WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Минимальная толщина пленки, грубо оцененная по скорости травления соединения GaN, была не меньше 200-300. Реальная толщина эпитаксиальных пленок не превышала величину 200-300 nm, что приводило к частичной релаксации механически напряженного состояния. Получены профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Установлено, что в зависимости от условий отжига подложек GaAs в активных радикалах азота возможно формирование тонких эпитаксиальных слоев GaN как гексагональной, так и кубической сингонии.

Работа выполнена при финансовой поддержке ДФФД Украины (проект № 04.07/256).

Список литературы [1] Strite S., Morkoc H. // J. Vac. Sci. Technol. 1992. Vol. B10.

P. 1237–1266.

[2] Monemar B., Pozina G. // Progress in Quantum Electronics.

2000. Vol. 24. P.239–290.

[3] DeLouise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1993. Vol. A11. P. 609– 615.

[4] Georgobiani A.N., Kotljarevsky M.B., Aminov U.A., Kidalov V.V., Rogozin I.V. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1997.

Vol. A388. P. 431–437.

[5] Сукач Г.А., Кидалов В.В., Власенко А.И., Котляревский М.Б., Потапенко Е.П. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2002. Вып. 37. С. 65–76.

[6] Абдуллаев Г.В., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. 280 с.

[7] Orton J.W., Lacklison D.E., Baba-ali N. et al. // J. of Electronics Materials. 1994. Vol. 24. N 4. P. 263–268.

[8] Morkoc H., Strite S., Gao G.B., Lin M.E., Sverdlov B., Burns M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 77. N 3. P.1363–1398.

[9] He Z.Q., Ding X.M., Hou X.Y., Wang Xun // Appl. Phys. Lett.

1994. Vol. 64. N 3. P.315–317.

[10] Mizuta M., Fujieda S., Matsumoto Y, Kawamura T. // Jap. J.

Appl. Phys. 1986. Vol. 25. P. L945–L948.

Журнал технической физики, 2003, том 73, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.