WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 | 2 ||

[4] Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф. и др. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 7. С. 435–439.

[5] Грехов И.В., Тучкевич В.М. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.:

Наука, 1988. 117 с.

Рис. 6. Зависимости напряжений и токов через ДДРВ на [6] Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В. // ФТП. 1991. Т. 25.

основе Si (штриховые линии) и SiC(сплошные линии) от вреВып. 1. С. 3–11.

мени, полученные путем численного моделирования процесса [7] Кюрегян А.С. // Патент РФ. № 2197034, обрыва тока. Параметры ДДРВ и контура приведены в таблице.

кл. H 01 L 29/681. БИ. № 2. 2003.

[8] Корольков В.И., Рожков А.В., Петропавловская Л.А. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 17. С. 46–50.

[9] Рожков А.В., Козлов В.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 12.

вен величине 3.5 µcal, рассчитанной по формуле (10).

С. 1477–1479.

Результаты моделирования, выполненного с помощью [10] Грехов И.В., Иванов П.А., Константинов А.О. и др. // программы „Исследование“ [16–18], приведены на рис. 6.

Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 13. С. 24–29.

Как видно, все заданные характеристики импульсов [11] Grekhov I.V., Ivanov P.A., Khristyuk D.V. et al. // Solid State напряжения действительно оказались реализованными Electron. 2003. Vol. 47. N 10. P. 1769–1774.

генераторами, параметры которых были рассчитаны по [12] Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т. и др. // ФТП.

2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1148–1151.

формулам (7)-(12) и (27)-(32). Потери во время [13] Абрамовиц М., Стиган И. Справочник по специальстадии высокой обратной проводимости также оказались ным функциям с формулами, графиками и матемаблизки к расчетной величине LJ2 (k-1 - 1)/2 = 13 mJ.

B тическими таблицами. М.: Наука, 1979. 832 с. Пер.

Несколько более ранний обрыв тока карбид-кремниевым с англ.: Abramowitz, Stegun I.A. Handbook of Mathematical ДДРВ обусловлен, очевидно, большей по сравнению с Function with Formulas, Graphs and Mathematical Tables.

кремнием потерей заряда.

National Bureau of Standards, 1964.

В заключение отметим, что полученные в настоящей [14] Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.:

работе результаты в качественном отношении примениМир, 1984. 456 с. Пер. с англ.: Sze S.M. Physics of мы и для ДДРВ более сложных конструкций, наприSemicoductor Devices. New York; Chichester; Bribane;

мер, содержащих базовые слои обоих типов проводи- Toronto; Singapore: A Wiley Interscience Publication, 1981.

[15] Кюрегян А.С., Юрков С.Н. // ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 10.

мости и (или) изготовленных диффузионными методами С. 1819–1827.

(т. е. с сильно неоднородным легированием базовых сло[16] Hjelm M., Nilsson H.-E., Martinez A. et al. // J. Appl. Phys.

ев). Критериями качества материала для ДДРВ в любом 2003. Vol. 95. N 2. P. 1099–1107.

случае являются величины EB/Es и vsEB. Сохранятся [17] Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Philatov N.I. // Solid State также все соотношения между параметрами импульса, Electron. 1987. Vol. 30. N 3. P. 579–586.

контура и диодов прерывателя, хотя численные значения [18] Levinstein M.E., Mnatsakanov T.T., Ivanov P.A. et al. // коэффициентов a, b,, и т. д. могут измениться.

Electron. Lett. 2000. Vol. 36. N 14. P. 1241–1242.

Исключением является формула (28) для концентрации акцепторов, которая не имеет смысла при неоднородном легировании базовых слоев. Анализ таких ДДРВ представляет интерес, так как оптимизация профиля легирования в принципе должна позволить заметно уменьшить потери в диодах и увеличить КПД генератора.

Автор благодарен И. В. Грехову и В. С. Белкину за многочисленные и плодотворные дискуссии по рассмотренной проблеме, а также С. Н. Юркову и Т. Т. Мнацаканову, предоставившим возможность провести моделирование процесса обрыва с помощью программы „Исследование“.

Журнал технической физики, 2004, том 74, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||





© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.