжига при Tann = 1100C (кривая 4). Вместе с тем проведенные параллельно Рис. 2. Спектры фотолюминесценции нанокристаллов Si, опыты по лазерному отжигу нк-Si, имплантированных сформированных отжигом при 1100C в течение 2 ч (1), и после имплантации в них ионов B дозами, 1014 см-2: 2 —0.3, 3 — 10, 4 — 30, 5 — 100 с последующим отжигом при 1000C в течение 30 мин. Ординаты кривых 3–5 увеличены.

термических отжигов в зависимости от температуры отжига Tann показан на рис. 3. Максимальная доза, после которой отжигами удавалось полностью восстановить ФЛ, была 1014 см-2 (кривая 3). С дальнейшим ростом дозы эффективность отжигов для восстановления ФЛ быстро падала. Так, при достижении дозы 3 · 1014 см-отжиги до 800C почти ничего не давали, а начиная с дозы 1015 см-2 даже 1000C было недостаточно для существенного роста эмиссии. Наконец, после внедрения 1016 B+/см-2 восстановление ФЛ было весьма незначительным даже после температуры Tann = 1100C.

Перед проведением экспериментов по лазерному отжигу нк-Si, имплантированных бором, мы оценили в первом приближении его действие на неотожженные слои SiO2 с избыточным Si и на слои SiO2, где путем термических отжигов заранее были сформированы хорошо люминесцирующие нк-Si. Опыты показали следующее. Лазерные импульсы с плотностью энергии порядка 400 мДж / см2 приводят к заметной эрозии поРис. 3. Изменение максимума интенсивности фотолюминесверхности. При плотностях энергий ниже указанной ценции при изохронных пост-имплантационных отжигах в сформировать люминесцирующие нк-Si в неотожженных зависимости от температуры отжига. Дозы ионов B, 1014 см-2:

слоях SiO2 с избытком Si не удавалось. Напомним, что в 1 —0.1, 2 —0.3, 3 —1, 4 —3, 5 — 30, 6 — 100. Светлые подобных слоях нк-Si образуются за 20 мс при 1350C точки — данные для тех же доз ионов P по результатам [9,10].

и за 1 с при 1200C [13,14]. Облучение импульсами За единицу принята исходная интенсивность фотолюминесцен200-300 мДж / см2 слоев SiO2 с заранее сформированции нанокристаллов Si, сформированных отжигом при 1100C ными нк-Si приводило к снижению интенсивности их в течение 2 ч.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 78 Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.М. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker запрещенной зоны. Это затрудняет излучательную рекомбинацию возбужденных носителей, и время их жизни в нк-Si достигает сотни микросекунд. Теоретические оценки [1] показали, что в таких условиях достаточно одного центра безызлучательной рекомбинации, чтобы подавить люминесценцию. При имплантации ионов He ФЛ действительно полностью гасла, когда среднее расчетное число смещений иона на нк-Si достигало единицы [15]. Однако в данной работе после имплантации ионов бора дозой 1013 см-2 ( 10 смещений на нк-Si) еще сохранялось 10% интенсивности ФЛ, и только после дозы 3 · 1013 см-2 ФЛ гасла полностью (рис. 1).

Если обратиться к результатам работы [9], то в ней показано, что после внедрения ионов P дозой 1013 см-( 50 смещений на нк-Si) сохранялось 15% интенсивности ФЛ, а после 3 · 1013 см-2 ( 150 смещений на нк-Si) около 5%. Таким образом, зависимость гашения ФЛ от массы частиц оказалась обратной, — чем тяжелее ион, тем при больших затратах упругой энергии происходит гашение ФЛ. Оговоримся, что химическая природа примеси значения не имела. В работе [15] ионы He с энергией 130 кэВ пролетали исследуемый слой насквозь, а для ионов P [9,10] и B дозами 1013 см-Рис. 4. Спектры рамановского рассеяния для исходных соответствует всего 0.05 атомов примеси на нк-Si.

нк-Si (1); после имплантации 1016 см-2 ионов B (2); после По всей видимости, обнаруженный нами эффект связан дополнительного лазерного отжига 300 мДж / см2 (3); после с ростом плотности упругих потерь с ростом массы дополнительного термического отжига при 1100C в течение 30 мин (4); после имплантации 1016 см-2 ионов P и лазерного внедряемых частиц.

отжига при 300 мДж / см2 (5). Гауссиана приведена для наглядности внизу штриховой линией.

большой дозой P, показали, что полоса их рассеяния уширена меньше (рис. 4, кривая 5).

Помимо рамановского рассеяния исследовались спектры ФЛ лазерно-отожженных образцов (рис. 5). Импульсы с энергией 200 мДж / см2 практически не изменили спектры ФЛ, измеренные сразу после имплантации ионов B (рис. 5, кривая 1). После увеличения энергии до 300 мДж / см2 эмиссия, характерная для нк-Si, появлялась (рис. 4, кривая 5). Она была слабее, чем у исходных образцов (рис. 1, кривая 1), однако по сравнению с термическим отжигом при 1100C в течение 30 мин (рис. 5, кривая 2) импульсный отжиг дал существенно лучший результат. Частичное восстановление ФЛ после лазерных импульсов с плотностью энергии 300 мДж / смнаблюдалось также и в случае имплантации больших доз P (спектры не приводятся).

4. Обсуждение результатов Быстрое гашение ФЛ при малых дозах ионов бора — результат ожидаемый. Подобное гашение наблюдалось Рис. 5. Спектры фотолюминесценции нк-Si, имплантированранее при облучении нк-Si ионами He [15] и P [9,10].

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.