WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

но для полупроводников с непараболическим законом [11] C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, дисперсии и было достаточно подробно изучено для C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1580 (1994).

номинально нелегированных гетероструктур InAs / AlSb [12] Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, с КЯ [11]. Для интерпретации полученных результатов S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002).

в настоящей работе проведены расчеты циклотронных [13] G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, масс на уровне Ферми (2) в рамках описанной выше (1990).

упрощенной модели Кейна. Результаты расчетов показы[14] G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor вают, что при заполнении электронами двух или трех heterostructures (Halsted Press, N. Y., 1988) p. 31–61.

подзон размерного квантования величины эффективных [15] В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Т.С. Бабушкина, Л.М. Батукомасс на поверхности Ферми в разных подзонах отлива, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Т.С. Кунцевич, И.Г. Малчаются незначительно, и это расхождение укладывается кина, Т.Н. Янькова. ФТП, 26, 516 (1992).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb... [16] I. Prevot, B. Vinter, F.H. Julien, F. Fossard, X. Marcadet. Phys.

Rev. B, 64, 195 318 (2001).

[17] D.C. Larrabee, G.A. Khodaparast, J. Kono, K. Ueda, Y. Nakajima, M. Nakai, S. Sasa, M. Inoue, K.I. Kolokolov, J. Li, C.Z. Ning. Appl. Phys. Lett., 83, 3936 (2003).

[18] A. Furukawa, S. Ideshita. J. Appl. Phys., 75, 5012 (1994).

[19] D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 47, 13 478 (1993).

[20] J. Shen, J.D. Dow, S.Yu. Ren, S. Tehrani, H. Goronkin. J. Appl.

Phys., 73, 8313 (1993).

Редактор Л.В. Шаронова A cyclotrone resonance in both doped and non-doped InAs / AlSb heterostructures with quantum wells V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, A.V. Ikonnikov, Yu.G. Sadofyev, J.P. Bird, S.R. Jonhson, Y.-H. Zhang Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA

Abstract

Cyclotron resonance spectra of two-dimensional electrons have been investigated in AlSb / InAs / AlSb quantum well heterostructures at 4.2 K in the spectral range from 150 to 700 GHz using backward wave tubes, the electron concentration being from 2.7 · 1011 to 8 · 1012 cm-2. A considerable increase in the cyclotron mass from 0.03m0 to 0.06m0 with the electron concentration (and correspondingly with the Fermi energy) has been discovered, which is typical for a semiconductor with a nonparabolic energy–momentum law. The results obtained are in good agreement with the calculated values of the cyclotron masses at the Fermi level in the framework of the simplified Kane model.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.