WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

вания доменов с ростом напряжения проявляется лишь Зависимости параметров импульса от напряжения в обв уменьшении времени спада тока c от порогового до щем случае немонотонны. С ростом напряжения питания уровня насыщения (рис. 5, b). В этом случае предполодлительность импульса вначале несколько уменьшается, жение V(Er) =µ0Er корректно и, как видно из рис. 4, a, достигая минимального значения при U/Ut = 1.25, а аналитическая формула качественно правильно описызатем увеличивается. Показано, что аналитические оценвает ход кривой времени спада тока. Количественные ки времени формирования домена справедливы только в расхождения объясняются, во-первых, эффектом насыполях вблизи порогового значения. В отличие от предщения тока (аналитическaя формула оценивает время сказаний аналитической модели с ростом приложенного установления по напряжению) и, во-вторых, тем, что в к образцу напряжения время установления тока и формибольших полях форма домена в переходном процессе рования домена не уменьшается, а растет; уменьшается формирования существенно отличается от формы статолько время спада тока от порогового значения до ционарного домена, что противоречит аналитическим насыщения. Результаты расчетов показывают, что миниупрощающим предположениям.

мальная длительность времени установления (в рамках Из приведенных соображений нетрудно качественпринятой модели) получается при напряжении питания но объяснить форму импульса в переходном процессе также в 1.25 раз больше порогового и при нулевом формирования домена и зависимость времени устанозначении сопротивления нагрузки. Результаты данной вления тока от напряжения питания. Если напряжение работы могут найти применение при разработке мощпитания ненамного превышает пороговое значение, то ных ганновских генераторов импульсов пикосекундной предположения аналитической теории [5] справедливы длительности.

и она правильно описывает формирование домена. При больших напряжениях питания процесс формирования Список литературы домена можно разбить на два этапа. На первом этапе поле во всем образце больше порогового и ток через ди[1] Костылев С.А., Гончаров В.В., Соколовский И.И., од мал. По мере формирования домена поле вне домена Челядин А.В. Полупроводники с объемной отрицательуменьшается и ток через диод растет (рис. 5, b). Изной проводимостью в СВЧ полях: электронные процессы за насыщения поле-скоростной характеристики разность и функциональные возможности. Киев: Наукова думка, скоростей электронов в формирующемся домене и вне 1987. 144 с.

его уменьшается с ростом напряжения питания, что [2] Шур М. Современные приборы на основе арсенида гали приводит к увеличению времени нарастания тока с лия. М.: Мир, 1991. 632 с.

ростом напряжения питания (рис. 5, b). На втором этапе, [3] Домрачев С.И., Алавердян С.А., Скороходов В.Н. // ЖТФ.

когда ток и остаточное поле в диоде Er становятся 1999. Т. 69. Вып. 5. С. 74–77.

[4] Левинштеин М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект меньше пороговых величин, справедлива теория [5] и Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с.

время спада тока уменьшается из-за уменьшения емкости [5] Шур М.С. // ФТП. 1973. Т. 7. Вып. 6. С. 1178–1183.

домена с ростом напряжения питания. При относительно [6] Левинштеин М.Е., Симин Г.С. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 5.

малых напряжениях питания преобладает эффект уменьС. 903–911.

шения емкости домена, а при больших — увеличение [7] Симин Г.С. // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 5. С. 1028–1029.

времени нарастания тока из-за насыщения скорости но[8] H. Thim. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. N 8. P. 3897–3905.

сителей. Время формирования минимально, когда эти [9] Наянов В.И., Потапов С.К., Сафонова М.А. // Элекэффекты уравновешивают друг друга.

тронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1983. Вып. 5.

С. 28–31.

[10] Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической Заключение физики. М.: Наука, 1972. 736 с.

В данной работе исследована динамика дипольного домена в диоде Ганна с резистивной нагрузкой. Вычисления показывают, что длительность импульсов тока при Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.