WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

После установления стационарного состояния (не более 0.01 s) напряжение смещения снимается и включается цепь обратной связи, которая восстанавливает и поддерживает заданный уровень подпорогового тока за счет изменения напряжения на затворе МДП транзистора. По окончании переходного процесса (не более 5 · 10-8 s), определяемого быстродействием операционного усилителя в генераторе тока, с помощью быстродействующего АЦП начинается измерение релаксации напряжения на затворе МДП транзистора, обусловленной перезарядкой ПС, и последующая запись данных в БОЗУ. Время выборки АЦП может меняться от 2 · 10-8 до 10-3 s на разных участках релаксационной кривой. По заполнении Рис. 3. Энергетические спектры плотности поверхностных БОЗУ либо по окончании измерения кривой данные состояний после рентгеновского облучения (1, 2 — то же, что считываются в ЭВМ. Затем измерение повторяется при и на рис. 2).

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 64 М.Н. Левин, Е.Н. Бормонтов, А.В. Татаринцев, В.Р. Гитлин на рис. 3 штриховой линией и составляют 2 · 1012 и 2.6 · 1012 cm-2 · eV-1 для доз облучения 105 и 5 · 105 R соответственно и хорошо согласуется с данными предложенного метода.

Таким образом, метод исследования спектра ПС на границе раздела диэлектрик–полупроводник по релаксации напряжения на затворе МДП транзистора в режиме постоянного подпорогового тока обеспечивает возможность исследования ПС в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника и удобен для тестового контроля интегральных схем.

Список литературы [1] Simmons J.G., Wei L.S. // Sol. St. Electron. 1974. Vol. 17.

P. 117–119.

[2] Johnson M.N.J. // Vac. Sci. Technol. 1982. Vol. 21. P. 303–315.

[3] Wang K.L. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980. Vol. ED-27.

Рис. 4. Подпороговые участки сток-затворных ВАХ p-канальP. 2231–2239.

ных транзисторов после рентгеновского облучения (1, 2 —то [4] Karwath A., Schulz M. // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 52.

же, что и на рис. 2).

P. 634–637.

[5] Van Overstraeten R.J., Declerck G.J., Muls P.A. // IEEE Trans.

Electron. Dev. 1975. Vol. ED-22. P. 282–288.

[6] Ms Whorter P.J., Winokur P.S. // Appl. Phys. Lett. 1986.

пературным отжигом при температуре 723 K. Облучение Vol. 48. P. 133–137.

проводилось на рентгеновской установке ИРИС-М3.

[7] Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984. Т. 2.

Типичные релаксационные зависимости Vg(t) указан456 с.

ных МДП транзисторов, измеренные в режиме подпоро[8] Левин М.Н., Израйлит В.Л., Татаринцев А.В., Кадменгового тока насыщения после рентгеновского облучения ский С.Г. // ПТЭ. 1992. № 2. C. 119–122.

дозами 105 P и 5 · 105 R, представлены на рис. 2. Рассчитанные на основе приведенных экспериментальных данных энергетические спектры плотности ПС Dit(E) представлены на рис. 3.

Раccчитанные предложенным методом спектры ПС сопоставимы с данными, полученными на этих же образцах хорошо известным методом стационарных подпороговых токов [7]. Измерения стационарных вольт-амперных характеристик (ВАХ) проводились на установке, описанной в [8]. Напомним, что стационарная сток-затворная ВАХ длинноканального МДП транзистора в подпороговой области описывается уравнением [7] Vg - VT ID = I0 exp, (15) S где kT Ci + Csc + Css S = ;

q Ci Css — емкость, обусловленная перезарядкой ПС.

Изменения ВАХ, вызываемые рентгеновским облучением, показаны на рис. 4.

Усредненная плотность ПС Dit рассчитывается по параметру S, экспериментально определяемому из наклона зависимости ln(ID/I0) от Vg, 1 qS Dit = Ci - 1 - Csc. (16) q kT Усредненные значения плотности ПС Dit, определенные из кривых рис. 4 по формуле (16), показаны Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.