WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

[11] Forbes R.G. // Technical Digest. 9th Int. Vac. Microelectronics пределенного в пространстве заряда эмиттированных Conf. (ISBN 5-86072-081-5). St.Petersburg: Bonch-Bruevich электронов может не выявлять заметного влияния на University of Telecommunications, 1996. P. 58–64.

эмиссию, учет движения точечных зарядов показывает, [12] Fursey G.N. and Glazanov D.V. // J. Vac. Sci.

что под влиянием эмиттированных электронов может Technol. B. 1998. Vol. 16. P. 910–915.

изменяться как общий ток эмиссии (из-за временного [13] Modinos A. // Sol. St. Electron. 2001. Vol. 45. P. 809–816.

„выключения“ частей поверхности), так и различные [14] Yuasa K., Shimoi A., Ohba I., Oshima Ch. // Surf. Sci. 2002.

распределения электронов.

Vol. 520. P. 18–28.

[15] Jensen K.L., Zaidman E.G., Kodis M.A. // AIP Conf. Proc.

Выводы 1997. Vol. 391. Issue 1. P. 95–100.

[16] Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1975.

1. Решение задачи о влиянии объемного заряда на Т. 45. Вып. 10. С. 2126–2134.

полевую электронную эмиссию, основанное на решении [17] Fursey G.N., Baskin L.M., Glasanov D.V. et al. // J. Vac. Sci.

уравнения Пуассона и вычислении поля на границе Technol. B. 1998. Vol. 16. P. 232–237.

зоны ОЗ с поверхностью эмиттера, приводит к зна- [18] Stern T.E., Gossling B.S., Fowler R.H. // Roy. Soc. Proc. A.

чительному завышению этого влияния. В зависимости 1929. Vol. 124. P. 699–723.

от радиуса кривизны поверхности эмиттера и геомет- [19] Dyke W.P., Trolan J.K. // Phys. Rev. 1953. Vol. 89. N 4.

рии электродов плотность тока, при которой проявля- P. 799–807.

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. Влияние объемного заряда эмиттированных электронов на полевую электронную эмиссию [20] Barbour J.P., Dolan W.W., Trolan J.K. et al. // Phys. Rev.

1953. Vol. 92. N 1. P. 45–51.

[21] Liu S., Dougal R.A. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. N 10.

P. 5919–5925.

[22] Айзенберг Н.Б. // ЖТФ. 1954. Т. 24. Вып. 11. С. 2079–2082.

[23] Компанеец А.С. // ДАН СССР. 1959. Т. 128. № 6. С. 1160– 1162.

[24] Горьков В.А., Елинсон М.И., Сандомирский В.Б. // РиЭ.

1962. № 7. С. 1495–1500.

[25] Айзенберг Н.Б. // РиЭ. 1964. № 12. С. 2147–2155.

[26] Child C.D. // Phys. Rev. 1911. Vol. 31. P. 492–511.

[27] Langmuir I. // Phys. Rev. 1913. Vol. 2. P. 450–486.

[28] Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с.

[29] Jarupoonphol W., Murakami K., Sakata K. et al. // J. Vac.

Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. P. 1598–1601.

[30] Nagaoka K., Fujii H., Matsuda K. et al. // Appl. Surf. Sci.

2001. Vol. 182. P. 12–19.

[31] Lewis C.D. // Phys. Rev. 1956. Vol. 101. N 6. P. 1694–1698, Журнал технической физики, 2004, том 74, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.