WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

пробоя кристалла. По условию формирования данный дефект относится к отрицательной фигуре пробоя [18] и обладает точечной группой симметрии 6mmm. Эффекты ориентации и шнурования электронных лавин, растекающихся в процессе разряда по поверхности грани SiC и действующих как вытянутые источники тепла, создают систему ориентированных полостей (шипов). При детальном исследовании можно обнаружить, что шипы, ориентированные по направлениям [1120] и [1010], отличаются геометрией и размерами. Так, шипы с острым фронтом чаще встречаются в направлении [1120]. Такой результат подтверждается общими представлениями о влиянии кристаллографического направления на каналы испарения SiC с участием жидкой фазы кремния [7].

Наряду с обычными шипами были обнаружены рекуперативные, разделенные перегородкой. Как правило, в таких шипах наблюдались процессы ветвления. Большие градиенты температур, а также наличие жидкой фазы на основе кремния способствуют эпитаксиальному росту SiC. Характерные выступающие ступени роста высоРис. 6. Псевдоотрицательные кристаллы: a — псевдо-ОК той 0.5-1 µm вокруг шипов показаны на рис. 5, b.

ростовой природы (трубчатый кристалл, Tp 2100C, аргон);

= Ступеньки не исчезали после длительного кипячения b — псевдо-ОК эрозионной природы (нитевидный электрод, кристаллов в водном растворе КОН. латунь d 100 µm, вода).

Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. Отрицательные кристаллы карбида кремния слоя. С помощью псевдо-ОК можно создавать регулярные системы и осуществлять размерное профилирование SiC любой сложности.

Список литературы [1] Богомолов В.Н., Курдюков Д.А., Прокофьев А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 36. Вып. 7. С. 496.

[2] Компан М.Е., Шибанов Н.Ю. // ФТП. 1995. Т. 29. № 5.

С. 1859.

[3] Иванов П.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1995. Т. 29. № 5.

С. 1921.

[4] Карачинов В.А. // Тр. 3-й Междунар. конф. ”Кристаллы:

рост, свойства, реальная структура, применение”. Александров: ВНИИСИМС, 1997. Т. 2. С. 240.

[5] Дерюгин Ю.В. Монокристаллы корунда в ювелирной промышленности. Л.: Машиностроение, 1984. 147 с.

[6] Мокиевский В.А. Морфология кристаллов. Л.: Недра, 1983. 295 с.

[7] Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с.

[8] Левин В.И., Таиров Ю.М., Траваджян М.Г., Цветков В.Ф.

// Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. 1978. Т. 14.

№ 6. С. 1062.

[9] Карачинов В.А. // Кристаллография. 1998. Т. 63. № 6.

С. 1097.

Рис. 7. Электротехнические характеристики процесса ро[10] Wagner R.S. // J. Cryst. Growth. 1968. Vol. 3. N 4. P. 159.

ста псевдо-ОК цилиндрической формы (метод прошивания, [11] Карачинов В.А. Автореф. канд. дис. Ленинград: ЛЭТИ им.

трансформаторное масло): a — зависимость скорости роста В.И. Ульянова-Ленина, 1985. 16 с.

псевдо-ОК от энергии электрического импульса, эксперимент;

[12] Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент.

1 — рост в направлении [0001]Si, 2 — рост в направлении М.: Мир, 1990. 492 с.

[0001]C; b — изменение скорости роста по длине псевдо-ОК, [13] Остроумов А.Г., Абаев М.И., Карклина М.И. // Изв. АН эксперимент; 1 — трубчатый электрод, 2 — цилиндрический СССР. Сер. Неорган. материалы. 1979. Т. 15. № 6. С. 1497.

электрод (сталь).

[14] Карачинов В.А. // Тр. 3-й Междунар. конф. ”Кристаллы:

рост, свойства, реальная структура, применение”. Александров: ВНИИСИМС, 1997. Т. 2. С. 154.

кеты пластинчатых кристаллов), показали, что в целом [15] Ральченко В.Г., Конов В.И., Смолин А.А. и др. // Тез. докл.

наблюдается монотонное уменьшение скорости роста Междунар. семинара ”Карбид кремния и родственные материалы”. Новгород: НовГУ, 1997. С. 41.

ОК. Такой характер зависимостей объясняется, по всей [16] Ильин В.А., Карачинов В.А., Таиров Ю.М., Цветвидимости, увеличением длины траектории эвакуации ков В.Ф. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 12. С. 749.

продуктов эрозии SiC [19].

[17] Кириллов Б.А. // Сб. научн. тр. Санкт-Петербургского гос.

Известно, что основные геометрические характеристиэлектротехнического ун-та, 1995. № 488. С. 87.

ки псевдо-ОК SiC непосредственно связаны с формой [18] Берке Дж., Шулман Дж. Прогресс в области диэлектрипрофилирующего электрода. Получение необходимой ков. М.: ГЭИ, 1962. 308 с.

формы из материалов, обладающих высокой эрозион[19] Мицкевич Н.К., Некрашевич И.Г. Электроэрозионная ной стойкостью при эффективном значении диаметра обработка металлов. М.: Наука и техника, 1988. 216 с.

d 1 mm, становится проблематичным. Поэтому перспективным для этих целей направлением является использование, например, систем нитевидных положительных кристаллов, что в свою очередь требует проведения дополнительных исследований.

Выводы Целенаправленные технологические воздействия на кристаллы SiC могут приводить к образованию в них кристаллографически ориентированных систем ОК. Рост ОК в процессе электроэрозии SiC сопровождается ростом положительного кристалла в виде эпитаксиального 5 Журнал технической физики, 2002, том 72, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.