WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

2[Ubb - Reb1(Ie = 0)(1 - )] Iv. (27) = колебаний, переключения, детектирования и др. НаиT 2(1 - ) более удобны однопереходные тензотранзисторы для Величину напряжения впадины Uv легко получить под- применения в переключающих устройствах и схемах становкой значения тока Iv в выражение для эмиттерной релаксационных генераторов.

характеристики (26). На рис. 7 показана схема простейшего мультивиПодобно однопереходным магнитотранзисторам [2,4] братора на однопереходном тензотранзисторе, частота при высоком уровне инжекции в предлагаемой конструк- которого зависит от величины упругого механического ции тензотранзистора одноосная упругая деформация напряжения в базе тензотранзистора. В установившемся также может модулировать сопротивление первой базы режиме период колебаний мультивибратора равен [1–4] Reb1 из-за эффекта отклонения, когда в силу наведенной Uv - Uдеформацией анизотропии подвижности дырок неравноT () =RCln. (30) Up() - Uвесные носители отклоняются к ближней либо дальней по отношению к эмиттеру боковым поверхностям базы Зависимость частоты выходного сигнала мультивибра(рис. 1). Следствием эффекта отклонения может быть тора от величины упругого механического напряжения зависимость напряжения и тока впадины от величины в базовой области однопереходного тензотранзистора упругой деформации. Необходимым условием для этого представлена на рис. 8.

является превосходство поперечного поля Ey над диффуТаким образом, в результате проведенного анализа зионным [9,10,14] получены выражения, описывающие величины тока (напряжения) переключения и впадины на входной хаT Ey aEx >, (28) = рактеристике кремниевого однопереходного тензотранeL зистора, а также проведена оценка их зависимости от где Ex — продольное тянущее поле.

В соответствии с неравенством (28) величина параметра анизотропии, при которой дрейфовое поле превышает диффузионное, равна leT a > = 0.1. (29) eLUv Поскольку в рассматриваемом случае максимальное значение параметра анизотропии несколько меньше a = 0.06 (что соответствует величине упругого механического напряжения 86 MPa), то влияние механического напряжения на величины Uv, Iv будет пренебрежимо мало.

Кратко рассмотрим схемы преобразователей механических величин (давления, силы, ускорения) на однопереходных тензотранзисторах. Подобно схемам на Рис. 8. Расчетная зависимость частоты генерации мультивиоднопереходных транзисторах [1–3,15], в схемах с исбратора по схеме на рис. 7 от величины упругого одноосного пользованием однопереходных тензотранзисторов также механического напряжения сжатия (1, 3) и растяжения (2, 4) возможно использование любого из известных режимов:

в базовой области тензотранзистора. Ubb (V): 1,2 —6; 3,4 —4.

усиления, генерации синусоидальных и релаксационных Расчет выполнен для RC = 10-3 s, U0 = 10 V.

Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. Кремниевый однопереходный тензотранзистор значения механического напряжения в базовой области тензотранзистора, разности потенциалов между базовыми электродами, геометрических размеров базы.

Список литературы [1] Недолужко И.Г., Сергиенко Е.Ф. Однопереходные транзисторы. М.: Энергия, 1974. 101 с.

[2] Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.

[3] Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.:

Мир, 1984. 456 с.

[4] Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. 104 с.

[5] Гуменюк С.В., Подлепецкий Б.И. Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 12 (343). С. 3–48.

[6] Бабичев Г.Г., Жадько И.П., Козловский С.И. идр. // ЖТФ.

1994. Т. 64. Вып. 9. С. 84–89.

[7] Baltes H.P., Popovic R.S. // Proc. IEEE Trans. 1986. Vol. 74.

N 8. P. 1107–1132.

[8] Бойко И.И., Жадько И.П., Козловский С.И., Романов В.А. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1994. Вып. 27. С. 94–98.

[9] Бойко И.И., Романов В.А. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 5.

С. 817–835.

[10] Gribnikov Z.S., Lomova G.I., Romanov V.A. // Phys. Stat. Sol.

1968. Vol. 28. P. 815–825.

[11] Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1970. 416 с.

[12] Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П. и др. // ФТП. 1992.

Т. 26. Вып. 7. С. 1244–1250.

[13] Zhadko I.P., Babichev G.G., Kozlovskiy S.I. et al. // Sensors and Actuators. 2001. Vol. 90. N 1–2. P. 89–95.

[14] Грибников З.С., Литовский Р.Н. // ФТП. 1980. Т. 14.

Вып. 4. С. 675–679.

[15] Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1967.

200 с.

Журнал технической физики, 2002, том 72, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.