WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

поскольку максимальному значению МТ на данной грани При исследовании температурной зависимости ФМЭ полупроводника соответствует преимущественно сжатие температура измерялась при освещении образца, а изнаправленных химических связей, очевидно, что свет, мерения величины отпечатка производились после охлапроизводя переход электронов, вызывает изотропизицию ждения образца с неподнятым индентором. Как видно из остро направленных химических связей (рис. 1), и в рис. 5 (кривые 3 и 4), при низких температурах МТ пракрезультате кривая, полученная при освещении, является тически постоянна. Однако для каждой интенсивности более ”гладкой”, чем темновая.

света при достижении определенной температуры начинает наблюдаться зависимость величины измеренной при 6. Температурная зависимость ФМЭ освещении МТ от температуры, а с дальнейшим повышением температуры ФМЭ исчезает. Причем с ростом Исходя из вышеприведенных экспериментов по ФМЭ интенсивности освещения точка слияния температурных можно предположить, что при нагреве образца уменьзависимостей МТ, полученных в темноте и на свету, шение МТ должно происходить в основном в результате передвигается в сторону высоких температур.

образования антисвязывающих частиц за счет темпераСравнение концентраций антисвязывающих квазичатуры. Поэтому было проведено экспериментальное исстиц, созданных как температурой nd, так и освещениследование температурной зависимости МТ кристалла Si ем nill, показало, что если в определенном температуркак в темноте, так и при воздействии освещения белым ном интервале светом создается концентрация квазичасветом разной интенсивности. В зависимости от условий, стиц больше, чем температурой, т. е. nill > nd, то в этом при которых происходит поднятие индентора и измеретемпературном интервале уменьшение величины МТ ние отпечатка, получается разный ход температурной определяется освещением и почти постоянное. С дальзависимости МТ. Если после формирования отпечатка, нейшим повышением температуры, когда nd становится не поднимая индентор, образец охлаждался до 50C, сравнимой с nill, МТ, измеренная при освещении, начипотом поднимался индентор и производилось измерение, нает зависеть от температуры, а когда nill < nd, ФМЭ то получаются значения, приведенные на рис. 5, крисводится к нулю и МТ меняется только с температурой.

вая 1. Если до охлаждения образца поднять индентор и измерять величину отпечатка, то она получается меньше, чем в предыдущем случае, т. е. происходит его упругое 7. ФМЭ в кристаллах Ge и SiC восстановление. Это дает завышенные значения МТ, что ведет к кажущемуся насыщению МТ от температуры Следует отметить, что качественно аналогичные ре(рис. 5, кривая 2). Из графика (рис. 5, кривые 1, 2) зультаты были получены нами при исследовании ФМЭ видно, что как и в случае светового воздействия, воз- той же методикой на образцах Ge (типа ГЭС-40) [18] Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 74 А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе и на образцах гексагонального 6H-SiC, с ориентацией A physical mechanism поверхности (0001), легированного азотом с концентраof the photomechanical effect цией примеси ND - NA = 3 · 1018 см-3 [19].

A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze Kutaisi Akaki Tsereteli State University, 8. Заключение 384000 Kutaisi, Georgia Таким образом, четкая корреляция уменьшения МТ

Abstract

The work presents results of systematic investigations с ростом концентрации антисвязывающих квазичастиц of photomechanical effect (PME — change of the material ясно указывает на то, что изменение МТ в результате microhardness (MH) under the influence of light) carried out on Si освещения в кристаллах с преимущественно ковалентsingle crystals, using conventional methods. We have studied the ными связями происходит в основном из-за ослабления dependences of PME both on spectral consistence and intensity of и изотропизации химических связей за счет антисвязыlight, as well as the residual PME (conservation of crystal softening вающих квазичастиц, т. е. образованных возбуждением during the certain interval of time), the influence of illumination электронов и дырок.

upon MH-anisotropy and the temperatural dependence of PME.

On the basis of investigations and analysis of the date available from the special literature, we have established a correlation Список литературы between the values of PME and the corresponding concentration of non-equilibrium carriers excited by light (so-called antibonding [1] G.C. Kuczynsky, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957).

quasiparticles). Due to this fact, we have offered the mechanism [2] П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько. ФТТ, 4, that can explain the decrease of MH because of lighting up in (1962).

covalent crystals as, on the whole, caused by weakening and [3] В.М. Бейлин, Ю.Х. Векилов. ФТТ, 5, 2372 (1963).

[4] П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько, К.И. Федо- isotropization of chemical bonds due to presence of antibonding ренько. ФТТ, 8, 1732 (1966).

quasiparticles generated by the light.

[5] В.А. Дроздов, Л.А. Мозговая, А.Л. Рвачев. ДАН СССР, 177, 168 (1967).

[6] И.А. Доморяд. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Минск, Наука и техн., 1970) с. 131.

[7] Н.Я. Горидько, Н.Н. Новиков. УФЖ, 9, 1550 (1972).

[8] В.И. Круглов. Уч. зап. ЛГУ, 386, 119 (1976).

[9] А.Б. Герасимов, В.Б. Голубков, Э.Р. Кутелия, В.П. Минеев, Э.М. Мкртычян, А.А. Церцвадзе. Письма ЖТФ, 6, (1980).

[10] A.B. Gerasimov. In: Proc. Fourth Int. Conf. Materials of Science Forum (N.Y., USA, 1990) v. 65–66, p. 47.

[11] У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 59.

[12] Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 132.

[13] А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, Г.Д. Чирадзе. Сообщ. АН Грузии, 142, 53 (1991).

[14] А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998).

[15] А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 42 (4), 683 (2000).

[16] Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 149.

[17] П.Д. Уоррен, С.Г. Робертс, П.Б. Хирш. Изв. АН СССР, сер.

физ., 51, 812 (1987).

[18] Г.Д. Чирадзе. Автореф. канд. дис. (Тбилиси, 1992).

[19] A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Bul. of the Georgian Acad. of Sciences, 156, 391 (1997).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.