WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Дефеты замещения типа YBa способствуют понижению термодинамического потенциала сверхпроводящей фазы, ее структурной стабилизации и понижению шумового параметра пленок. Основными факторами усовершенствования технологии выращивания пленок YBa2Cu3Oв процессе магнетронного распыления являлись понижеРис. 10. Температурная зависимость параметра Хоуге ние скорости роста пленок (ниже, чем 0.8 nm/min) и YBa2Cu3O7 микрополосков шириной 2.3–3.0 µm: 1 и 2 — применение ”плавного” выхода на заданный технологиполучены жидкостным травлением в растворе Трилон-Б до ческий режим.

и после совершенствования технологии изготовления микроГенерация дефектов в пленочных топологиях происхополосков соответственно; 3 — микрополоски, изготовленные дит и в процессе размерной обработки. Для изготовления ионным травлением. Полосой выделена область параметров сверхпроводящих микрополосков с размерами на уровне Хоуге, достигнутая до настоящих работ.

1 µm применялись технологии химического и ионного травления пленок YBa2Cu3O7. С точки зрения минимальности нарушений, вносимых в пленку, и ”ухода” SV = 10-19-10-8 V2·Hz-1 на частоте f = 1-105 Hz [11]. заданных топологических размеров, препочтительным Величина параметра Хоуге рассчитывалась по формуле является процесс химического травления в растворе соли органической кислоты ЭДТА–Трилон-Б. Вместе с -( f, T) =Ne fSV ( f, t)V, (2) этим только процесс травления низкоэнергетичным пучком ионов аргона из дуопигатронного источника обеспегде Ne и V — количество заряженных носителей тока в чивает на пленках YBa2Cu3O7 субмикронное разрешение образце и его объем.

по ширине края топологии ( 0.2 µm) при сохранении Результаты измерений и соответствующих расчетов с высоких параметров сверпроводящего состояни пленок.

использованием выражения (2) представлены на рис. 10.

Разработанная технология микропрофилирования позвоУровень шума в образцах, полученных в условиях усолила значительно снизить уровень шума в сверхпроводвершенствованной технологии, существенно уменьшилниковых микрополосках и получить рекордную величину ся, на что указывает сравнение кривых 1 и 2. Сопостапараметра Хоуге — 10-4 при 93 K на частоте 10 Hz.

вление кривых 2 и 3 указывает также на повышенный Работа проводилась при поддержке проектов № уровень шума при высокой температуре (более 300 K), и 98055 по государственной программе ”Сверхпроводикоторый проявляют образцы, полученные ионным трамость”.

влением, по сравнению с шумовым параметром микрополосков, полученных химическим травлением. Вместе с Авторы благодарны И.А. Хребтову за участие в работе этим при температуре около 93 K шум нормальной фазы и полезные обсуждения, Т.И. Анохиной за проведение мостиков, полученных ионным травлением, достигает экспериментов по химическому травлению и М.Е. Гаевочень низких значений ( <10-4), свидетельствующих скому за исследования морфологии пленок.

о подавлении источников шума, созданных в пленке в процессе ионной обработки. Вероятно, наибольшие Список литературы повреждения образуются в кислородных цепочках плоскости CuO, пересекающей планарные дефекты. Соотно[1] Kogan Sh. Electronic Noise and Fluctuations in Solids.

шение между уровнем шума, наблюдаемым при разной Cambridge: University press, 1996. 354 p.

температуре, указывает на некоторую стабилизацию ки[2] Pelz. J., Clarke J. // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 36. P. 4479–4482.

слородных дефектов в CuO плоскости, расположенных [3] Bobyl A.V., Gaevski M.E., Karmanenko S.F. et al. // J. Appl.

вблизи границ малоугловых блоков, при низкой темпеPhys. 1997. Vol. 82. N. 2. P. 1274–1281.

ратуре.

[4] Rothman S.J., Routbort J.L., Welp U. et al. // Phys. Rev. B.

1991. Vol. 44. N 4. P. 2326–2332.

[5] Karmanenko S.F., Barchenko V.T., Dedyk A.I. et al // Заключение Supercond. Sci. Technol., 1998. Vol. 11. N 3. P. 284–288.

[6] Bobyl A.V., Gaevskii M.E., Konnikov S.G. et al. // Scanning Проведенное усовершенствование технологии выраMicroscopy. 1996. Vol. 10. P. 679–684.

щивания и размерной обработки сверхпроводниковых [7] Eidelloth W., Gallagher W.J., Robertazzi R.P. // Appl. Phys.

пленок YBa2Cu3O7 позволило существенно снизить уроLett. 1991. Vol. 59. N 10. P. 1257–1259.

вень фликкер-шума в пленках. Моделирование процесса [8] Barth R., Spangenberg B., Langheirich W. // J. Vac. Sci.

отжига пленок показало, что преобладающие источники Technol. 1992. Vol. A 10. N 6. P. 3411–3413.

Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 72 С.Ф. Карманенко, А.А. Семенов, В.Н. Леонов, А.В. Бобыль, А.И. Дедоборец, А.В. Лунев...

[9] Моро У. Микролитография. Ч. 2. М.: Мир, 1990. 632 с.

[10] VLSI Electronics Microstructure Science. Plasma Processing for VLSI/Ed. N.G. Einspruch, D.M. Brown. Orlando:

Academic Press, 1984. Vol. 8. 469 p.

[11] Хребтов И.А., Леонов В.Н., Карманенко С.Ф. и др. // Сверхпроводимость. Физ. Хим. Технол. 1993. Т. 6. Вып. 4.

С. 786–796.

[12] Fardmanesh M., Rothwarf A., Scoles K.J. // J. Appl. Phys.

1996. Vol. 79. N 4. P. 2006–2011.

[13] Fontaine D., Wille L.T., Moss S.C. // Phys. Rev. B. 1987.

Vol. 36. P. 5709–5714.

[14] Khachaturyn A.G., Morris J.W. // Phys. Rev. Let. 1988.

Vol. 61. N 1. P. 215–219.

[15] Goldman M., Burmester C.P., Wille L.T., Gronsky R. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 1337–1341.

[16] Березкин А.А., Бобыль А.В., Дедоборец А.И. и др. // ФТТ.

1999. Т. 41. Вып. 6. С. 957–965.

[17] Куликов Д.В., Сурис Р.А., Трушин Ю.В. // ФТТ. 1994. Т. 36.

Вып. 11. С. 2975–2980.

[18] Karmanenko S.F., Belousov M.V., Davydov V.Yu. et al // Supercond. Sci. Technol. 1993. Vol. 6. N 1. P. 23–29.

[19] Карманенко С.Ф., Давыдов В.Ю., Митрофанов А.П., Семенов А.А.// Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 23. С. 69– 74.

[20] Karmanenko S.F. // Supercond. Sci. Technol. 1999. Vol. 12.

N 1. P. 36–44.

[21] Bert. N.A., Bobyl A.V. et al. // Physica C. 1997. Vol. 280. N 2.

P. 121–136.

[22] Вишняков А.В. // Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования. Л., 1990. С. 377–404.

[23] Savvides N., Katsaros A. // Physica C. 1994. Vol. 226. N 1.

P. 23–35.

[24] Афросимов В.В., Ильин Р.Н., Карманенко С.Ф. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 4. С. 588–595.

[25] Соколовская Е.М., Гузей Л.С. Металлохимия. М.: Изд-во МГУ, 1986. 264 С.

[26] Карманенко С.Ф., Свищев А.А., Семенов А.А. и др. // Письма в ЖТФ. Т. 25. Вып. 15. С.79–88.

[27] Schneider P., Linker G., Schneider R. et al. // Physica C.

1996. Vol. 266. P. 271–277.

[28] Карманенко С.Ф., Митрофанов А.П., Някшев К.Ф. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 1. С. 64–69.

[29] Морозов А.Н., Морозова О.Ю., Пономарев Н.М. // Сверхпроводимость: Физ. Хим. Технол. 1992. Т. 5. Вып. 2.

С. 388–[30] Nieh C.W., Anthony L., Josefowicz J.Y., Krajenbrink F.G. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 2138–2141.

[31] Широкова Л.М., Петренко Н.А. // Изв. ЛЭТИ. 1991.

Вып. 437. С. 46–50.

[32] Ginley S., Ashby C.I.H., Plut T.A. et al. // Appl. Phys. Lett.

1993. Vol. 63. N 17. P. 2429–2431.

[33] Stirling W.L., Tsai. C.C., Ryan P.M. // Rev. Sci. Instr. 1977.

Vol. 48. P. 533–550.

[34] Vase P., Yueqiang S., Freltoft T. // Appl. Surf. Sci. 1990.

Vol. 46. P. 61–66.

Журнал технической физики, 2000, том 70, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.