WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

в подвижность минимален. В промежуточном случае В сильных магнитных полях, когда имеет место кванu2 v2 эффективная подвижность µeff µd и основной тование Ландау для зонных электронов, в n-HgCr2Se вклад в рассеяние носителей приходится на флуктуации наблюдаются необычные квантовые осцилляции намагd-уровней. Наконец, только при v2 0, когда d-уровень ниченности и сопротивления [16]. Теоретическое опи, имеем µeff µs, т. е. параметр µs имеет смысл сание намагниченности было сделано в работе [17] в максимально возможной подвижности, которая могла рамках той же модели, что и в данной работе. Как иметь место, если бы d-уровень располагался бесконечно видно из (4), дно зоны проводимости сдвигается провысоко относительно дна c-зоны. При этом носители порционально Sz, а химпотенциал пининнгован вблииспытывают в основном обычное потенциальное рассе- зи d-уровня. Поэтому эффективный химпотенциал, Физика твердого тела, 1999, том 41, № Особенности примесного электросопротивления в ферромагнетиках с малой концентрацией... сти [18]. Относительная амплитуда осцилляций электросопротивления мала в силу малости самой концентрации носителей, но, как оказалось, превышает величину осцилляций по намагниченности примерно в пять раз.

В заключение отметим, что потенциальный примесный механизм рассеяния приобретает столь необычные температурные и полевые зависимости благодаря характерному для практики многокомпонентных соединений сочетанию нескольких факторов, исходные из которых — это нарушение стехиометрических законов и наличие в химсоставе полупроводника переходных элементов.

Такое сочетание может быть первым показанием к существованию примесного вклада в сопротивление полупроводника с температурными и полевыми зависимостями, которые аналогичны здесь рассчитанным.

Рис. 4. Экспериментальная температурная зависимость элекАвторы признательны А.Д. Балаеву за предоставлетросопротивления для n-HgCr2Se4 в поле 60 kOe (a) и осцилние низкотемпературной зависимости электросопротилирующая часть сопротивления R(T ) (b).

вления n-HgCr2Se4 в поле 60 kOe.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 96-02-16075) и Красотсчитанный от дна зоны и определяющий фазу осцилноярским краевым фондом науки (грант № 7F0175).

лирующей части термодинамического потенциала, намагниченности и сопротивления, приобретает сильную полевую и температурную зависимость в отличие от Список литературы слабых T /F поправок в теории ферми-жидкости. В результате наблюдаемые во внешнем магнитном поле [1] Н.Н. Сирота. Физико-химическая природа фаз с переменквантовые осцилляции намагниченности и сопротивленым составом. Наука и техника, Минск (1970). 231 с.

ния теряют пердиодичность по обратному полю [16].

[2] S. Metfessel, D.C. Mattis. Magnetic Semiconductors, Аналогично при изменении температуры могут происHandbuch der Physic. Springer-Verlag, Berlin–Heidelberg– ходить пересечения химпотенциала с уровнями ЛанN. Y. (1968). 562 p.

дау, приводящие к температурным квантовым осцилля- [3] Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, циям, обнаруженным пока лишь для намагниченности М. (1979). С. 127.

[4] R. von Helmholt, J. Wecker, B. Holzapfel, L. Shultz, в [18].

K. Samwer 3. Phys. Rev. Lett. 71, 2331 (1993); S. Jin, Для того чтобы выделить осциллирующую часть в T.H. Tiefel, M.Mc. Cormack, R.A. Fasthnacht, R. Ramesh, температурной зависимости сопротивления, необходимо L.H. Chen. Science 264, 413 (1994).

из экспериментальной кривой Rexp(T ) (рис. 4, a [16]) [5] В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, М.Ш. Ерухимов, вычесть монотонную зависимость, не связанную с кванИ.С. Эдельман. ЖЭТФ 90, 1275 (1986); В.А. Гавричков, тованием Ландау, а именно сопротивление Rth(T ), опреС.Г. Овчинников, М.Ш. Ерухимов. ФТТ 29, 527 (1987).

деляемое формулой (15). Входящая в (14) температур[6] M. Lanoo, J. Bourgoin. Point defect in semiconductors I, ная зависимость была найдена в рамках спин-волновой theoretical aspects. Springer Series in Solid-States Science 22.

теории Springer-Verlag, Berlin–Heidelberg–N. Y. (1981). 264 p.

[7] А.А. Абрикосов, Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский. Ме Sи =3/2-at3/2Z3/2(x)-bt5/2Z5/2(x)-ct7/2Z7/2(x), (18) тоды квантовой теории поля в статистической физике.

Гостехиздат, М. (1962). 350 с.

t = T/4IS, x = 2µBH/T. Параметры разложения [8] S.G. Ovchinnikov. Phase Trans. 36, 15 (1991).

[9] A. Selmi. Galvanomagnetic properties of the semiconductors (18) a, b, c определены из подгонки под эксперименHgCr2Se4. Diplome de doctoeur (in French). University of тальную зависимость намагниченности от температуP.-M. Curie (1979). P. 61–71; A. Selmi et al. J. Appl. Phys.

ры с помощью симплекс-метода и оказались равными 57, 1, 3216 (1985); A. Selmi et al. J. Magn. Magn. Mater. 66, a = 0.8499, b = -0.5545, c = 0.1294. Получен3, 295 (1987).

ная таким образом теоретическая зависимость Rth(T ) [10] N. Koguchi, K. Masumoto, J. Phys. Chem. Sol. 41, описывает температурную зависимость сопротивления (1980).

без учета квантования Ландау. Осциллирующая часть [11] Б.А. Гижевский, А.А. Самохвалов и др. ФТТ 26, 9, сопротивления R(T ) = Rexp(T ) - Rth(T ) показана на (1984).

рис. 4, b, где действительно наблюдается единичный [12] В.К. Чернов, В.А. Гавричков, Н.Б. Иванова, Г.С. Вейст, период осцилляций, так же как и для намагниченно- Ю.В. Бояршинов. ФТТ 28, 1, 289 (1986).

Физика твердого тела, 1999, том 41, № 76 В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников [13] N.F. Mott. Proc. Phys. Soc. 47, 571 (1935); Proc. Roy. Soc.

A 153, 368 (1936); N.F. Mott, K.W.H. Stevens. Phil. Mag. 2, 1364 (1957); B.R. Coles. Adv. Phys. 7, 40 (1958).

[14] J. Frank, F. Blatt. Physics of electronic conduction in solids.

Mc Graw–Hill Book Copmpany (1968). 470 p.

[15] T. Arai, M. Wakaki et al. J. Phys. Soc. Jap. 34, 1, 68 (1973).

[16] А.Д. Балаев, В.В. Вальков, В.А. Гавричков, Н.Б. Иванова, С.Г. Овчинников, В.К. Чернов. УФН 167, 1016 (1997);

А.Д. Балаев, В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, В.К. Чернов, Т.Г. Аминов, Г.Г. Шабунина. ЖЭТФ 113, 5, в печати (1998).

[17] В.В. Вальков, Д. Дзебисашвили. ЖЭТФ 111, 654 (1997).

[18] С.Г. Овчинников, В.К. Чернов, А.Д. Балаев, Н.Б. Иванова, В.А. Левшин, Б.П. Хрусталев. Письма в ЖЭТФ 62, (1995).

Физика твердого тела, 1999, том 41, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.