WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

зависимость от уровня возбуждения определяется главРедактор Л.В. Беляков ным образом эффективностью передачи возбуждения от экситонов КЯ в 3d-оболочку Mn2+. Зависимость кинетики ВЛ Mn2+ от ширины КЯ при одинаковой кон- Luminescence of Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te центрации марганца указывает на существенную роль quantum well structures–exciton and интерфейсов и переноса возбуждения поперек КЯ.

intracentral light emission V.F. Agekyan, N.N. Vasil’ev, A.Yu. Serov, Список литературы Yu.A. Stepanov, U.V. Tazaev, N.G. Filosofov, G. Karczewski [1] X. Yang, X. Xu. Appl. Phys. Lett., 77, 797 (2000).

V.A. Fock Institute of Physics, [2] J.S. Lewis, M.R. Davidson, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 92, St. Petersburg State University, 6646 (2002).

198504 St. Petersburg, Russia [3] R.N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, A. Nurmikko. Phys.

Rev. Lett. 72, 416 (1994). Institute of Physics, Polish Academy of Science, [4] R.N. Bhargava. J. Cryst. Growth, 214/215, 926 (2000).

02-668 Warsaw, Poland [5] Wei Chen, F. Su, G. Li, A.L. Joly, J.-O. Malm, J.-O. Bovin.

J. Appl. Phys., 92, 1950 (2002).

Abstract

The Zn1-x MnxTe/Zn0.59Mg0.41Te structures having [6] Y. Kanemitsu, H. Matsubara, C.W. White. Appl. Phys. Lett., different manganese concentrations and quantum well widths 81, 535 (2002).

have been fabricated by the molecular beam epitaxy method.

[7] C. de Mello Donega, A.A. Bol, A. Meijerink. J. Luminecs., 96, It is show that the saturation of Mn2+ excited states determines 87 (2002).

relative intensities of the quantum well and barrier excitons. The [8] J. Zhou, Y. Zhou, S. Buddhudu, S.L. Ng, Y.L. Lam, H.Kam.

temperature influence and the Mn2+ central luminescence kinetics Appl. Phys. Lett., 76, 3513 (2000).

[9] M. Tanaka, Y. Masumoto. Solid State Commun., 120, depend considerably on the manganese density and the quantum 7 (2001).

well width.

[10] W. Park, T.C. Jones, S. Schon, W. Tong, M. Chaichimansur, B.K. Wagner, C.J. Sommers. J. Cryst. Growth, 184/185, 1123 (1998).

[11] A.D. Dinsmore, D.S. Hsu, S.B. Qadri, J.O. Cross, T.A. Kennedy, H.F. Grey, B.R. Ratna. J. Appl. Phys., 88, 4985 (2000).

[12] M. Godlewski, V.Yu. Ivanov, P.J. Bergman, B. Monemar, Z. Golacki, G. Karczewski. J. Alloys Comp., 341, 8 (2002).

[13] D. Adachi, S. Hasui, T. Toyama, H. Okamoto. Appl. Phys.

Lett., 77, 1301 (2000).

[14] В.Ф. Агекян, Н.Н. Васильев, А.Ю. Серов, Н.Г. Философов, G. Karczewski. ФТТ, 46, 1719 (2004).

[15] X. Liu, U. Bindley, Y. Sasaki, J. Furdyna. J. Appl. Phys., 91, 2859 (2002).

[16] J.T. Shin, W.C. Chiang, C.S. Yang, M.S. Kuo, W.C. Chou.

J. Appl. Phys., 92, 2446 (2002).

[17] А.Ю. Наумов, С.А. Пермогоров, Т.Б. Попова, А.Н. Резницкий, В.Я. Жулай, В.А. Новожилов, Н.Н. Спендиаров. ФТП, 21, 350 (1987).

[18] B.K. Meyer, A. Polity, B. Farangis, Y. He, D. Hasselkamp, Th. Krmer, C. Wang. Appl. Phys. Lett., 85, 4929 (2004).

[19] Ma Ke-Jun, W. Giriat. Solid State Commun., 60, 921 (1984).

[20] В.Ф. Агекян, Ю.А. Степанов, И. Акаи, Т. Карасава, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, А. Зейлмейер, С. Шмидт, С. Ханна, Е. Зибик. ФТП, 38, 585 (2004).

[21] J. Gregus, J. Watanabe, J. Nakahara. J. Phys. Soc. Japan, 66, 1810 (1997).

[22] J.D. Park, S. Yamamoto, J. Watanabe, K. Takamura, J. Nakahara. J. Phys. Soc. Jpn, 66, 3289 (1997).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.