WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

гиба зон подложки, а направление смещения говорит о том, что на поверхность полупроводника переноЗаключение сится отрицательный заряд. Если теперь обратиться к изменению работы выхода на ранних стадиях формиБыли проведены исследования процесса формироварования интерфейса, то можно обнаружить, что она ния интерфейса между органическими макромолекусначала незначительно (на 0.1-0.2eV) уменьшается, а лярными покрытиями NTCDA и PTCDA и подложзатем начинает возрастать. К моменту, когда изгиб зон кой GaAs (100). Применение метода спектроскопии полподложки составляет 0.4 eV, работа выхода примерно ного тока позволило проследить формирование незаполприходит к значению, изначально характерному для ненных электронных состояний в процессе увеличения подложки. Этот факт объясняется тем, что молекулы на поверхности заряжаются положительно и возника- толщины покрытий начиная от субмонослойных. Было показано, что образование связи между молекулами ющий между молекулами и поверхностью подложки и подложкой осуществляется благодаря -электронам диполь компенсирует изменение работы выхода. Что же касается спектральных особенностей, характерных для ароматического ядра молекул, из-за чего на интерфейсе осаждаемых молекул, то на начальной стадии формиро- происходит модификация - и -электронных молекувания интерфейса наблюдаются некоторые колебания их лярных состояний. Большее количество -электронов у энергетического положения (особенно хорошо заметные молекулы PTCDA привело к образованию более сильной на разностных кривых для NTCDA, рис. 3), видимо, связи с подложкой, что в десорбционном эксперименте вследствие одновременного воздействия на них двух привело к частичной дефрагментации осажденных молеописанных процессов: отрицательного — заряжения по- кул при прогреве.

верхности подложки и положительного — осаждаемых Авторы выражают благодарность А. Сидоренко молекул. При дальнейшем увеличении толщины покры(Institut fur Physikaliche Chemie, Universitaet Tuebingen) тия происходит экранирование интерфейсного диполя за предоставленный образец монокристалла GaAs.

и работа выхода образца становится равной значению, характерному для осаждаемого вещества.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 02Таким образом, описываемая физическая картина про03-32751) и госпрограммы „Поверхностные атомные цесса формирования электронной структуры интерфейструктуры“.

сов PTCDA/GaAs и NTCDA/GaAs обладает двумя характерными особенностями: 1) перенос электронной плотСписок литературы ности происходит в направлении от молекул к подложке и 2) в ходе взаимодействия с подложкой затрагиваются [1] Forrest S.R. // Chem. Rev. 1997. Vol. 97. N 6. P. 1793–1896.

электронные состояния в диапазоне энергий до 11 eV.

[2] Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Colloids and Surfaces A. 2004.

В этом диапазоне расположены в основном -орбитали N 239. P. 55–58.

ароматического ядра молекул [11], из чего можно сде[3] Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Phys. Low-Dim. Struct. 2002.

лать вывод, что основным механизмом взаимодействия Vol. 9/10. P. 55–63.

молекул NTCDA и PTCDA с поверхностью GaAs явля[4] Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003.

ется затягивание -электронного облака ароматических Vol. 5/6. P. 87–98.

колец от молекул к подложке. Оценка толщины интер- [5] Komolov S.A., Gerasimova N.B., Aliaev Y.G. et al. // Phys.

фейсного слоя показала, что она составляет около 3 nm, Low-Dim. Struct. 2002. Vol. 1/2. P. 253–260.

Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. Электронная структура интерфейсов PTCDA/GaAs и NTCDA/GaAs [6] Hirose Y., Wu C.I., Aristov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 1997.

Vol. 113/114. P. 291–298.

[7] Gador D., Buchberger C., Fink R. et al. // J. El. Spectr. and Rel. Phen. 1998. Vol. 96. P. 11–17.

[8] Hill I.G., Schwartz J., Kahn A. // Org. El. 2000. Vol. 1. P. 5–13.

[9] Hirose Y., Chen W., Haskal E.I. et al. // Appl. Phys. Lett.

1994. Vol. 64. N 25. P. 3482–3484.

[10] Комолов С.А. Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверхности. Л.: Изд-во ЛГУ, 1986. 180 с.

[11] Gerasimova N.B., Komolov S.A., Aliaev Y.G. et al. // Phys.

Low-Dim. Struct. 2001. Vol. 1/2. P. 119–125.

[12] Комолов С.А., Галат Я. // Вестник ЛГУ. 1982. № 4. С. 24– 29.

[13] Комолов С.А., Герасимова Н.Б., Сидоренко А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 24. С. 80–88.

[14] Komolov S.A., Gerasimova N.B., Sidorenko A.G. et. al. // Phys.

Low-Dim. Struct. 2001. Vol. 7/8. P. 93–99.

[15] Комолов С.А., Лазнева Э.Ф., Комолов А.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 23. С. 13–19.

[16] Komolov S.A., Gerasimova N.B., Morozov A.O. // Phys. LowDim. Struct. 1997. Vol. 10. P. 35–40.

Журнал технической физики, 2005, том 75, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.