WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

бильность, являющаяся одним из важнейших требований, предъявляемых к образцовым источникам излучения, может быть достигнута в случае пробойных светодиодов не путем термостатирования прибора, как при она играет также в области примесного поглощения в использовании всех традиционных типов излучателей, месте расположения известной полосы с максимумом а за счет особенностей механизма пробойной электров районе 1.9 eV. Как видно из табл. 2, интегральная люминесценции. Это определяет возможность создания величина int улучшается для данного образца в 1.5 раз малогабаритных приборов, управляемых питающим топри выводе излучения со стороны p-области в основном ком, с практически мгновенной готовностью к работе, за счет устранения влияния температурного сдвига края которые можно эффективно использовать в импульсном оптического поглощения.

режиме.

Особый практический интерес представляет инте- Предложенный в настоящей работе метод определения гральная величина температурного коэффициента кван- временной нестабильности источников слабого излучения в широкой области спектра отличается высокой протового выхода пробойных светодиодов по отношению к различным типам фотоэлектронных умножителей. Рас- изводительностью, что позволяет использовать его для метрологического обеспечения эталонных излучателей в чет для наиболее распространенных типов фотокатодов, произведенный для образца 90-1 при выводе излуче- условиях серийного производства.

ния через p-область, дает для величины значения Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 76 А.М. Генкин, В.К. Генкина, Л.П. Гермаш Список литературы [1] Алтайский Ю.М., Генкин А.М. // ЖТФ. 1982. Т. 52. Вып. 3.

С. 543–545.

[2] Алтайский Ю.М., Генкин А.М., Генкина В.К. и др. // Электронная техника. Сер. 2. 1987. № 4(190). C. 76–78.

[3] Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К. и др. // ЖТФ. 1997.

Т. 67. Вып. 1. С. 130–132.

[4] Генкин А.М., Генкина В.К., Огнева Л.Г. // Диэлектрики и полупроводники. 1987. Вып. 32. С. 81–84.

[5] Птащенко А.А. // Журн. прикл. спектр. 1980. Т. 33. Вып. 5.

С. 781–803.

[6] Косяченко Л.А., Пивовар А.В., Склярчук В.М. // Журн.

прикл. спектр. 1982. Т. 36. Вып. 2. С. 236–242.

[7] Константинов А.О. // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 12. С. 2124– 2128.

[8] Аникин М.М., Левинштейн М.Е., Попов И.В. и др. // ФТП.

1988. Т. 22. Вып. 9. С. 1574–1579.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.