WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Пути получения упорядоченных гетероструктур Ge–Si с германиевыми нанокластерами предельно малых размеров © Ю.Б. Болховитянов, С.Ц. Кривощапов, А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанецкий, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.А. Тийс Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия E-mail: pch@isp.nsc.ru Обсуждаются пути получения ансамблей нанокластеров германия предельно малых размеров и большой плотности распределения по площади подложки. Рассматриваются возможные варианты управления морфологией и упорядочением этих ансамблей.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект № 03-02-16506-а) и Министерством промышленности, науки и технологий РФ (госконтракт № 37.039.1.1.0041).

С появлением квантовых наноструктур (особенно Анализ современного состояния представлений о меструктур с квантовыми точками) традиционные, но ханизмах начальной стадии самоформирования и упонепрямозонные, полупроводники Si и Ge получили рядочения ансамблей нанокластеров при гетероэпитакперспективу перейти в класс оптических материалов.

сии Ge на Si проведен в большом количестве обзорных В большой мере именно с этим можно связать устойчи- работ (см., например, [4–8]). Показано влияние взаимвый рост интереса к квантовым структурам на их основе.

ной диффузии на формообразование нанокластеров при Физические эффекты, наблюдаемые в таких структурах температурах выше 600C [9].

в последние годы, становятся основой сосздания новой На примере гетеросистемы германий на кремнии элементной базы для СВЧ-электроники гигагерцового и давно изучается переход от послойного роста пленки терагерцового диапазонов, оптоэлектронных устройств к образованию трехмерных (3D) островков. При оти квантовой вычислительной техники. В связи с этим носительно низких температурах синтеза (300-500C) приобретает особую актуальность поиск путей получепроцессом взаимной диффузии материалов пленки и ния наноструктур с ультрамалыми (< 5nm) квантовыми подложки можно пренебречь [10,11]. Такие островки не точками Ge в Si.

содержат дислокаций несоответствия даже после сущеПроявление эффекта упорядочения в массивах островственного превышения ими критических толщин, что ков нанометровых размеров в гетеросистемах Ge-Si впервые было показано в работе [4]. Именно после этих позволило получать бездефектные квантовые точки отпубликаций начался бурный рост числа исследований носительно малых размеров (10–100 nm) с плотностью механизмов образования напряженных островков и осо1010-1011 cm-2 и привело к более четкому проявлению бенностей их упорядочения, так как была обнаружена атомноподобных характеристик в электронных и оптичевозможность создавать массивы бездефектных 3D объских спектрах этих объектов. Именно в этой системе для ектов нанометровых размеров, имеющих практическое выявления одноэлектронных эффектов впервые были применение в наноэлектронике.

использованы массивы островков [1]. В дальнейшем Кроме различия внутренних и поверхностных энербольшая часть работ по исследованию электронных гий, параметров решеток и упругих деформаций в свойств квантовых точек выполнялась на основе соедиэпитаксиальных пленках и трехмерных островках Ge нений III–V. Это обусловлено несколькими факторами:

на Si, ключевыми факторами, влияющими на особена) успехами в развитии технологии гетероэпитаксии соности протекания начальной стадии гетероэпитаксии, единений III–V; б) возможностью создания гетерострукявляются энергия границы раздела пленка–подложка, а тур I типа (разрывы в зоне проводимости и в валентной также определяющие ее величину структура и состав зоне имеют противоположные знаки), что важно для поверхности подложки кремния. Эти факторы обусоптических свойств систем; в) малой величиной эффекловливают не только морфологическую устойчивость тивной массы носителей, что обеспечивало проявление сплошного псевдоморфного (смачивающего) слоя Ge, эффектов размерного квантования при относительно на поверхноcти которого на более поздних стадиях больших размерах островков. Первые исследования по роста самоформируется островковая пленка (механизм квантовым точкам на основе соединений III–V были Странского–Крастанова). Они влияют на форму, размер проведены авторами работ [2,3] на структурах InAs– и пространственное распределение нанокластеров герGaAs. Интерес к таким нанообъектам продолжает расти мания в первых атомных слоях, коалесценция которых и в настоящее время. Для расширения применения приводит к образованию смачивающего слоя.

структур с нанокластерами германия в кремнии очень В формировании объемных островков можно выважен поиск путей снижения их размеров, увеличения плотности распределения по поверхности и степени делить стадии зарождения и их дальнейшего развиупорядочения. тия. Основные закономерности зарождения островков в 5 68 Ю.Б. Болховитянов, С.Ц. Кривощапов, А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанецкий, О.П. Пчеляков...

эпитаксиальной гетеросистеме определяются балансом поверхностных энергий пленки и подложки, а также энергии границы раздела пленка–подложка и внутренней энергии объема островка. Свободная энергия вновь образованного зародыша на поверхности подложки может быть выражена в виде трех составляющих [12] G = -V µ + s + Ei(V, h/l).

Здесь первый член — работа образования нового зародыша объема V, µ — термодинамическая движущая сила кристаллизации — пересыщение; второй член — работа, необходимая для создания дополнительной поверхности s; — поверхностная энергия зародыша (в уточненной форме этот член должен учитывать различие поверхностной энергии зародыша и энергии границы раздела подложка–зародыш). Третий член представляет дополнительную энергию, возникающую из-за упругой деформации зародыша. Если два первых члена этого Рис. 1. СТМ изображение нанокластеров Ge на поверхности выражения представляют классический вариант теории Si (111) 7 7.

зарождения (см., например, [13]), то последний член появляется только в случае выращивания напряженных пленок. При больших рассогласованиях, таких, как в системе Ge–Si, величина этой дополнительной энергии зависит не только от объема зародыша, но и от его формы (h/l — отношение высоты к поперечному размеру зародыша), и является существенной в переходе 2D-3D.

Вклад этого члена по расчетам [12] выглядит как быстро спадающая функция h/l. Чем больше выражена трехмерность напряженного зародыша, тем более заметен вклад упругой релаксации (уменьшения деформаций в наиболее удаленных от подложки его частях), тем меньше дополнительный вклад энергии напряжений в его свободную энергию. Поверхностная энергия системы Рис. 2. СТМ изображения поверхности кремния Si (111) 7 пленка Ge (и островок Ge)–подложка Si также зависит с нанокластерами и островками германия при степени поот толщины покрытия Ge (и формы островка Ge) [14].

крытия 0.4 бислоя до (a) и после (b) отжига при 350C в Энергия границы раздела будет иметь тем большее течение 2 h.

влияние на форму островков, чем меньше толщина слоя германия. Подтверждение этому выводу можно найти в работах [15,16], где экспериментально показана островков. На самых начальных стадиях гетероэпивозможность получения плотных массивов квантовых таксии в развитии двумерных островков механические точек рекордно малых размеров путем нанесения слоев напряжения, так же как и при гомоэпитаксии, не играют фторида кальция и монослойных покрытий кислорода.

существенной роли. Более важным фактором становится Однако наибольшего упорядочения системы квантовых точек Ge, по-видимому, следует ожидать при гетеро- состояние поверхности подложки. Это и приводит к сходству морфологических особенностей роста первых эпитаксии на чистой монокристаллической поверхности кремния. Несмотря на очень большое количество экспе- монослоев на атомарно-чистых поверхностях при гомои гетероэпитаксии. В этой связи можно сделать вывод риментальных исследований и подробные аналитические обзоры [4–8] в них нет указаний на возможность полу- о том, что процесс самоформирования наноостровков чения системы упорядоченных нанокластеров в процес- предельно малых размеров можно наблюдать на начальной стадии роста псевдоморфного смачивающего се формирования псевдоморфного смачивающего слоя.

слоя германия по двумерно-островковому механизму.

Рассмотрим некоторые аспекты этой проблемы.

В случае гомоэпитаксии, когда механические напря- Их формой и распределением можно управлять, меняя жения в пленке минимальны, на достаточно чистой структурное состояние поверхностного слоя кремния.

поверхности практически для всех полупроводников Экспериментальные подтверждения этому выводу пообъемные островки не образуются, а рост пленок идет лучены в работах [16–21]. Было продемонстрировалибо за счет движения ступеней (ступенчато-слоевой но влияние сверхструктурной перестройки поверхнорост), либо путем формирования и срастания двумерных сти Si (111) 7 7 на формирование нанокластеров Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Пути получения упорядоченных гетероструктур Ge–Si с германиевыми нанокластерами... металлов (In, Mn, Ag) [18] и Ge [17–20], имеющих [19] O.P. Pchelyakov, Yu.B. Bolkhovityanov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, L.V. Sokolov, S.A. Teys, B. Voigtlander.

размеры менее 5 nm (рис. 1) [18,19]. Установлено, что NATO Science Series II. Mathematics, Physics and Chemistry образование зародышей как металлов, так и германия 65, 371 (2001).

происходит преимущественно внутри половины элемен[20] J. Li, J. Jia, X. Liang, X. Liu, J. Wang, Q. Xue, Z. Li, J. Tse, тарной ячейки 7 7, находящейся в позиции дефекZ. Zhang, S. Zhang. Phys, Rev. Lett. 88, 066101–1 (2002).

та упаковки. Такие кластеры обладают значительной [21] L. Yan, H. Yang, H. Gao, S. Xie, S. Pang. Surf. Sci. 498, температурной устойчивостью. Даже после отжига при (2002).

350C в течение 2 h на поверхности кремния между [22] O. Hellman. J. Appl. Phys. 76, 3818 (1994).

островками германия относительно больших размеров [23] S. Parikh, M. Lee, P. Bennett. Surf. Sci. 356, 53 (1996).

остаются фрагменты нанокластеров (рис. 2).

[24] X. Lin, H. Mai, I. Chizhov, R. Willis. J. Vac. Sci. Technol.

B 14, 995 (1996).

Для управления характером упорядочения системы нанокластеров представляется возможным использование примесных сверхструктур, имеющих различные размеры и структуру элементарных ячеек. Такие сверхструктуры на поверхности кремния образуют, в частности, примеси металлов (см., например, [22–24]). Эти предпосылки не имеют в настоящий момент удовлетворительного экспериментального подтверждения и стимулируют проведение дальнейших детальных исследований механизмов упорядочения ансамблей полупроводниковых нанокластеров путем модификации поверхностных сверхструктур.

Список литературы [1] A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. Phil. Mag. 65, 701 (1992).

[2] D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).

[3] J.-M. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier. Phys. Rev.

Lett. 73, 716 (1994).

[4] D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).

[5] F. Liu, M.G. Lagally. Surf. Sci. 386, 169 (1997).

[6] P. Moriarty. Rep. Prog. Phys. 64, 297 (2001).

[7] T.I. Kamins, K. Nauka, R.S. Williams. Appl. Phys. A 73, (2001).

[8] K. Brunner. Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002).

[9] N.V. Vostokov, I.V. Dolgov, Yu. N. Drozdov, Z.F. Krasil’nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, V.V. Postnikov, D.O. Filatov. Journal of Crystal Growth 209, 302 (2000).

[10] T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys. 85, 1159 (1999).

[11] G. Capellini, M. De Seta, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett. 78, 3, 303 (2001).

[12] P. Mller, R. Kern. J. Cryst. Growth 193, 257 (1998).

[13] А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров. Современная кристаллография, 3. Наука, М. (1980).

[14] F. Liu, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 76, 3156 (1996).

[15] A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Appl.

Phys. Lett. 81, 3, 499 (2002).

[16] A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov. Mater. Sci.

Eng. B 89, 1–3, 180 (2002).

[17] U. Kohler, O. Jusuko, G. Pietch, B. Muller, M. Henzler. Surf.

Sci. 321, 248 (1991).

[18] S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Physics of Low-Dimensional Structures 1/2, 37 (2002).

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.