WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[6] Кузнецов Г.Ф., Семилетов С.А. // Обзоры по электронной технике. Сер. Микроэлектроника. М.: ЦНИИ ”Электроника”, 1975. Вып. 1 (280). 95 с.

блеме опубликовано несколько работ [2,4,6,11,12]. По[7] Кузнецов Г.Ф. // Синтез и рост совершенных кристаллов сле химической обработки поверхности кристаллов изои пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, 1981.

бражения дефектов поверхности исчезают с топограмм.

С. 133–138.

Следовательно, сами дефекты поверхности в результате [8] Кузнецов Г.Ф. Препринт ИРЭ АН СССР. М., 1986. № химического растворения также исчезают с поверхности (441). 31 с.

монокристаллов, что косвенно подтверждает их поверх[9] Кузнецов Г.Ф. // Кристаллография. 1989. Т. 34. С. 765–766.

ностный островковый характер.

[10] McLaren J.R., Tappng G., Davidge R.W. // Proc. Brit. Ceram.

Soc. 1972. N 20. P. 259–265.

Методом РПКИ изучена также дефектная структура [11] Уббелоде А.Р., Льюис Ф.А. Графит и его кристаллические одного из образцов гомоэпитаксиальной системы 6H–SiC соединения. М.: Мир, 1965. 265 с.

слой–подложка. Как выяснилось, дефектная структура [12] Кузнецов Г.Ф. // Электронная техника. Сер. 8. Управление подложки этой гомоэпитаксиальной однослойной струккачеством и стандартизация. 1978. Вып. 3 (65). С. 39–65.

туры характеризуется весьма мощной дислокационной [13] Кузнецов Г.Ф., Семилетов С.А. // Кристаллография. 1977.

сеткой, дислокации которой испущены как источниками Т. 22. С. 664–666.

на гетерогранице кристалл–контейнер, так и одним из внутренних источников, отдаленным от гетерограницы области кристалла (стрелка на рис. 4). Контраст дислокаций подложки ослаблен влиянием неоднородного упругого поля эпитаксиального слоя.

В некоторых топограммах по РПКИ область эпитаксиального слоя оказалась частично сдвинутой относительно подложки. В этой области четко просматривается дискретное в азимутальном и брэгговском направлениях распределение интенсивности по площади топограммы, изображение на которой создано полихроматическим рентгеновским излучением. Этот контраст подобен тому, который обнаружен нами в [13] для мозаичных монокристаллических слоев CdTe, выращенных на подложках слюды. Именно по ней и можно сделать предварительное заключение, что выращенный монокристаллический слой является мозаичным. Для нас это означает, что условия наращивания гомоэпитаксиального слоя 6H–SiC были таковыми, что действовал не механизм послойного роста, характерного для идеальной гомоэпитаксии, а 5 Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.