|
Заключение Итак, контакт металл-полупроводник, исходно вентильный, переходит в омический в процессе нагревания еще до образования рекристаллизованного слоя. При этом происходит химическое взаимодействие металла с приповерхностной областью полупроводника (в случае структур Ni–GaAs) или растворение этой области в жидком металле (в случае контактов Ga–GaAs [4]). Из этого факта следует, что вновь образованная поверхность полупроводника приобретает свойства, отличные от свойств исходной поверхности. Можно предположить, что на этой поверхности, контактирующей с металлом, возникают состояния, отличающиеся от исходных и закрепляющие поверхностный уровень Ферми либо в зоне проводимости, либо вблизи ее дна, так что потенциальный барьер для электронов уже на образуется и контакт становится омическим. Список литературы [1] Родерик Э.Х. // Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 209 с. [2] Kupta P.K., Anderson W.A. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. P. 3623–3631. [3] Mochida N., Honda T., Shirasawa T. et al. // J. Cryst. Growth. 1997. Vol. 129/130. P. 716–719. [4] Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 8. С. 1510–1513. [5] Гольдберг Ю.А., Ильина М.В., Поссе Е.А., Царенков Б.В. // ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 3. С. 555–558. [6] Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 2. С. 200-202. [7] Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В., Шульга М.И. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 3. С. 439–443. [8] Божков В.Г., Заводчиков В.М., Солдатенко К.В. и др. // Электронная техника. Полупроводниковые приборы. 1978. Сер. 2 (7). С. 41–50. [9] Lahav F., Eizenberg M. Komem Y. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60. P. 991–1001. 5 Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.
| 
