WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

направлений границ 211 в разных отражениях. Лишь в Возможно, этим процессом можно управлять не только одном рефлексе (444) видна ячеистая структура без фона изменяя энергию облучения, но и с помощью соотизображений периодических контуров (последние в этом ветствующих покрытий, предотвращающих испарение отражении не видны). В разных отражениях 422 видны полупроводника. По нашему мнению, режим облучения две, а не три системы границ ячеек, что подтверждает с четко выраженной рекристаллизацией представляется двойниковую природу границ.

наиболее целесообразным при лазерном внедрении приК сожалению, из-за низкого разрешения не удалось наблюдать взаимодействия двойниковой ячеистой струк- месей.

туры, наведенной лазерным облучением, с исходной Следует отметить, что масштаб структурных изменедислокационной ячеистой структурой кристаллов. В це- ний в CdTe под действием лазерного облучения может лом нам представляется, что наблюдаемую структуру быть мельче, чем тот, который можно наблюдать с помоФизика твердого тела, 1998, том 40, № 72 И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев щью рентгеновской топографии. Известно, что лазерное воздействие многообразно [14], но исследование CdTe в этом плане только начинается.

Работа частично поддерживается Российским Фондом фундаментальных исследований, грант № 97-02-18331.

Список литературы [1] T. Tokuayama. In: Laser and Electron Beam Processing of Materials / Ed. C.W. White and P.S. Peercy. Academic Press, N. Y. (1980). P. 608.

[2] C.An, H. Tews, G. Cohen-Solal. J. Cryst. Growth 59, 1, (1982).

[3] J. Narayan. In: Laser and Electron Beam Processing of Materials / Ed. C.W. White and P.S. Peercy. Academic Press, N. Y. (1980). P. 397.

[4] M. von Allmen, S.S. Lau. In: Laser and Electron Beam Processing of Materials / Ed. C.W. White and P.S. Peercy.

Academic Press. N. Y. (1980). P. 524.

[5] А.Т. Акобирова, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ФТП 10, 11, 2127 (1976).

[6] A.R. Lang. In: Difraction and Microscopic Methods in Material Science (in Russian). Metallurgiya, M. (1984).

P. 364.

[7] И.Л. Шульпина. Кристаллография 39, 2, 270 (1994).

[8] И.Л. Шульпина, Т.С. Аргунова, В.В. Ратников. ЖТФ 65, 4, 180 (1995).

[9] I.L. Shulpina, T.S. Argunova. J. Phys. D: Appl. Phys. 28, A(1995).

[10] R.O. Bell, M. Toulermonde, P. Siffert. J. Appl. Phys. 19, (1979).

[11] О.А. Матвеев, Д.В. Нахабцев. А.С. № 1431391 от 15.06.1988.

[12] J. Shen, D.K. Aidun, L.L. Regel, W.R. Wilcox. J. Cryst. Growth 132, 1, 250 (1993).

[13] С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Металлургия, М. (1988).

С. 574.

[14] Ф.Х. Мирзоев, В.Я. Панченко, Л.А. Шелепин. УФН 166, 1, 3 (1996).

Физика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.